产品说明
Sirenza的微器件“
SDM-08060-B1F
65W的功率模块是
健壮，阻抗匹配，单级，推挽AB类放大器
模块适于用作功率放大器驱动器或输出级。
功率晶体管使用Sirenza的最新的，高perfor-制造
曼斯LDMOS工艺。这是一个下拉式，高不调的解决方案
电源应用需要高效率，出色的线性度和
单元到单元的可重复性。据内部匹配到50欧姆。
SDM-08060-B1F
SDM-08060-B1FY
869-894 MHz的AB类
65W功率放大器模块
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
功能框图
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
VGS
1
VDS
1
180
GND
平衡不平衡转换器
RF
in
平衡不平衡转换器
RF
OUT
o
0
o
GND
产品特点
GND
0
o
GND
180
o
VGS
2
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
VDS
2
提供符合RoHS标准包装
50
W
RF阻抗
65W输出P
1dB
单电源供电：标称28V
高增益：17分贝880兆赫
高效率：在880 MHz的46 ％
ESD保护： JEDEC 2级（ 2000V HBM ）
应用
案例法兰=接地
基站PA驱动器
中继器
CDMA
GSM / EDGE
单位
兆赫
W
dB
dB
%
%
dB
dBc的
nS
度
摄氏度/ W
-
-
-
-
分钟。
869
60
16
-
32
典型值。
-
65
17
0.3
34
46
-15
-31
4.0
0.5
1.5
马克斯。
894
-
-
0.5
-
-
-10
-28
-
-
关键的特定连接的阳离子
符号
频率
P
1dB
收益
增益平坦度
效率
效率
IRL
IMD
延迟
相位线性度
R
TH
参数
操作的频率
在1dB压缩输出功率， 881兆赫
在CDMA 12W输出增益（单载波IS- 95 ） ， 881MHz
峰峰值增益变化， 869 - 894MHz
漏极效率为60W PEP ， 880MHz和881MHz
漏极效率为60W CW ， 880MHz
输入回波损耗12W的连续输出功率， 869 - 894MHz
三阶IMD产品， 60W PEP ， 880MHz和881MHz
信号延迟，从3针到8针
从线性相位偏差（峰峰值）
热阻（结到管壳）
T
测试条件
in
= Z
OUT
= 50, V
DD
= 28.0V ，我
DQ1
= I
DQ2
= 300毫安牛逼
轮缘
= 25C
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
2000
1.2 X 10
6
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 104208 F版
SDM - 08060 - B1F 869-894 MHz的65W功率放大器模块
引脚说明
针＃
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
描述
LDMOS FET Q1栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
模块顶边地上。
内部DC封锁
LDMOS FET Q2的栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
LDMOS FET Q2漏极偏置。见注1 。
内部DC封锁
LDMOS FET Q1漏极偏置。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
简化的设备示意图
1
2
3
4
5
案例法兰=接地
Q2
10
Q1
9
8
7
6
注1 ：
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的，但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 ：
栅极电压必须施加到V
GS
LEADS
同时或应用漏极电压的后向预
发泄潜在的破坏性振动。偏见
电压不应该被施加到模块，除非它是prop-
erly端接在输入和输出。
注3 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压的变化。
LDMOS晶体管。
注4 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏置温度
补偿。
注5 ：
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ° F，且所述钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 （ www.sirenza.com ）的
进一步的安装
指令。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
控制（门）电压， VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+37
5:1
15
+200
-20
+90
-40
+100
单位
V
DBM
VSWR
V
C
C
C
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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SDM - 08060 - B1F 869-894 MHz的65W功率放大器模块
典型性能曲线
2音频增益，效率，的IMD ， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 600毫安，噘= 60W PEP ，台达F = 1兆赫
40
35
增益（dB ） ，效率（％ ）
30
25
20
15
10
5
0
850
860
870
880
890
900
频率（MHz）
收益
IMD3
IMD7
效率
IMD5
IRL
-10
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
910
增益（dB ） ，效率（％ ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
噘嘴（W PEP ）
60
80
2音频增益，效率，的IMD VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 600毫安，频率= 881兆赫，台达F = 1兆赫
收益
IMD3
IMD7
效率
IMD5
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
IMD （ DBC）
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 600毫安，噘= 60W
50
45
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
850
860
870
880
890
900
频率（MHz）
收益
效率
IRL
0
-2
-4
-6
IRL （ dB）的
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
910
增益（dB ）
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
0
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 600毫安，频率= 881 MHz的
60
55
50
45
35
30
25
20
15
10
5
0
20
40
的Pout （W）的
60
80
效率（％）
40
收益
效率
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典型性能曲线（续）
双色增益，效率， IRL ，的IMD与电源电压
噘嘴= 60W PEP ， IDQ = 600毫安，频率= 881 MHz时，
台达F = 1兆赫
收益
IRL
IM5
效率
IM3
IM7
CW增益，效率， IRL与电源电压
噘嘴= 60W ， IDQ = 600毫安，频率= 881 MHz的
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
增益（dB ） ，效率（％ ）
70
60
70
60
增益（dB ） ，效率（％ ）
50
40
30
20
10
0
收益
效率
IRL
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
IRL （ dB）的
IRL （分贝） ， IMD （ DBC）
50
40
30
20
10
0
18
20
22
24
VDS （伏特）
26
28
30
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
VDS （伏特）
CW增益VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 881 MHz的
19
-20
-25
IMD3 VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 881兆赫，台达F = 1兆赫
18.5
Idq=1.6A
Idq=1.4A
Idq=1.2A
增益（dB ）
-30
-35
-40
-45
-50
Idq=0.7A
-55
Idq=0.4A
Idq=0.5A
Idq=0.6A
IDQ = 0.8A
18
增益（dB ）
Idq=1.0A
17.5
Idq=0.8A
17
16.5
16
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
的Pout （W）的
-60
0
5
10 15 20 25 30
35 40 45 50 55 60 65
的Pout （W）的
注意：
可以用Sirenza的网站评价测试夹具的信息，被称为SDM -EVAL 。
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SDM - 08060 - B1F 869-894 MHz的65W功率放大器模块
封装外形图
注意：
请参考应用笔记AN054 ， “详细的安装说明电源模块”的详细安装信息。
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