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表面贴装双回路高端电源开关阵列SDH04
特点
q
内置的诊断功能来检测负载短路和开路和短路
输出状态信号
q
低饱和PNP晶体管使用
q
允许使用LS - TTL和C - MOS逻辑电平直接驱动
q
内置过流和过热保护电路
q
内置的保护，防止电源反接
q
TJ = 150°C保证
q
表面贴装全模封装
外形尺寸
（单位：毫米）
1.0
±0.3
0.25
0.89
±0.15
2.54
±0.25
0.75
–0.05
+0.15
SMD-16A
16
9.8
±0.3
6.8max
3.0
±0.2
6.3
±0.2
8.0
±0.5
9
a
b
销1
20.0max
19.56
±0.2
8
0 0.15
0.3
–0.05
+0.15
绝对最大额定值
参数
电源电压
驱动端施加电压
输入端子的电压
DIAG应用于输出电压
DIAG输出源电流
在整个电源电压
和驱动终端
输出电流
功耗
结温
工作温度
储存温度
符号
V
B
V
D
V
IN
V
DIAG
I
DIAG
V
B-D
I
O
P
D
Tj
T
OP
TSTG
评级
-13到+40
-0.3到V
B
-0.3到+7.0
-0.3到+7.0
3
V
B
–0.4
1.5
2.6
-40到+150
-40至+100
-40到+150
单位
V
V
V
V
mA
V
A
W
C
C
C
(Ta=25C)
条件
4.0max
3.6
±0.2
1.4
±0.2
答：型号
B：批号
等效电路图
没有散热片，所有的电路工作
将MIC绑定由虚线。
9,12,16
V
B
2
*
预。注册。
IN1
DIAG1
2
3
DIAG DET 。
续。
11KΩ （典型值） 。
O.C.P
DRIVE
1,15
T.S.D
14
电气特性
参数
工作电源电压
静态电流电路
阈值输入电压
高输出
输入电流
LO输出
输出饱和电压
晶体管
输出端子吸收电流
DIAG输出饱和电压
泄漏DIAG输出电流
负载开路检测电阻
过电流保护启动
当前
热保护启动
温度
输出转换时间
T
关闭
T
PLH
DIAG输出转换时间
T
PHL
I
IN
V
CE （SAT）
I
O（关）
V
DL
I
DGH
ROPEN
I
S
1
1.6
0
符号
V
BOPR
Iq
V
IN
th
I
IN
0.8
民
6.0
Out1
2
(V
BOPR
= 14V ，TA = 25℃除非另有说明）
评级
典型值
最大
16
5
12
3.0
1.0
100
0.5
2.0
0.3
100
30
单位
V
DIAG2
*
D1
1
*
条件
IN2
7
6
DIAG DET 。
续。
11KΩ （典型值） 。
O.C.P
DRIVE
mA
V
mA
A
V
mA
V
A
k
A
LO输出
8,10
11
4,5,13
Out2
*
2
D2
1
*
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
I
O
1.0A ，V
BOPR
= 6 16V
V
O
= 0V, V
IN
= 0V
I
DIAG
= 3毫安
V
DIAG
= 5V
[缩写]
驱动器：驱动器电路
CONT ： ON / OFF电路
Pre.Reg ：预调节器
GND
*
2
DIAG.DET ：诊断电路
O.C.P ：过电流保护
T.S.D ：热保护
* 1 。基座终端装置（D端子）被连接到输出
三极管的基极。它也被连接到控制单片
IC 。别，因此，施加外部电压操作。
* 2 。 SDH04具有相同功能的两个或三个端子（
V
B
,
输出1 ，输出2
， GND）。相同功能的端子必须
短接在产品附近使用模式。
V
O
= V
BOPR
–1.9V
T
TSD
T
ON
150
8
15
10
15
30
30
30
30
C
S
S
S
S
V
BOPR
6V
I
O
= 1A
I
O
= 1A
I
O
= 1A
I
O
= 1A
标准电路图
V
B
P
Z
D
1
OUT
注：*防止电源反接的规则是V
B
= -13V ，一分钟
只是，V （所有终端
B
和GND ，是开放的） 。
SDH04
IN
DIAG
V
CC
诊断功能
GND
V
B
3.0V
5.1k
真值表
V
IN
V
O
0.8V
负载
GND
GND
V
IN
H
L
H
L
GND
V
OUT
短
Is
开开
过度
电压
TSD
注1：上拉下拉电阻（ 11 kΩ的典型值）连接到输入端子。
V
OUT
接通"L"当高阻抗被连接到IN端子
系列。
I
O
GND V
DIAG
正常
负载短路
负载开路
过压
过热
错误信号， CPU
30
s
静态电流（双回路）
20
Ta
= –
40C
25C
125C
V
IN
=
0V
s
短路电流（单回路）
50
V
IN
=
5V
Ta
=
–40C
s
短路电流（双回路）
100
V
IN
=
5V
40
25C
80
Ta
=
–40C
25C
智商（毫安）
I
B
（MA ）
10
125C
20
V
IN
=
0V
I
B
（MA ）
30
60
40
125C
V
O
短
V
O
开放
0
0
10
20
30
40
46
10
20
V
IN
=
0V
0
0
10
20
30
40
46
0
0
10
20
30
40
46
V
B
(V)
V
B
(V)
V
B
(V)
s
输出晶体管的饱和电压
1.5
V
B
= 16V
V
B
= 6V
TA
125C
s
过电流保护特性
(Ta=–40C)
20
V
B
=
18V
s
过电流保护特性
(Ta=25C)
20
V
B
=
18V
15
15
V
CE
（SAT）
(V)
1.0
V
O
(V)
V
O
(V)
25C
0.5
–40C
10
14V
10
14V
5
6V
5
6V
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
I
O
(A)
I
O
(A)
I
O
(A)
s
过电流保护特性
(Ta=125C)
20
V
B
=
18V
15
s
输入电压阈值特性
15
Ta
=
125C
V
B
=
14V我
O
=
1A
25C
–40C
s
输入端的电源电流
1.0
V
B
=
14V
0.8
10
14V
I
IN
（MA ）
V
O
(V)
V
O
(V)
0.6
Ta
=
125C
25C
–40C
10
0.4
5
5
6V
0.2
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
0
0
2
4
6
8
10
I
O
(A)
V
IN
(V)
V
IN
(V)
s
输入端子吸收电流
1.0
V
B
= 14V V
IN
= 0V
s
DIAG输出饱和电压
0.3
V
B
=
14V
I
DIAG
=
3mA
0.2
s
热保护特性
15
V
B
=
14V我
O
=
10mA
10
I
INL
(A)
0.5
V
DL
(V)
V
O
(V)
0.1
5
0
–50
0
0
50
100
150
0
50
100
150
200
0
–50
0
50
100
150
TA （℃ ）
TA （℃ ）
TA （℃ ）
31
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