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首字符S的型号第1023页
> SDH03
SDH03
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
T
T
j
T
英镑
NPN
100
100
6
1.5
PNP + NPN达林顿
H- BRIDGE
(T
a
=25°C)
外形尺寸
E
SD
规范
PNP
–60
–60
–6
–1.5
-2.5 ( PW≤1ms ,D
u
≤10%)
–0.1
3 (T
a
=25°C)
150
-40到+150
41.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
° C / W
2.5 ( PW≤1ms ,D
u
≤100%)
0.1
θ
J- á
sEquivalent
电路图
2
R
3
R
4
1
15 16
13 14
3
R
1
R
2
4
8
11 12
9 10
7
6
5
R
3
: 4KΩ典型值
R
4
: 100Ω (典型值)
R
1
: 4KΩ典型值
R
2
: 200Ω (典型值)
特性曲线
I
C
-V
CE
特性(典型值)
NPN
2.5
I
B
=10mA
4m
A
I
C
-V
BE
温度特性(典型)
PNP
NPN
2.5
I
B
=–5m
–2m
–2.5
0.6m
A
(V
CE
=4V)
A
2m
A
1.2
mA
–1.2mA
–1.0mA
A
2.0
A
0.4m
–2.0
2.0
–0.8mA
0.3mA
I
C
(A)
1.5
–1.5
–0.6mA
–0.5mA
1.5
I
C
(A)
0.5
–0.5
–0.3mA
0.5
0
1
2
3
4
5
6
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
0
0
1
T
a
=
125
°
C
75
°
C
25
°
C
–30
°C
1.0
–1.0
–0.4mA
I
C
(A)
1.0
2
3
V
CE
(V)
V
CE
(V)
V
BE
(V)
h
FE
-I
C
特性(典型值)
NPN
10000
(V
CE
=4V)
典型值
PNP
10000
5000
(V
CE
=–4V)
PNP
–2.5
(V
CE
=–4V)
5000
典型值
–2.0
1000
–1.5
I
C
(A)
h
FE
h
FE
1000
500
–1.0
500
T
a
=125°C
75°C
25°C
–30°C
100
50
100
0.03 0.05
0.1
0.5
1
2.5
–0.5
30
–0.03
–0.05
–0.1
–0.5
–1
–2.5
0
0
–1
–2
–3
I
C
(A)
I
C
(A)
V
BE
(V)
h
FE
-I
C
温度特性(典型)
NPN
10000
5000
=1
T
a
°
25
C
°
C
25
=1 5
°
C
7
°
C
T
a
25 C
0
°
–3
PNP
(V
CE
=4V)
10000
5000
(V
CE
=–4V)
°
C
75
C
°
25
C
0
°
–3
1000
h
FE
1000
500
h
FE
500
100
100
0.03 0.05
0.1
0.5
1
2.5
50
–0.03 –0.05 –0.1
–0.5
–1
–2.5
I
C
(A)
I
C
(A)
168
SDH03
电气特性
NPN
符号
民
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
100
2000
12000
1.3
2.2
V
V
规范
典型值
最大
10
3
单位
条件
V
CB
=100V
V
EB
=6V
I
C
=10mA
V
CE
= 4V ,我
C
=1A
I
C
= 1A ,我
B
=2mA
–60
2000
12000
–1.4
–2.2
V
V
规范
民
典型值
最大
–10
–3
PNP
单位
条件
V
CB
=–60V
V
EB
=–6V
I
C
=–10mA
V
CE
= -4V ,我
C
=–1A
I
C
= -1A ,我
B
=–2mA
(T
a
=25°C)
A
mA
V
A
mA
V
特性曲线
V
CE
(SAT) -I
B
特性(典型值)
NPN
3
–3
θ
J- á
-pw特点
PNP
50
NPN
V
CE
( SAT ) (V )
V
CE
( SAT ) (V )
θ
J- á
( ° C / W)
2
–2
I
C
=–2A
10
I
C
=2A
I
C
=1A
I
C
=0.5A
I
C
=–1A
5
1
–1
I
C
=–0.5A
0
0.1
0.5
1
5
10
50
100
0
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
–50
1
1
5
10
50 100
500 1000
I
B
(MA )
I
B
(MA )
PW (MS )
V
CE
(SAT) -I
C
温度特性(典型)
NPN
3
(I
C
/ I
B
=1000)
PNP
–3
(I
C
/ I
B
=1000)
PNP
50
V
CE
( SAT ) (V )
θ
J- á
( ° C / W)
2
V
CE
( SAT ) (V )
–2
10
0
°C
T
a
=–3
5
1
25°C
–30°C
–1
Ta=125°C
75°C
75°C
25
°C
125
°C
0
0.2
0.5
1
2.5
0
–0.2
–0.5
–1
–2.5
1
1
5
10
50 100
500
1000
I
C
(A)
I
C
(A)
PW (MS )
安全工作区( SOA )
NPN
5
10
s
0
P
T
-T
a
特征
PNP
3
4
3
–5
2
1-1芯片操作
2-2芯片操作
3-3芯片操作
4-4芯片操作
10
s
0
1m
1m
1
m
10
s
s
–1
2
I
C
(A)
0.5
–0.5
P
T
(W)
1
0
0
I
C
(A)
s
10
m
s
1
0.1
单脉冲
0.05
无需散热器
0.03
T
a
=25°C
3
5
10
50
100
单脉冲
–0.1
无需散热器
T
a
=25°C
–0.05
–3
–5
–10
–50
–100
50
100
150
V
CE
(V)
V
CE
(V)
的Ta (℃)
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SDH03
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