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非易失性存储器
2 - Kbit的é
2
与PROM
I
2
C总线接口
与扩展级温度范围
特点
q
文字组织可重编程非易失性存储器
2
n沟道浮栅技术(E PROM )
q
256
×
8位组织
q
+ 5 V电源电压
2
q
串行2线总线,用于数据输入和输出(集成电路总线)
q
重新编程模式,典型值。 15毫秒的擦除/写周期
q
通过重编程芯片上的控制手段
(无外部控制)
q
数据保存期超过10年更长
5
q
超过10次的重新编程
每个地址
q
扩展级温度范围 - 40 110
°C
SDE 2526
MOS IC
P-DIP-8-4
P-DSO-8-1
TYPE
SDE 2526-5
SDE 2526-5 A2G
SDE 25X26 A2
SDE 25X26-5 A2G
电路描述
I
2
C总线接口
I
2
C总线是双向双线总线进行数据的各种集成电路之间传输。
它包含了一个串行数据线SDA和串行时钟线SCL的。数据线需要一个外部
上拉电阻
V
CC
(开漏输出级) 。
的可能的运行状态
I
2
C总线示于
图1 。
在静止状态下,既
线SDA和SCL为高,即数据线的输出级处于关闭状态。只要一个SCL保持
"1" ,信息在数据总线上的变化指示开始或这两者之间的数据传送的结束
组件。
订购代码
Q67100-H9020
Q67100-H9036
Q67100-H3261
Q67100-H3262
P-DIP-8-4
P- DSO - 8-1 ( SMD )
P-DIP-8-4
P- DSO - 8-1 ( SMD )
引脚配置
SIEMENS
SIEMENS
标准
标准
半导体集团
82
01.96
SDE 2526
从"1" "0"到SDA上的过渡是一个开始状态,从"0"到"1"的过渡是一个停止
条件。在一次数据传输中的数据总线上的信息将仅改变而在时钟线
SCL为"0". SDA上的信息是有效的,只要SCL为"1" 。
在与结合
I
2
C总线系统,存储器组件可以作为一个接收机和一个操作
发射器(从接收器或从发送器) 。起始和停止条件之间,信息是
在字节组织形式总是传送。在第八个时钟脉冲的下降沿之间和
第九应答时钟脉冲,内存组件设置SDA线低的确认
接待的,如果片选条件已经具备。在数据的输出时,数据输出
记忆是高阻抗,在第九个时钟脉冲(确认主) 。
所需的操作信号时序
I
2
C总线总结于
图2中。
的控制功能
I
2
C总线
存储器组件通过经由所述控制器(主)控制
I
2
在两种操作C总线
模式:读出周期,并重新编程周期,包括擦除和写入到存储器的地址。
在两种操作模式下,控制器,如发射机,必须提供3个字节和附加
启动条件之后应答时钟脉冲的公交车。在内存的读取,至少有九个
额外的时钟脉冲都需要接受来自存储器和应答数据
主人,之前停止条件可能随之而来。在编程的情况下,活性的编程
过程仅由数据输入后停止状态开始(见
图3)。
片选字包含了3片选位CS0 , CS1和CS2 ,从而使8个内存
芯片可以并联连接。片选时实现三个控制位逻辑
对应于选择输入选定的条件。
检查编程编程过程中或流产结束
如果芯片通过输入CS / E活性的重编程过程中寻址,编程过程
被终止。然而,如果它是由输入的CS / A处理,该条目将被忽略。只有在
程序已终止意志, CS / A芯片的响应。这允许用户检查
无论是编程过程的末尾已到达(见
图3)。
存储器读
前两个控制字CS / E和WA ,启动条件和一个复位输入后,
第三个控制字CS / A的输入,存储设置随时阅读。在应答时钟
9 ,存储信息被传在并行模式下的移位寄存器。随后向
落下的应答时钟的边沿时,数据输出是低阻抗和所述第一数据位可以是
采样(见
科幻gure 4 ) 。
随着每一个移位时钟,一个额外的位达到输出。读一个字节,内部地址后
当主交换机接收数据线"low"计数器会自动递增
在第九个时钟(感谢主) 。任何数量的存储单元因此可以读
一前一后。地址为256 ,溢出到地址0开始。与停止状态,
数据输出返回到高阻抗模式。存储器的内部序列控制
分量从读复位到静止状态与停止状态。
半导体集团
83
SDE 2526
内存重新编程
一个存储器字的重新编程循环包括擦除和随后的写入处理。
在擦除,所有8位所选择的字被设置成"1"状态。在写, "0"状态是
根据在内部数据寄存器中的信息,根据所述第三输入而产生,即
控制字。控制字输入的第27和最后一个时钟,主动编程过程后
由停止状态启动。有源重编程过程在芯片上执行
控制权。
需要进行重新编程的时间取决于组分偏差和数据模式。
因此,具有额定电源电压,擦除/写过程延伸过最大20毫秒,或更
典型地, 10毫秒。在数据字的输入的情况下,不写入请求(写请求被定义为数据
在数据位的寄存器设置为"0" ) ,写入过程被抑制,编程时间为
缩短。在一个已经被擦除的存储器地址的后续编程,擦除
过程被再次压制,从而使重编程时间也缩短了。
重要提示:接通模式和芯片复位
电源电压后
V
CC
已被连接时,数据输出将处于高阻抗模式。
作为一项规则,
第一操作模式
为输入,应该是
读的字地址的过程。
由于内置"power上reset"电路,程序设计要求将不被接受的结果
在电源电压已经接通后立即使用。
总擦除
输入控制字CS / E ,装入地址寄存器地址为0和数据寄存器FF
(十六进制)来擦除存储器的整个内容。切换输入CS2来"open"前夕
产生停止条件。随后停止条件触发一个总清除。上
终止"total erase"的, CS2 ,必须重新连接到为0 V或
4.5 V.
半导体集团
84
SDE 2526
引脚配置
( TOP VIEW )
SIEMENS
标准
引脚定义和功能
PIN号
SIEMENS
1
2
3
4
5
6
7
8
标准
4
1
2
3
5
6
7
8
符号
功能
芯片选择
芯片选择
片选0
V
I
0.2 V; 4.5
V
I
V
CC
,
开放,总清除条件
数据线
时钟线
TEST引脚
电源电压
V
SS
CS0
CS1
CS2
SDA
SCL
TP
V
CC
半导体集团
85
SDE 2526
框图
半导体集团
86
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