SDD450
DC输入
光电达林顿
光电耦合器
描述
该SDD450由图片达林顿晶体管光耦合到发光二极管的。输入的LED之间的光耦合
和输出图片达林顿允许高隔离级别，同时保持低电平的直流信号的控制能力。该SDD450提供
控制多接口应用，如电信，工业控制和仪器仪表的光隔离的方法
电路。
特点
应用
高电流传输比（ CTR ： MIN 600 ％ ）
高输入到输出隔离电压（ 3750 Vrms的）
超小型4引脚SOP封装
高负载电压（ VCEO = 300V MIN ）
家电
办公自动化设备
电信/数据通信
电源
传真/调制解调器
选项/ SUFFIXES *
绝对最大额定值*
参数
储存温度
工作温度
单位
°C
°C
mA
A
V
mW
民
-40
-40
典型值
最大
125
100
50
1
6
170
-TR
磁带和卷轴
注意：上面列出的后缀不包括在标记上
设备部件号标识。
原理图
连续输入电流
瞬时输入电流
1
4
1.阳极
2.阴极
3.辐射源
4.收集
反向输入控制
电压
输出功率耗散
2
3
*显示的值是绝对的收视率的压力。的功能操作
设备未在这些或任何条件中超出所定义的隐含
本文档的电气特性部分。暴露在绝对
额定值可能会导致器件永久性损坏，可能不利
影响可靠性。
认证
UL / C- UL认证，文件号： E201932
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修订版1.40 （ 2004年10月25日）
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DC输入
光电达林顿
光电耦合器
电气特性 - 25℃
参数
输入特定网络阳离子
输入正向电压
峰值正向电压
反向电流
终端电容
V
V
A
pF
30
1.2
1.4
3.5
10
IF = 10毫安
IFM = 0.5A
VR = 4V
V = 0 ， F = 1kHz时
单位
民
典型值
最大
测试条件
输出规格
集电极 - 发射极击穿电压
暗电流
杂散电容
饱和电压
电流传输比
上升时间
下降时间
V
A
pF
V
%
s
s
600
1600
60
50
0.6
300
1
1
1
7500
300
250
IC = 10uA的
VCE = 10V ，如果= 0
VCE = 0V ， F = 1.0MHz的
IF = 20mA时， IC = 1毫安
如果= 1mA时的Vce = 2V
IC = 2毫安，的Vce = 2V ， RL = 100欧姆
IC = 2毫安，的Vce = 2V ， RL = 100欧姆
再加规格
隔离电压
绝缘电阻
截止频率
V
G
的kH
3750
50
7
IC = 2毫安， VCC = 5V ， RL = 100欧姆
T = 1分钟
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光电达林顿
光电耦合器
性能数据
SDD450
集电极 - 发射极饱和电压与正向电流
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD450
电流传输比与正向电流
N = 100 ，环境温度= 25°C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
电流传输比CTR （ ％ ）
正向电流I
F
（MA ）
环境
温度
的Ta （℃）
SDD450
集电极耗散功率与环境温度
N = 100
SDD450
集电极暗电流与环境温度
N = 100
集电极耗散功率PC（毫瓦）
环境温度Ta （C ）
集电极暗电流I
首席执行官
(A)
环境温度Ta （C ）
SDD450
正向电流与正向电压
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD450
正向电流与环境温度
正向电流I
F
（MA ）
正向电流I
F
（MA ）
正向电压V
F
(V)
环境温度Ta （C ）
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光电耦合器
性能数据
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集电极电流主场迎战
集电极 - 发射极电压
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD450
相对的
电流传输比主场迎战
环境温度
N = 100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
相对电流传输比（ ％ ）
集电极电流Ic （ mA）的
环境温度Ta （C ）
SDD450
集电极 - 发射极
饱和电压
- 环境温度
N = 100
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
SDD450
响应时间与负载电阻
N = 100 ，环境温度= 25°C
环境温度Ta （C ）
响应时间（我们）
负载阻抗R
L
（千欧）
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频率响应
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD450
峰值正向电流与占空比
N = 100 ，环境温度= 25°C
频率f（ kHz）的
最大正向电流I
FM
（MA ）
电压增益AV（分贝）
占空比
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DC输入
达林顿照片
光电耦合器
-
机械尺寸
4引脚小型封装
.275” ± 0.015”
(6.985 ± 0.4mm)
端视图
.170” ± 0.010”
(4.165 ± 0.3mm)
顶视图
.80” ± 0.005”
(1.96 ± 0.13mm)
后视图
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