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SDD320
二极管，二极管模块
3
TYPE
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
2
1
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
480
320
单位
A
I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
11500
12200
9600
10200
662000
620000
460000
430000
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-5/22-24
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
SDD320
二极管，二极管模块
符号
I
RRM
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
40
1.2
0.75
0.63
760
275
0.129
0.065
0.169
0.0845
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD320
二极管，二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度（每二极管）
图。 4单相整流桥：
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD320
SDD320
二极管，二极管模块
图。 5三相整流桥：
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD320
0.15
K / W
30°
DC
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳（每二极管）
R
thJC
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.129
0.131
0.132
0.132
0.133
Z
thJC
0.10
0.05
常量Z的
thJC
计算方法：
i
0
0.00
10
-3
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0165
0.1091
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
t
1
2
3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
图。 7瞬态热阻抗
交界处（每二极管）散热器
R
thJK
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.169
0.171
0.172
0.172
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Z
thJK
0.10
0.05
常量Z的
thJK
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0165
0.1091
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
1
2
3
4
0
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
t
SDD320
二极管，二极管模块
3
TYPE
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
2
1
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
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VJ
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VJM
V
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=0
测试条件
最大额定值
480
320
单位
A
I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
11500
12200
9600
10200
662000
620000
460000
430000
-40...+150
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-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
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o
C
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12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
SDD320
二极管，二极管模块
符号
I
RRM
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
40
1.2
0.75
0.63
760
275
0.129
0.065
0.169
0.0845
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD320
二极管，二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度（每二极管）
图。 4单相整流桥：
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD320
SDD320
二极管，二极管模块
图。 5三相整流桥：
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD320
0.15
K / W
30°
DC
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳（每二极管）
R
thJC
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.129
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0.132
0.132
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Z
thJC
0.10
0.05
常量Z的
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计算方法：
i
0
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10
-3
R
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（K / W）
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-2
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-1
10
0
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s
10
2
t
1
2
3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
图。 7瞬态热阻抗
交界处（每二极管）散热器
R
thJK
各种导通角D：
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
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thJK
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0165
0.1091
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
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0.00
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-1
10
0
10
1
s
10
2
t
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