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SDD320
二极管,二极管模块
3
TYPE
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
2
1
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
480
320
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
11500
12200
9600
10200
662000
620000
460000
430000
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-5/22-24
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M8 )
典型的包括螺钉
SDD320
二极管,二极管模块
符号
I
RRM
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
40
1.2
0.75
0.63
760
275
0.129
0.065
0.169
0.0845
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD320
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD320
SDD320
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD320
0.15
K / W
30°
DC
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.129
0.131
0.132
0.132
0.133
Z
thJC
0.10
0.05
常量Z的
thJC
计算方法:
i
0
0.00
10
-3
R
THI
(K / W)
0.0035
0.0165
0.1091
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
t
1
2
3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K / W)
0.169
0.171
0.172
0.172
0.173
Z
thJK
0.10
0.05
常量Z的
thJK
计算方法:
i
R
THI
(K / W)
0.0035
0.0165
0.1091
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
1
2
3
4
0
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
t
SDD320
二极管,二极管模块
3
TYPE
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
2
1
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
480
320
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
11500
12200
9600
10200
662000
620000
460000
430000
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-5/22-24
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M8 )
典型的包括螺钉
SDD320
二极管,二极管模块
符号
I
RRM
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
40
1.2
0.75
0.63
760
275
0.129
0.065
0.169
0.0845
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD320
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD320
SDD320
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD320
0.15
K / W
30°
DC
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.129
0.131
0.132
0.132
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Z
thJC
0.10
0.05
常量Z的
thJC
计算方法:
i
0
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10
-3
R
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(K / W)
0.0035
0.0165
0.1091
t
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0.0099
0.168
0.456
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
t
1
2
3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
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C
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(K / W)
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0.172
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Z
thJK
0.10
0.05
常量Z的
thJK
计算方法:
i
R
THI
(K / W)
0.0035
0.0165
0.1091
0.04
t
i
(s)
0.0099
0.168
0.456
1.36
1
2
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2
t
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SDD320N08
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电话:13311626995
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地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
SDD320N08
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全新原装,原厂渠道现货
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地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
SDD320N08
矽莱克Sirectifer
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全新原装,原厂渠道现货
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
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标准封装
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
SDD320N08
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SDD320N08
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module
全新原装正品/质量有保证
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
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厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥
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联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
SDD320N08
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
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385
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上海原装现货,专营模块
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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矽莱克
2024
116
MOUDLE
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