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SDD120
二极管,二极管模块
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
TYPE
SDD120N08
SDD120N12
SDD120N14
SDD120N16
SDD120N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=105
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
180
120
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
2800
3300
2500
2750
39200
45000
31200
31300
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-4/22-35
2.5-4/22-35
90
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
典型的包括螺钉
SDD120
二极管,二极管模块
符号
I
R
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
15
1.43
0.75
1.95
170
45
0.26
0.13
0.46
0.23
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 50A ; -di / DT = 6A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD120
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD120
SDD120
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD120
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.26
0.28
0.30
0.34
0.38
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.175
t
i
(s)
0.0012
0.047
0.394
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K / W)
0.46
0.48
0.50
0.54
0.58
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.175
0.2
t
i
(s)
0.0012
0.047
0.394
1.32
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SDD120
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