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首字符S的型号第1084页
> SDD100N18
SDD100
二极管,二极管模块
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
TYPE
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
180
100
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
1700
1950
1540
1800
14450
15700
11850
13400
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-4/22-35
2.5-4/22-35
90
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
典型的包括螺钉
SDD100
二极管,二极管模块
符号
I
R
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
15
1.6
0.8
2.3
170
45
0.35
0.175
0.55
0.275
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 50A ; -di / DT = 3A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD100
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD100
SDD100
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD100
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.35
0.37
0.39
0.43
0.47
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K / W)
0.55
0.57
0.59
0.63
0.67
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
0.2
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
1.32
SDD100
二极管,二极管模块
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
TYPE
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
1200
1400
1600
1800
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
测试条件
最大额定值
180
100
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
1700
1950
1540
1800
14450
15700
11850
13400
-40...+150
150
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
o
C
3000
3600
2.5-4/22-35
2.5-4/22-35
90
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
典型的包括螺钉
SDD100
二极管,二极管模块
符号
I
R
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
15
1.6
0.8
2.3
170
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0.35
0.175
0.55
0.275
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
VJ
=125
o
℃;我
F
= 50A ; -di / DT = 3A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD100
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD100
SDD100
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD100
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.35
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0.39
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0.47
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K / W)
0.55
0.57
0.59
0.63
0.67
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
0.2
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
1.32
SDD100
二极管,二极管模块
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
TYPE
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
V
RSM
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
800
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1800
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
T
VJ
=T
VJM
T
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=100
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o
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T
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=45
o
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VJM
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=45
o
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R
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VJ
=T
VJM
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R
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最大额定值
180
100
单位
A
I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
1700
1950
1540
1800
14450
15700
11850
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-40...+150
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-40...+125
A
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2
dt
A
2
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T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
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重量
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
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3000
3600
2.5-4/22-35
2.5-4/22-35
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V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
典型的包括螺钉
SDD100
二极管,二极管模块
符号
I
R
V
F
V
TO
r
T
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个二极管;直流电流
每个模块
每个二极管;直流电流
每个模块
T
VJ
=T
VJM
; V
R
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RRM
I
F
= 300A ;吨
VJ
=25
o
C
测试条件
特征值
15
1.6
0.8
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50
单位
mA
V
V
m
uC
A
K / W
K / W
mm
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M / S
2
对于只功率损耗计算
T
VJ
=T
VJM
T
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=125
o
℃;我
F
= 50A ; -di / DT = 3A /美
表面爬电距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*供应直流电源设备
* DC电源的PWM逆变器
*现场供电的直流电动机
*电池直流电源
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
SDD100
二极管,二极管模块
图。 1浪涌过载电流
I
FSM
:峰值,T :时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化(1-10毫秒)
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与
正向电流和环境
温度(每二极管)
图。 4单相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
R =阻性负载
L =感性负载
2× SDD100
SDD100
二极管,二极管模块
图。 5三相整流桥:
功耗与直接
输出电流和环境
温度
3× SDD100
图。 6瞬态热阻抗
结到外壳(每二极管)
R
thJC
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
(K / W)
0.35
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0.39
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0.47
常量Z的
thJC
计算方法:
i
1
2
3
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
t
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(s)
0.0014
0.062
0.375
图。 7瞬态热阻抗
交界处(每二极管)散热器
R
thJK
各种导通角D:
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
(K / W)
0.55
0.57
0.59
0.63
0.67
常量Z的
thJK
计算方法:
i
1
2
3
4
R
THI
(K / W)
0.013
0.072
0.265
0.2
t
i
(s)
0.0014
0.062
0.375
1.32
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S553-1506-AE
SMB28
S71PL254J0ABFW9Z3
ST92F120JR9Q7
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SPUD-001T-P0.5
SMTT-100H-22
SMCG16
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S71WS512NE0BFEZZ0
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SN75C189AN
SST89V58RD2-40-I-NI
SGM2013N
SLP223M010C5P3
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型号
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联系人:薛女士
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1041
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全新原装现货原盒原标实拍 型号齐全欢迎询价
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联系人:李先生 李小姐
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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2024
205
MOUDLE
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QQ:173779730
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电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
SDD100N18
SIRECTIFIER
19+
910
MODULE
原装现货 量大可订货 欢迎询价
上海熠富电子科技有限公司
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QQ:2300949663
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QQ:2719079875
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SDD100N18
矽莱克
2024
126
MOUDLE
原装现货上海库存,欢迎查询
瀚佳科技(深圳)有限公司
QQ:
QQ:3539722974
复制
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