S DP / B 55N02
S amHop微电子 ORP 。
2004年5月了Ver.1.1
N沟道é nhancement模式域E ffect晶体管
4
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
20V
F ê乌尔（E S）
最大
I
D
32A
R
DS （ ON） （M
W
)
S UPER高密度电池设计极低R DS （ ON） 。
高功率和电流处理能力。
的TO-220 &的TO- 263封装。
19 @ V
的s
= 4.5V
D
D
G
D
S
G
S
G
S DP性S E IE S
TO-220
S DB性S E IE S
TO- 263 （ DD -P AK ）
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （ TC = 25℃除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
@ TJ = 125℃
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
12
23
57
55
75
-65 175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
R
JC
R
JA
1
2
62.5
C / W
C / W
S DP / B 55N02
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
b
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= 8V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 21A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 26A
最小典型最大单位
20
10
V
uA
100 nA的
0.9
1
14
40
53
1100
600
180
1.5
19
V
兆欧
C
4
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
b
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GS
= 10V
R
GE
= 6
欧姆
50
62.5
200
89
18.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ，我
D
= 30A,
V
GS
=4.5V
2
5.3
2.2
S DP / B 55N02
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
4
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 26A
最小典型最大单位
0.9
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
80
70
75
-55 C
60
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
I
D
，排水光凭目前 （A ）
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
I
D
，排水光凭目前 （A ）
45
30
25 C
V
的s
=3V
15
T
J
=125 C
0
0
1
2
3
4
5
6
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
3000
F igure 2.跨FER haracteris抽动
1.60
R
DS （ ON）
归一化
漏-S环境允许在-R es是tance
2500
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
I
D
=26A
V
的s
=10V
C，C apacitance （PF ）
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
C为S
OS s
RS s
0.40
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance变化
随温度
3
S DP / B 55N02
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50 -25
0
25 50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
-50 -25
I
D
=250uA
4
0
25
50
75 100 125 150
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
50
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
50
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
40
30
20
V
DS
=10V
10
0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
60
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
8
6
4
2
0
0
3
V
DS
=10V
I
D
=30A
10
R
D
S
(
)
ON
升IM
it
1m
10
10
0m
s
ms
10
0
μ
s
s
DC
1
0.1
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
1
10
30
60
6
9
12
15
18
21
24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S DP / B 55N02
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
S英格尔P ULS ê
0.01
0.01
1.
2.
3.
4.
1
10
100
P
DM
t
1
t
2
R
θJ
C
（吨） = R （t）的R *
θJ
C
R
θJ
C
= S EE资料中HEET
T
M-
T
C
= P * R
θJ
C
(t)
值班 ycle ， D = T1 / T2
1000
10000
0.1
S单方波P ULS 持续时间（毫秒EC ）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2880707522 复制
