【半导体SDB3101肖特基二极管特点低功耗整流硅外延型高可靠性订购信息型号SDB3101记号DB1封】,IC型号SDB3101_1,SDB3101_1 PDF资料,SDB3101_1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

SDB3101

肖特基二极管

特点

低功耗整流

硅外延型

高可靠性

订购信息

型号

SDB3101

记号

DB1

封装代码

SOT-23

外形尺寸

单位：

mm

2.4±0.1

1.30±0.1

1

1.90典型。

3

2

0.4 TYP 。

0.45~0.60

2.9±0.1

3

1

0.2 MIN 。

2

1.12最大。

KSD-2030-000

0.124

引脚连接

1.阳极

2. NC

3.阴极

0.38

0~0.1

-0.03

+0.05

1

SDB3101

绝对最大额定值

特征

反向电压

重复峰值正向电流

正向电流

非重复性峰值正向电流（ 10毫秒）

功耗

结温

储存温度

Ta=25°C

符号

V

R

I

FRM *

I

F

I

FSM

P

D

T

j

T

英镑

评级

30

0.5

0.2

2

150

150

-55 ~ 150

单位

V

A

A

A

mW

°C

°C

* :

δ

= D / T = 0.33

(T<1S)

电气特性

特征

正向电压1

正向电压2

反向电流

总电容

反向恢复时间

Ta=25°C

°

符号

V

F(1)

V

F(2)

I

R

C

T

t

rr

I

F

=10m

A

I

F

=30mA

V

R

=30V

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.4

0.5

1

10

5

单位

V

V

A

pF

ns

V

R

= 1V ， F = 1MHz的

I

F

= I

R

= 10毫安，我

RR

= 1毫安，R

L

=100

KSD-2030-000

2

SDB3101

电气特性曲线

图。 1 I

F

-V

F

图。 2我

R

-V

R

图。的3C

T

-V

R

KSD-2030-000

3

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