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SDB06S60
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
功率因数理想二极管
校正可达1200W
1)
无远期恢复
的thinQ !
SiC肖特基二极管
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
600
21
6
D2PAK
V
nC
A
TYPE
SDB06S60
D2PAK
订购代码
Q67040-S4370
记号
D06S60
销1
销2
3脚
北卡罗来纳州
C
A
最大额定值,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
价值
6
8.4
21.5
28
60
2.3
600
600
57.6
-55... +175
单位
A
I
F
I
疲劳风险管理
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗,
T
C
=25°C
工作和存储温度
As
V
W
°C
修订版2.0
第1页
2005-02-17
SDB06S60
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
P- TO263-3-2 : @分钟。脚印
P- TO263-3-2 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
P- TO252-3-1 : @分钟。脚印
P- TO252-3-1 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
典型值。
-
-
-
35
-
-
马克斯。
2.6
62
62
-
75
50
单位
-
-
-
-
-
-
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=6A,
T
j
=25°C
I
F
=6A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
20
50
1.7
2.1
A
200
1000
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
1CCM,
V
= 85VAC ,
T
= 150°C,
T
=100°C,
η
= 93%,
I
= 30%
IN
j
C
IN
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
修订版2.0
第2页
2005-02-17
SDB06S60
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
单位
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
典型值。
21
不适用
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
-
-
-
300
20
15
-
-
-
修订版2.0
第3页
2005-02-17
SDB06S60
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
6.5
W
50
45
A
5.5
5
4.5
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
I
F
°C
180
T
C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
3典型。正向特性
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 s
12
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F( AV) =
f
(I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
W
28
A
10
9
8
P
F( AV )
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
I
F
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
V
V
F
2.5
0
0
2
4
6
8
A
12
I
F( AV )
修订版2.0
第4页
2005-02-17
SDB06S60
5典型。反向电流与反向电压
I
R
=
f
(V
R
)
10
2
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
1
SDP06S60
A
10
1
K / W
10
0
Z
thJC
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
-1
I
R
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-3
单脉冲
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
600
V
R
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C
=
f
(V
R
)
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
3.5
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
250
J
pF
2.5
150
C
E
C
2
1.5
1
0.5
1
2
3
10
V
V
R
100
50
0
0
10
10
10
0
0
100
200
300
400
V
V
R
600
修订版2.0
第5页
2005-02-17
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
功率因数理想二极管
校正可达1200W
1)
无远期恢复
P-TO220-2-2.
的thinQ ! SiC肖特基二极管
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
P-TO220-3.SMD
600
21
6
P-TO220-3-1.
V
nC
A
TYPE
SDP06S60
SDB06S60
SDT06S60
P-TO220-3-1.
P-TO220-2-2.
订购代码
Q67040-S4371
Q67040-S4446
记号
D06S60
D06S60
D06S60
销1
北卡罗来纳州
销2
C
3脚
A
P- TO220-3.SMD Q67040 - S4370
北卡罗来纳州
C
A
C
价值
6
8.4
21.5
28
60
2.3
600
600
57.6
A
单位
A
最大额定值,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
符号
参数
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
I
F
I
疲劳风险管理
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
∫i
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗,
T
C
=25°C
工作和存储温度
As
V
W
°C
-55... +175
修订版2.0
第1页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
P- TO263-3-2 : @分钟。脚印
P- TO263-3-2 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
P- TO252-3-1 : @分钟。脚印
P- TO252-3-1 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
典型值。
-
-
-
35
-
-
马克斯。
2.6
62
62
-
75
50
单位
-
-
-
-
-
-
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=6A,
T
j
=25°C
I
F
=6A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
20
50
1.7
2.1
A
200
1000
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
1CCM,
V
= 85VAC ,
T
= 150°C,
T
=100°C,
η
= 93%,
I
= 30%
IN
j
C
IN
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
修订版2.0
第2页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
单位
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
典型值。
21
不适用
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
-
-
-
300
20
15
-
-
-
修订版2.0
第3页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
6.5
W
50
45
A
5.5
5
4.5
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
I
F
°C
180
T
C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
3典型。正向特性
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 s
12
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F( AV) =
f
(I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
W
28
A
10
9
8
P
F( AV )
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
I
F
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
V
V
F
2.5
0
0
2
4
6
8
A
12
I
F( AV )
修订版2.0
第4页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
5典型。反向电流与反向电压
I
R
=
f
(V
R
)
10
2
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
1
SDP06S60
A
10
1
K / W
10
0
Z
thJC
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
-1
I
R
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-3
单脉冲
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
600
V
R
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C
=
f
(V
R
)
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
3.5
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
250
J
pF
2.5
150
C
E
C
2
1.5
1
0.5
1
2
3
10
V
V
R
100
50
0
0
10
10
10
0
0
100
200
300
400
V
V
R
600
修订版2.0
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2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
功率因数理想二极管
校正可达1200W
1)
无远期恢复
P-TO220-2-2.
的thinQ ! SiC肖特基二极管
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
P-TO220-3.SMD
600
21
6
P-TO220-3-1.
V
nC
A
TYPE
SDP06S60
SDB06S60
SDT06S60
P-TO220-3-1.
P-TO220-2-2.
订购代码
Q67040-S4371
Q67040-S4446
记号
D06S60
D06S60
D06S60
销1
北卡罗来纳州
销2
C
3脚
A
P- TO220-3.SMD Q67040 - S4370
北卡罗来纳州
C
A
C
价值
6
8.4
21.5
28
60
2.3
600
600
57.6
A
单位
A
最大额定值,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
符号
参数
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
I
F
I
疲劳风险管理
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
∫i
2
dt
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗,
T
C
=25°C
工作和存储温度
As
V
W
°C
-55... +175
修订版2.0
第1页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
P- TO263-3-2 : @分钟。脚印
P- TO263-3-2 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
P- TO252-3-1 : @分钟。脚印
P- TO252-3-1 : @ 6厘米
2
散热面积
2)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
典型值。
-
-
-
35
-
-
马克斯。
2.6
62
62
-
75
50
单位
-
-
-
-
-
-
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=6A,
T
j
=25°C
I
F
=6A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
20
50
1.7
2.1
A
200
1000
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
1CCM,
V
= 85VAC ,
T
= 150°C,
T
=100°C,
η
= 93%,
I
= 30%
IN
j
C
IN
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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第2页
2004-03-23
SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
单位
马克斯。
-
-
nC
ns
pF
典型值。
21
不适用
Q
c
t
rr
C
-
-
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=6A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=0V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
-
-
-
300
20
15
-
-
-
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SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
6.5
W
50
45
A
5.5
5
4.5
P
合计
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
I
F
°C
180
T
C
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
3典型。正向特性
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 s
12
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F( AV) =
f
(I
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/
T
W
28
A
10
9
8
P
F( AV )
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
I
F
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
V
V
F
2.5
0
0
2
4
6
8
A
12
I
F( AV )
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SDP06S60 , SDB06S60
SDT06S60
5典型。反向电流与反向电压
I
R
=
f
(V
R
)
10
2
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
1
SDP06S60
A
10
1
K / W
10
0
Z
thJC
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
-1
I
R
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-3
单脉冲
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
600
V
R
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C
=
f
(V
R
)
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
3.5
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
250
J
pF
2.5
150
C
E
C
2
1.5
1
0.5
1
2
3
10
V
V
R
100
50
0
0
10
10
10
0
0
100
200
300
400
V
V
R
600
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