固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SDA669系列
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SDA669 __ _F_ __ __
│ │ │ └
引脚弯曲
3/
__
=直导线
│ │ │
UB =向上弯曲
│ │ │
DB =向下弯曲
│ │ │
│ │ └
码头
2/ 3/
_
铜导线
│ │
T =转塔码头
│ │
│ └
速度
F
=快速（ 250 ns的典型值）。
│
└
电压
J
= 600 V
K = 800 V
M = 1000V
30A / 600 - 1000V
三相桥式
整流器组件
产品特点：
高达1000 V阻断电压
平均输出电流30安培
低反向漏电流
构建了无空洞，密封式分立器件
采用铝合金外壳最大热导率
小尺寸封装（ 1.500 X 0.875 X 0.310 “ ）
TX和TXV &太极拳水平屏蔽可用
超快速（ 70ns的）可用的版本。联系厂家
最大额定值
符号
价值
单位
重复峰值和反向电压浪涌峰值
平均正向电流整流
4/
（阻性负载， 60 Hz的正弦波，T
C
= 55
°C
)
峰值浪涌电流
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波，T
A
= 25
°C,
每腿
)
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
SDA669 （ __ ）
SDA669J
SDA669K
SDA669M
V
RRM
V
RSM
V
R
Io
I
FSM
热门& TSTG
R
θJC
600
800
1000
30
150
-55到+150
1.0
伏
安培
安培
C
摄氏度/ W
1
SDA669 （ T）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RA0026C
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
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SDA669系列
电气特性
5/
正向电压降
(T
A
= 25 ° C， 300 - 500微秒脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
, T
A
= 25℃ ， 300微秒脉冲最小值）
反向漏电流
（额定V
R
, T
A
= 100℃ ， 300微秒脉冲最小值）
反向恢复时间
(T
A
= 25 ° C，I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
RR
= 0.25A)
注意事项：
*
1/
2/
3/
4/
5/
脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
有关订购信息，价格和可用性工厂联系。
对于包装纲要工厂联系。
向上和向下弯曲配置可用于“__” （引线）封装只。
线性降额在0.28A / C对于T
C
> 55 ℃。
除非另有说明，所有电气特性@ 25C 。
符号
I
F
= 3A
I
F
= 9A
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
t
RR
民
––
––
––
––
典型值
––
––
––
250
最大
1.15
1.30
5
60
325
单位
V
DC
A
A
纳秒
可用型号：
SDA669JF ; SDA669JFT
SDA669KF ; SDA669KFT
SDA669MF ; SDA669MFT
安装图：
2/
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
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SDA669系列
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SDA669 __ _F_ __ __
│ │ │ └
引脚弯曲
3/
__
=直导线
│ │ │
UB =向上弯曲
│ │ │
DB =向下弯曲
│ │ │
│ │ └
码头
2/ 3/
_
铜导线
│ │
T =转塔码头
│ │
│ └
速度
F
=快速（ 250 ns的典型值）。
│
└
电压
J
= 600 V
K = 800 V
M = 1000V
30A / 600 - 1000V
三相桥式
整流器组件
产品特点：
高达1000 V阻断电压
平均输出电流30安培
低反向漏电流
构建了无空洞，密封式分立器件
采用铝合金外壳最大热导率
小尺寸封装（ 1.500 X 0.875 X 0.310 “ ）
TX和TXV &太极拳水平屏蔽可用
超快速（ 70ns的）可用的版本。联系厂家
最大额定值
符号
价值
单位
重复峰值和反向电压浪涌峰值
平均正向电流整流
4/
（阻性负载， 60 Hz的正弦波，T
C
= 55
°C
)
峰值浪涌电流
（ 8.3毫秒脉冲，半正弦波，T
A
= 25
°C,
每腿
)
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
SDA669 （ __ ）
SDA669J
SDA669K
SDA669M
V
RRM
V
RSM
V
R
Io
I
FSM
热门& TSTG
R
θJC
600
800
1000
30
150
-55到+150
2.0
伏
安培
安培
C
摄氏度/ W
1
SDA669 （ T）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： RA0026D
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SDA669系列
电气特性
5/
符号
I
F
= 3A
I
F
= 9A
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
t
RR
民
––
––
––
––
典型值
––
––
––
250
最大
1.15
1.30
5
60
325
单位
V
DC
A
A
纳秒
正向电压降
(T
A
= 25 ° C， 300 - 500微秒脉冲）
反向漏电流
（额定V
R
, T
A
= 25℃ ， 300微秒脉冲最小值）
反向漏电流
（额定V
R
, T
A
= 100℃ ， 300微秒脉冲最小值）
反向恢复时间
(T
A
= 25 ° C，I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
RR
= 0.25A)
注意事项：
*
1/
2/
3/
4/
5/
脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
有关订购信息，价格和可用性工厂联系。
对于包装纲要工厂联系。
向上和向下弯曲配置可用于“__” （引线）封装只。
线性降额在0.28A / C对于T
C
> 55 ℃。
除非另有说明，所有电气特性@ 25C 。
可用型号：
SDA669JF ; SDA669JFT
SDA669KF ; SDA669KFT
SDA669MF ; SDA669MFT
安装图：
2/
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