肖特基二极管阵列
第2期 - 1998年1月
设备描述
该SDA32肖特基势垒二极管阵列是
设计，以减少对高反射噪声
速并行数据线。
该器件有助于抑制引起的瞬态
通过传输线反射，串扰和
开关噪声。
的SDA32由16个高的阵列的
适用于高速肖特基二极管对
钳位到V
CC
和/或GND。
SDA32
特点
减少反射噪声
重复峰值正向电流 -
200mA
16二极管对
SO20和DIL20包
应用
终止的数据线
保护的存储器装置
原理图
D01 D02 D03 D04 D05 D06 D07 D08 D09 D10 D11 D12 D13 D14 D15 D16 V
CC
V
CC
GND GND
4-11
SDA32
绝对最大额定值（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） *
稳态反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流（ 3 ）
7V
50mA(1)
170mA(2)
200mA(1)
1A(2)
连续总功率耗散（ 4 ） 625mW
（ SO和DIL封装）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至70℃
-65 ℃150℃
*超出上述强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有额定值和器件在这些功能操作或超出任何其它条件
推荐的工作条件下，表示是不是暗示。暴露在绝对
对于长时间的最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
注意：
（ 1 ）从GND或V任何D端子
CC
（ 2 ）总通过所有GND或V
CC
码头
（ 3 ）这些值适用于吨
W
= 100μS ，占空比
≤
20%
（ 4）操作25°C以上，减免线性为6.25mW / ℃的速率
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
单二极管工作
参数
静态正向电压
符号
V
F
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
到V
CC
, I
F
=18mA
到V
CC
, I
F
=50mA
从GND ，我
F
=18mA
从GND ，我
F
=50mA
I
F
=200mA
到V
CC
,V
R
=7V
从GND ，V
R
=7V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
0.85
1.05
0.75
0.95
1.05
1.3
0.95
1.2
6
5
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
V
FM
I
R
C
T
1.45
6
4
16
6
注意：
（5）试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不会在测试的
这些特性的测量期间断路。
多个二极管操作
参数
内部串扰电流
符号
I
X
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
我总
F
=1A (6)
我总
F
= 198毫安（ 6 ）
0.8
0.02
2
0.2
mA
mA
注意：
(6) I
X
用一个二极管静态下列条件，和所有其他的开关下进行测定。
开关二极管：吨
W
= 100μS ，占空比= 0.2 ;静态二极管; V
R
= 5V 。静态二极管输入电流是
内部串扰电流I
X
.
4-12
肖特基二极管阵列
第2期 - 1998年1月
设备描述
该SDA32肖特基势垒二极管阵列是
设计，以减少对高反射噪声
速并行数据线。
该器件有助于抑制引起的瞬态
通过传输线反射，串扰和
开关噪声。
的SDA32由16个高的阵列的
适用于高速肖特基二极管对
钳位到V
CC
和/或GND。
SDA32
特点
减少反射噪声
重复峰值正向电流 -
200mA
16二极管对
SO20和DIL20包
应用
终止的数据线
保护的存储器装置
原理图
D01 D02 D03 D04 D05 D06 D07 D08 D09 D10 D11 D12 D13 D14 D15 D16 V
CC
V
CC
GND GND
4-11
SDA32
绝对最大额定值（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） *
稳态反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流（ 3 ）
7V
50mA(1)
170mA(2)
200mA(1)
1A(2)
连续总功率耗散（ 4 ） 625mW
（ SO和DIL封装）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至70℃
-65 ℃150℃
*超出上述强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有额定值和器件在这些功能操作或超出任何其它条件
推荐的工作条件下，表示是不是暗示。暴露在绝对
对于长时间的最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
注意：
（ 1 ）从GND或V任何D端子
CC
（ 2 ）总通过所有GND或V
CC
码头
（ 3 ）这些值适用于吨
W
= 100μS ，占空比
≤
20%
（ 4）操作25°C以上，减免线性为6.25mW / ℃的速率
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
单二极管工作
参数
静态正向电压
符号
V
F
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
到V
CC
, I
F
=18mA
到V
CC
, I
F
=50mA
从GND ，我
F
=18mA
从GND ，我
F
=50mA
I
F
=200mA
到V
CC
,V
R
=7V
从GND ，V
R
=7V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
0.85
1.05
0.75
0.95
1.05
1.3
0.95
1.2
6
5
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
V
FM
I
R
C
T
1.45
6
4
16
6
注意：
（5）试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不会在测试的
这些特性的测量期间断路。
多个二极管操作
参数
内部串扰电流
符号
I
X
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
我总
F
=1A (6)
我总
F
= 198毫安（ 6 ）
0.8
0.02
2
0.2
mA
mA
注意：
(6) I
X
用一个二极管静态下列条件，和所有其他的开关下进行测定。
开关二极管：吨
W
= 100μS ，占空比= 0.2 ;静态二极管; V
R
= 5V 。静态二极管输入电流是
内部串扰电流I
X
.
4-12
肖特基二极管阵列
第2期 - 1998年1月
设备描述
该SDA32肖特基势垒二极管阵列是
设计，以减少对高反射噪声
速并行数据线。
该器件有助于抑制引起的瞬态
通过传输线反射，串扰和
开关噪声。
的SDA32由16个高的阵列的
适用于高速肖特基二极管对
钳位到V
CC
和/或GND。
SDA32
特点
减少反射噪声
重复峰值正向电流 -
200mA
16二极管对
SO20和DIL20包
应用
终止的数据线
保护的存储器装置
原理图
D01 D02 D03 D04 D05 D06 D07 D08 D09 D10 D11 D12 D13 D14 D15 D16 V
CC
V
CC
GND GND
4-11
SDA32
绝对最大额定值（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） *
稳态反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流（ 3 ）
7V
50mA(1)
170mA(2)
200mA(1)
1A(2)
连续总功率耗散（ 4 ） 625mW
（ SO和DIL封装）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
0至70℃
-65 ℃150℃
*超出上述强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有额定值和器件在这些功能操作或超出任何其它条件
推荐的工作条件下，表示是不是暗示。暴露在绝对
对于长时间的最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
注意：
（ 1 ）从GND或V任何D端子
CC
（ 2 ）总通过所有GND或V
CC
码头
（ 3 ）这些值适用于吨
W
= 100μS ，占空比
≤
20%
（ 4）操作25°C以上，减免线性为6.25mW / ℃的速率
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
单二极管工作
参数
静态正向电压
符号
V
F
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
到V
CC
, I
F
=18mA
到V
CC
, I
F
=50mA
从GND ，我
F
=18mA
从GND ，我
F
=50mA
I
F
=200mA
到V
CC
,V
R
=7V
从GND ，V
R
=7V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
0.85
1.05
0.75
0.95
1.05
1.3
0.95
1.2
6
5
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
峰值正向电压
静态反向电流
总电容
V
FM
I
R
C
T
1.45
6
4
16
6
注意：
（5）试验条件和限制单独地应用到每个二极管。二极管不会在测试的
这些特性的测量期间断路。
多个二极管操作
参数
内部串扰电流
符号
I
X
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
我总
F
=1A (6)
我总
F
= 198毫安（ 6 ）
0.8
0.02
2
0.2
mA
mA
注意：
(6) I
X
用一个二极管静态下列条件，和所有其他的开关下进行测定。
开关二极管：吨
W
= 100μS ，占空比= 0.2 ;静态二极管; V
R
= 5V 。静态二极管输入电流是
内部串扰电流I
X
.
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