非易失性存储器1 - Kbit的é
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舞会
SDA 2516-5
初步数据
MOS IC
特点
q
文字组织可重编程非易失性存储器
q
q
q
q
q
q
q
q
q
n沟道浮栅技术(E
2
舞会)
128
×
8位组织
电源电压5 V
串行2线总线,用于数据输入和输出(I
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C总线)
重新编程模式, 10毫秒擦除/写周期
通过片内控制手段重新编程(无
外部控制)
检查编程过程结束
数据保留> 10年
超过10
4
每个地址重新编程周期
兼容于SDA 2516例外:
条件总擦除和电流消耗
I
CC
.
订购代码
Q67100-H5092
P-DIP-8-1
TYPE
SDA 2516-5
包
P-DIP-8-1
电路描述
I
2
C总线接口
该
I
2
C总线是双向双线总线进行数据的各种集成电路之间传输。
它包含了一个串行数据线SDA和串行时钟线SCL的。数据线需要一个外部
上拉电阻
V
CC
(开漏输出级) 。
的可能的运行状态
I
2
C总线示于
图1 。
在静止状态下,既
线SDA和SCL为高,即数据线的输出级处于关闭状态。只要一个SCL保持
"1" ,信息在数据总线上的变化指示开始或这两者之间的数据传送的结束
组件。
从"1" "0"到SDA上的过渡是一个开始状态,从"0"到"1"停止转换
条件。在一次数据传输中的数据总线上的信息将仅改变而在时钟线
SCL为"0". SDA上的信息是有效的,只要SCL为"1" 。
在与结合
I
2
C总线系统,存储器组件可以作为一个接收机和一个操作
发射器(从接收器或从发送器) 。起始和停止条件之间,信息是
在字节组织形式总是传送。在第八个时钟脉冲的后缘之间,并
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07.94
SDA 2516-5
第九应答时钟脉冲,内存组件设置SDA线低的确认
接待的,如果片选条件已经具备。在数据的输出时,数据输出
记忆是高阻抗,在第九个时钟脉冲(确认主) 。
所需的操作信号时序
I
2
C总线总结于
图2中。
的控制功能
I
2
C总线
存储器组件通过经由所述控制器(主)控制
I
2
在两种操作C总线
模式:读出周期,并重新编程周期,包括擦除和写入到存储器的地址。
在两种操作模式下,控制器,如发射机,必须提供3个字节和附加
启动条件之后应答时钟脉冲的公交车。在内存的读取,至少有九个
额外的时钟脉冲都需要接受来自存储器和应答数据
主人,之前停止条件可能随之而来。在编程的情况下,活性的编程
过程中只用输入数据后停止状态开始
(请参见图3)。
片选字包含了3片选位CS0 , CS1和CS2 ,从而使8个内存
芯片可以并联连接。片选时实现三个控制位逻辑
对应于选择输入选定的条件。
检查编程编程过程中或流产结束
如果芯片通过输入CS / E活性的重编程过程中寻址,编程过程
被终止。然而,如果它是由输入的CS / A处理,该条目将被忽略。只有在
程序已终止意志, CS / A芯片的响应。这允许用户检查
无论是编程过程的末尾已到达
(请参见图3)。
存储器读
前两个控制字CS / E和WA ,启动条件和复位输入后,
第三个控制字CS / A的输入,存储设置随时阅读。在应答时钟
9 ,存储信息被传在并行模式下的移位寄存器。随后向
尾随应答时钟的边沿时,数据输出是低阻抗和所述第一数据位可
进行采样,
(参见图4) 。
随着每一个移位时钟,一个额外的位达到输出。读一个字节,内部地址后
当主机接收过程中切换数据线为“低”计数器会自动递增
第九个时钟(确认主站) 。任何数量的存储单元可以由此之后读取一个
另一个。地址为128 ,是不是开始溢出到地址0 。在停止状态,则数据
输出恢复到高阻态。存储器组件的内部的顺序控制
从读复位到静止的停止条件。
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SDA 2516-5
内存重新编程
一个存储器字的重新编程循环包括擦除和随后的写入处理。
在擦除,所有8位所选择的字都被设置为"1"状态。在写, "0"状态是
根据在内部数据寄存器中的信息,根据所述第三输入而产生,即
控制字。
第27届和控制字输入的最后一个时钟后,主动编程过程开始
由停止状态。活动的重编程过程是在片内控制执行。
需要进行重新编程的时间取决于组分偏差和数据模式。
因此,具有额定电源电压,擦除/写过程延伸过最大20毫秒,或更
典型地, 10毫秒。在数据字的输入的情况下,不写入请求(写请求被定义为数据
在数据位的寄存器设置为“0” ),则写入过程被抑制,编程时间为
缩短。在一个已经被擦除的存储器地址的后续编程,擦除
过程被再次压制,从而使重编程时间也缩短了。
重要提示:接通模式和芯片复位
电源电压后
V
DD
已被连接时,数据输出将处于高阻抗
模式。作为一项规则,
第一操作模式
为输入,应该是
读一个字的过程
地址。
由于内置的“上电复位”电路的结果,编程要求会不会
电源电压后,立即接受了已被打开。
总擦除
输入控制字CS / E ,装入地址寄存器地址为0和数据寄存器FF
(十六进制)来擦除存储器的整个内容。切换输入CS2 “打开”前夕
产生停止条件。随后停止条件触发一个总清除。上
终止“总清除”的, CS2 ,必须重新连接到为0 V或
≥
4.5 V.
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