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SD820T~SD8150T
表面贴装肖特基二极管
8安培
当前
电压
20至150伏特
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
低功耗,高效率
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
.307(7.8)
.283(7.2)
.225(5.7)
.209(5.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
TO-251AB
单位:英寸(毫米)
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
MECHANICALDATA
案例: TO- 251AB模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 202G ,方法208焊
极性:标记
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
重量:0.015盎司, 0.4克。
.032(0.8)
.012(0.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.02(0.5)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " ( 9 5 M M )
L E A D L E毫微吨小时的吨T C = 8 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T 8 。 0
米喜米庵DCR ê已经RSE C-UR重新NT TJ = 2 5
O
C
为R ated DCB locki吴V oltage TJ = 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 昂
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G -
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FS M
V
F
0 .5 5
SD820T
20
14
20
SD830T
30
21
30
SD840T
40
28
40
SD850T
50
35
50
8
150
0 .7 5
0 .5
50
6
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
O
SD860T
60
42
60
SD880T
80
56
80
SD8100T SD8150T
100
70
100
150
105
150
加利它s
V
V
V
A
A
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
J
, T
s TG
C / W
O
C
C
O
REV.0-MAR.8.2005
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
平均正向电流
安培
10
8
6
4
2
0
峰值正向浪涌电流
安培
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
O
150
外壳温度,C
1
2
5
10
20
50
100
NO 。周期在60Hz
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-最大 - 非重复浪涌电流
10
瞬时反向电流,毫安
40
正向电流
安培
50V~60V
20V~40V
1.0
T
J
=100 C
O
10
8
6
4
2
1.0
.8
.6
.4
.2
.1
.3
.4
.5
.6
.7
80V~100V
0.1
T
J
=75 C
O
0.01
T
J
=25 C
O
0.001
.8
.9
1.0
20
40
60
80
100
120
140
百分之瞬时反向电压( % )
正向电压,伏
FIG.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
特征
REV.0-MAR.8.2005
PAGE 。 2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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