SD820T直通SD8100T
肖特基势垒整流器
电压 - 20至100伏特，电流 - 8.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
对于彻底孔应用
薄型封装
内置应变救灾
金属硅整流多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低V
F
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用，
极性保护应用
高温焊接保证： 260℃ / 10秒码头
2
TO-251AB
4
1
3
机械数据
案例： TO- 251AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带为负极
重量：0.015盎司， 0.4克。
3
2
4
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
电阻性或电感性负载。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=75
o
C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在8.0A最大正向电压
（注1 ）
最大直流反向电流（注1 ）T
A
=25
o
C
在额定阻断电压DC
T
A
=100
o
C
最大热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
V
V
V
RRM
SD820T
20
14
20
8.0
SD830T
30
21
30
8.0
SD840T
40
28
40
8.0
SD850T
50
35
50
8.0
SD860T
60
42
60
8.0
SD880T
80
50
80
8.0
SD8100T
100
70
100
8.0
单位
伏
伏
伏
安培
RMS
DC
I (
AV
)
I
FSM
150
150
150
150
150
150
150
安培
V
F
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.75
0.2
20
6
80
-55到+125
-65到+150
0.75
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
o
伏
I
R
RθJC
RΘJA
T
J
T
英镑
mA
C / W
o
C
C
o
注意事项：
1.脉冲测试与PW = 300μsec ， 2 ％的占空比。
2.安装在交媾板14毫米
2
（ 0.013毫米厚）铜焊垫领域。
产品型号： SD820T - SD8100T
第1页
SD820T~SD8150T
表面贴装肖特基二极管
8安培
当前
电压
20至150伏特
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
低功耗，高效率
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用，
极性保护应用
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
.307(7.8)
.283(7.2)
.225(5.7)
.209(5.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
TO-251AB
单位：英寸（毫米）
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
MECHANICALDATA
案例： TO- 251AB模压塑料
码头：焊接镀，每MIL -STD- 202G ，方法208焊
极性：标记
标准包装：16毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量：0.015盎司， 0.4克。
.032(0.8)
.012(0.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.02(0.5)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " （ 9 5 M M ）
L E A D L E毫微吨小时的吨T C = 8 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北： 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload （ JEDEC浩会见四）
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T 8 。 0
米喜米庵DCR ê已经RSE C-UR重新NT TJ = 2 5
O
C
为R ated DCB locki吴V oltage TJ = 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 昂
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G -
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FS M
V
F
0 .5 5
SD820T
20
14
20
SD830T
30
21
30
SD840T
40
28
40
SD850T
50
35
50
8
150
0 .7 5
0 .5
50
6
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
O
SD860T
60
42
60
SD880T
80
56
80
SD8100T SD8150T
100
70
100
150
105
150
加利它s
V
V
V
A
A
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
J
, T
s TG
C / W
O
C
C
O
REV.0-MAR.8.2005
PAGE 。 1
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