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2SD669 ， 2SD669A

NPN硅外延

应用

低频功率放大器互补配对2SB649 / A

概要

TO- 126 MOD

1

1.发射器

2.收集

3. BASE

2

3

2SD669 ， 2SD669A

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

P

C

P

C

*

1

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

Tj

TSTG

2SD669

180

120

5

1.5

3

1

20

150

-55到+150

2SD669A

180

160

5

1.5

3

1

20

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

W

°C

°C

2

2SD669 ， 2SD669A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD669

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

民

180

120

5

—

60

30

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

140

14

最大

—

—

—

10

320

—

1

1.5

—

—

2SD669A

民

180

160

5

—

60

30

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

140

14

最大

—

—

—

10

200

—

1

1.5

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

A

测试条件

I

C

= 1毫安，我

E

= 0

I

C

= 10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 1毫安，我

C

= 0

V

CB

= 160 V，I

E

= 0

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 500毫安*

2

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CB

= 10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

直流电流传输比H

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基极至发射极电压V

BE

增益带宽乘积F

T

集电极输出

电容

COB

注：1. 2SD669和2SD669A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试。

B

2SD669

2SD669A

60至120

60至120

C

100至200

100至200

D

160到320

—

最大集电极耗散

曲线

30

集电极耗散功率P

C

(W)

3

集电极电流I

C

(A)

安全工作区

（ 13.3 V， 1.5 A）

1.0

（ 40 V ， 0.5 A ）

0.3

0.1

0.03

2SD669

0.01

DC操作（T

C

= 25°C)

（ 120 V ， 0.04 A）

（ 160 V， 0.02A ）

2SD669A

20

10

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

3

10

30

100

300

集电极到发射极电压V

CE

(V)

3

2SD669 ， 2SD669A

典型输出Characteristecs

1.0

5

0

5.

5.

4.5

.0

4

3.5

3.0

2.5

典型的传输特性

500

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

= 5 V

集电极电流I

C

(A)

0.8

0.6

T

C

= 25°C

200

100

P

C

=

20

2.0

1.5

0.4

1.0

20

10

5

2

0.2

0.5毫安

I

B

= 0

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

300

直流电流传输比H

FE

250

200

150

100

50

1

1

3

10

100 300 1,000 3,000

30

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

= 5 V

Ta

C

= 75

°

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1.2

I

C

= 10 I

B

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1

3

10

30

100 300

集电极电流I

C

（MA ）

1,000

=7

5

°

C

–2

25

5

25

–25

TA = 75

°

C

25

–25

T

C

W

50

4

2SD669 ， 2SD669A

基地发射极饱和电压

与集电极电流

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

1.2

增益带宽乘积F

T

（兆赫）

I

C

= 10 I

B

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1

3

10

30

100 300

集电极电流I

C

（MA ）

1,000

25

°

C

T

C

= –

25

75

增益带宽积

与集电极电流

240

200

160

120

80

40

0

10

V

CE

= 5 V

TA = 25°C

30

100

300

集电极电流I

C

（MA ）

1,000

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

ob

（PF ）

200

100

50

F = 1 MHz的

I

E

= 0

20

10

5

2

1

10

2

5

20

50 100

集电极基极电压V

CB

(V)

5

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