WTE
功率半导体
SD620CS - SD6100CS
6.0A DPAK表面贴装肖特基整流器
特点
!
!
肖特基芯片
A
C
J
保护环片施工
B
瞬态保护
D
!
高电流能力
!
低功耗,高效率
!
高浪涌电流能力
E
销1
2
3
!
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
G
保护应用
H
L
P
P
PAK / TO- 252AA
暗淡
民
最大
A
6.4
6.8
B
5.0
5.4
C
2.35
2.75
D
—
1.60
E
5.3
5.7
G
2.3
2.7
H
0.4
0.8
J
0.4
0.6
K
0.3
0.7
L
0.50典型
P
—
2.3
尺寸:mm
K
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:负极频带
重量:0.4克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
PIN 1 -
PIN 3 -
+
案例2 PIN
Potive CT
!
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载,减免电流20 % 。
SD
620CS
20
14
SD
630CS
30
21
SD
640CS
40
28
SD
650CS
50
35
6.0
75
0.55
0.2
15
400
80
-50至+125
-50至+150
0.70
0.85
SD
660CS
60
42
SD
SD
单位
680CS 6100CS
80
56
100
70
V
V
A
A
V
mA
pF
K / W
°C
°C
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
L
= 75°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
T
英镑
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压(注1 )
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
典型结电容(注2 )
典型热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
注意事项:1.安装在交媾板14毫米
2
( 0.13毫米厚)铜垫。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SD620CS - SD6100CS
1第3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
SD620CS-T3
SD630CS-T3
SD640CS-T3
SD650CS-T3
SD660CS-T3
SD680CS-T3
SD6100CS-T3
!
套餐类型
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
送货数量
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T3后缀是指一个13 “卷轴。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
推荐足迹
0.165
(4.191)
0.100
(2.54)
0.118
(3.0)
0.063
(1.6)
0.190
(4.826)
0.243
(6.172)
英寸(毫米)
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责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
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支持设备或系统未经明确的书面批准。
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传真:
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电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
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我们日常供电。
SD620CS - SD6100CS
3 3
2002韩元鼎好电子
SD620CS直通SD6100CS
DPAK表面贴装肖特基整流器
电压 - 20到100伏特电流 - 6.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
金属硅整流多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低V
F
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
高温焊接保证: 260℃ / 10秒码头
2
1
3
.032(0.8)
.012(0.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
DPAK / TO- 252
4
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
.106(2.7)
.090(2.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
机械数据
1
2
4
案例:D PAK / TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:颜色频带为负极
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
重量:0.015盎司, 0.4克。
3
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
电阻性或电感性负载。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=75
o
C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在3.0A最大正向电压
(注1 )
最大直流反向电流(注1 )T
A
=25
o
C
在额定阻断电压DC
T
A
=100
o
C
最大热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
V
V
V
RRM
SD620CS
20
14
20
6.0
SD630CS
30
21
30
6.0
SD640CS
40
28
40
6.0
SD650CS
50
35
50
6.0
SD660CS
60
42
60
6.0
SD680CS
80
56
80
6.0
0.040 ( 1.0 ) MIN 。
.02(.5)
.225(5.7)
.209(5.3)
SD6100CS
100
70
100
6.0
单位
伏
伏
伏
安培
RMS
DC
I (
AV
)
I
FSM
75
75
75
75
75
75
75
安培
V
F
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.70
0.2
20
6
80
-55到+125
-65到+150
0.70
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
o
伏
I
R
RθJC
RΘJA
T
J
T
英镑
mA
C / W
o
C
C
o
注意事项:
1.脉冲测试与PW = 300μsec , 2 %的占空比。
2.安装在交媾板14毫米
2
( 0.013毫米厚)铜焊垫领域。
产品型号: SD620CS - SD6100CS
第1页
SD620CS~SD660CS
表面贴装肖特基二极管
20至60伏
当前
6.0安培
电压
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
低功耗,高效率
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
高温焊接保证: 260
O
C / 10秒码头
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MECHANICALDATA
案例:D PAK / TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:标记
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
重量: 0.0104盎司, 0.297克。
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新NT在Tc = 7 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T第3 。 0 P·E R L例如
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG武L T A G (E T)
J
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
SD 6 2 0 CSSD 6 3 0 CSSD 6 4 0 CSSD 6 5 0 CSSD 6 6 0 CS
V
RRM
V
RSM
V
D C
I
F( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
T
J
T
s TG
-5 5 1 2 5
0 .5 5
0 .2
20
5
-5 5 1 5 0
-5 5 1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6 .0
75
0 .7
0 .1
20
50
35
50
60
42
60
加利它s
V
V
V
A
A
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
注:两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.27.2009
PAGE 。 1
SD620CS~SD660CS
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-APR.27.2009
PAGE 。 3
数据表
SD620CS~SD6100CS
表面贴装肖特基二极管
20至100伏特
当前
6.0安培
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
内置应变救灾
低功耗,高效率
高浪涌能力
0.040(1.0)
.02(0.5)
.032(0.8)
.012(0.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
TO- 252 / DPAK
单位:英寸(毫米)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
高温焊接保证: 260
oC/10
在码头秒
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.09 .09
(2.3) (2.3)
.225(5.7)
.209(5.3)
.106(2.7)
.090(2.3)
.063(1.6)
.047(1.2)
薄型封装
.216(5.5)
.200(5.1)
.071(1.8)
.051(1.3)
MECHANICALDATA
案例:D PAK / TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:标记
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
重量:0.015盎司, 0.4克。
C
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币。 3 7 5 " ( 9 5 M M )
L E A D L E毫微吨小时的吨锝= 7 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE - W A已经
s上行erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
米喜米庵F R W A R D V L T A G E A T第3 。 0 P·E R L例如
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北TJ = 2 5
O
C
为R ated DCB locki吴武ltage TJ = 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 昂
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G -
S YM B OL SD 6 2 0 CSSD 6 3 0 CSSD 6 4 0 CSSD 6 5 0 CSSD 6 6 0 CSSD 6 8 0 CSSD 6 1 0 0 CSUN它s
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
0 .2
20
5
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
6 .0
75
0 .7 0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .8 5
V
I
R
mA
RθJ
T
J
T
J
, T
s TG
C / W
O
C
C
O
注:两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-FEB.27.2004
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
平均正向电流
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
PEAK FORWARDSURGE电流,
安培
90
75
60
45
30
15
50
100
O
150
0
1
10
NO 。周期在60Hz
100
外壳温度,C
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-MAXIMUMNON-REPETITIVEPEAK
正向浪涌电流
10000
10
1000
正向电流,安培
T
J
=125 C
O
20-40V
50-60V
反向电流微安
100
T
J
=75 C
O
80-100V
1.0
10
T
J
=25 C
O
1.0
0.1
20
40
60
80
20-40V
50-60V
80-100V
100
0.1
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
百分之额定峰值反向电压, %
正向电压,伏
Fig.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
CHRACTERISTIC
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