SD5501
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
V
DS
V
SD
V
DB
V
SB
V
GS
V
GB
V
GD
I
D
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30伏直流
源极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.5伏
汲极体电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30伏直流
源体电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15VDC
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DC + 25V
门体的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DC + 25V
门体的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3伏
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DC + 25V
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
P
D
P
D
T
j
T
S
总计封装功耗
（等于或低于T A = 25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.7毫瓦/
o
C
单台设备功耗
（等于或低于T A = 25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0毫瓦/
o
C
工作结温范围。 。 -55到+85
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到+ 150
o
C
电气CHARACTERISTCIS
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
B
VDS
B
VSD
B
VDB
B
VSB
I
GSS （ FWD ）
I
G
V
GS （关闭）
V
GS （上）
I
DSX
r
DS （ ON）
动态
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
（ GS + SB ）
匹配
V
GSM
r
DS （ ON）
I
DXSM
g
FSM
栅源电压匹配
漏极 - 源极导通电阻匹配
零栅极电压漏极电流匹配
跨匹配
(1), (2)
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
汲极体击穿电压
源体击穿电压
正向栅极泄漏电流
门工作电流
门 - 源截止电压
门源上的电压
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
(1)
20
10
25
15
1.0
-3.0
-0.7
-1.0
-0.3
7.0
5.0
100
150
欧
-100
-10
-5.0
-3.0
40
mA
nA
pA
nA
V
V
I
D
= 10 nA的，V
GS
= V
BS
= -5.6V
I
S
= 10 nA的，V
GD
= V
BD
= -5.6V
I
D
= 10nA的，V
GB
= 0，源开
I
S
= 10μA ，V
GB
= 0 ，开漏
V
GS
= 25V, V
DS
= V
BS
= 0
V
DG
= 15V ，我
D
= 5.0毫安，
V
BS
= -5.6V
T
A
= +125
o
C
V
DS
= 10V ，我
D
= 1.0μA ，V
BS
= 5.6V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安，V
SB
= -5.6V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
V
BS
= -5.6V
T
A
= +125
o
C
I
D
= 1.0毫安，V
GS
= 0, V
BS
= -5.6V
共源正向跨导
共源输出电导
共源输入电容
共源输出电容
6.0
7.5
200
3.5
1.2
0.3
4.5
12
350
mS
S
V
DG
= 10V
I
D
= 5.0毫安
V
BS
= -5.6V
F = 1千赫
pF
F = 1 MHz的
共源反向传输电容
源节点电容
50
10%
10%
10%
mV
V
DG
= 10V ，我
D
= 5.0毫安，V
BS
= -5.6V
I
D
= 1.0毫安， V
GS
= 0, V
BS
= 5.6V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5.0毫安，
V
BS
= -5.6V
F = 1千赫
注1 ：脉冲测试， 80秒，1 ％占空比
注2 ： 4通道匹配
QQ：2880707522 复制
