【SD5000 / SD5400线性系统的替代停产Siliconix的SD *产品线SD5000 / 】,IC型号SD5401CY,SD5401CY PDF资料,SD5401CY经销商,ic,电子元器件-51电子网

SD5000 / SD5400

线性系统的替代停产Siliconix的SD *产品线

SD5000 / SD5400系列四N沟道增强模式横向DMOS开关

SD5000 / SD5400超快的交换机提供更高的精度，

速度和吞吐量，以比JFET的少毛刺或失真

或多路复用器。设计为高频射频操作，

SD5000 / SD5400提供1ns的与切换速度

的70ohms "ON"电阻反向独特的组合，并

.5 PF传输电容。 1.5伏的最大阈值

允许简单的TTL和CMOS驱动的小信号

应用程序。

SD5400 / SD5000可以切换模拟信号高达+/- 10伏，

而SD5401 / SD5001可以切换信号高达+/- 5伏。

所有版本都有门ESD保护齐纳二极管。

产品特点：

四通道SPST开关与稳压输入保护开关

低极间电容和漏

超高速开关吨： 1纳秒

超低反向电容： 0.2 pF的

低导通阈值电压

好处：

高速系统性能

低插入损耗在高频

低传输信号丢失

简单的驱动要求

单电源供电

描述：

该SD5000 / SD5400系列单片开关功能

四个独立的双扩散增强型MOSFET的

建立在一个共同的基片。这些双向器件

提供低导通电阻和低的极间电容

以减少插入损耗和串扰。

基于Siliconix公司的专有DMOS过程中， SD5000 /

SD5400系列采用横向结构，以实现低

电容和超快速开关速度。制造

可靠性，这些器件采用了保护多晶硅栅极

齐纳二极管

SD5000 / SD5400应用：

ATE （自动测试设备）

模拟开关， A / D & D / A转换器

激光驱动器

医学影像

多路转换器，采样保持& ，开关驱动器&愿景

系统

可用性：

SD5400 / SD5401 - 14引脚窄体SOIC

SD5400 / SD5401 - 16引脚窄体SOIC

SD5400 / SD5401 - 裸片和晶圆形式

SD5000N / SD5001N - 16引脚DIP

SD5000N / SD5001N - 裸片和晶圆形式

产品简介：

绝对最大额定值

栅极 - 漏极，栅源电压

（ SD5000 ， SD5400 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +30 V / -25 V

（ SD5001 ， SD5401 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +25 V / -15 V

栅衬底电压

（ SD5000 ， SD5400 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 30 V / 0.3 V

（ SD5001 ， SD5401 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 25 V / 0.3 V

漏源电压

（ SD5000 ， SD5400 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20 V

（ SD5001 ， SD5401 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10 V

漏源，衬底电压

（ SD5000 ， SD5400 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25 V

（ SD5001 ， SD5401 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 15 V

漏电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.50毫安

焊接温度（ 1/16“从案例10秒）。 300

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 65 150

工作结温。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 55 150

如需完整的数据表和机械也压铸细节

请联系Micross组件，

chipcomponents@micross.com

注意：所有封装类型都可以用特殊的电

选择，其中包括裸芯片的形式。

套餐 - 顶视图

双列直插式

窄体SOIC

提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或

第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。

Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：

chipcomponents@micross.com

网址：

www.micross.com

高速DMOS FET模拟开关和开关阵列

介绍

本应用笔记详细介绍了

在SD210 / 5000系列的工作原理

高速模拟开关和开关

阵列。它包含的大部分的说明

重要的开关特性，应用程序

实施例中，测试数据，以及其他的应用程序的提示。

对于表面安装应用程序的SST211

系列提供的TO- 253 （ SOT -143 ）

封装。该SD5400系列有在

窄体鸥翼式SO- 14封装。

应用

快的开关速度，低通态电阻，

高

通道到通道

隔离，

低

电容和低电荷注入化妆

这些DMOS器件尤其非常适用于一

各种应用程序。

一些许多可能的应用领域为

DMOS的模拟开关如下：

1.视频和RF开关（高速，高摘

隔离度，低串扰）：

- 多视频分发网络

-sampling扫描仪的射频系统

2.音频路由（ glitch-和无噪音）：

- 高速开关

使用-audio交换系统

数字化遥控器

3.数据采集（高速，低收费

注射，低漏）：

- 高速采样和保持

- 音频和通讯A / D

转换器

4.其他：

- 数字转换

-PCM分销网络

-UHF放大器

-VHF调制器和双平衡

调音台

- 高速转换器/驱动器

-Switched电容滤波器

-Choppers

描述

线性系统SD210和SD5000系列

是分立器件和四单片阵列，

分别为单刀单掷模拟

开关。

这些开关是n沟道

增强型

硅

场

效果

采用双扩散MOS晶体管内置

（ DMOS ）硅栅技术。 Surface-

安装的版本（ SST211 ， SD5400系列）

也可提供。

该系列器件是专为处理

各种各样的视频，快ATE和电信

模拟开关应用。它们能够

超快开关速度（T

= 1纳秒，T

关闭

= 3

NS）和优异的瞬态响应。由于

减小寄生电容， DMOS可以

处理好与高关断隔离宽带信号

和最小的串扰。

该SD210系列的单沟道FET是

不产生保护齐纳减少

泄漏和齐纳保护版本

减少静电放电的危险。该

SD5000系列是16引脚双IN-提供

线表面贴装或sidebraze陶瓷

包。模拟信号电压范围可达

±10 V和频率高达1 GHz的可

控制。

线性集成系统公司

●

4042帆船的Ct 。

●

弗里蒙特，加利福尼亚州94538

●

联系电话： 510 490-9160

●

传真： 510 353-0261

工作原理

图1示出了一个n沟道enhancement-

模式装置与绝缘栅和

非对称结构。栅极保护

齐纳是用虚线示出，以指示

的是，虽然它存在于芯片上，它不是一个

根本开关的主要成分

结构。

门

保护

齐纳

不对称

结构

预绝缘

门

漏

增强

型N沟道

体

图1. DMOS电气系统

双扩散过程创建了一个薄薄的自我

调心的p型材料的区域，分离

源从漏极区域。在很短的

信道长度而导致两者之间

结深可产生极低的源 -

漏和栅 - 漏电容的

同时，它提供了良好的击穿

电压。

当栅极电势等于或消极

相对于所述源极，所述开关是关闭的。在

该状态下，在通道中的p型材料

形成两个背到后端二极管和防止

沟道传导（图3a）。如果电压是

在S和D区之间时，只有一个

小结漏电流流动。

来源

DS （ ON）

的DMOS场效应晶体管（FET）是

常关闭时的栅极至源极电压

）为0V的横向DMOS晶体管，

在图2中以横截面示出，具有三个

在顶端子（源极，栅极和漏极）

面和一个（身体或衬底）上的

底部。有击穿齐纳二极管

约40伏特的电压被加到

保护门对过压和

静电放电。

来源

氧化

门

漏

（一）关闭状态

（二）在国家

图3.等效电路

间的氧化硅绝缘本

栅极和源极形成小的电容器，其

累积电荷。

如果栅 - 源极电势（V

）由

肯定的，则电容效应吸引电子

到沟道区紧邻栅

氧化物。由于V

增加，在电子密度

该信道将超过空穴密度和

信道将成为n型区域。作为

沟道导电性提高，在n - 正 - 正

结构变得简单的硅的电阻

通过该电流可以容易地流动在任

方向。

图4显示了典型的偏置为± 10 V模拟

信号处理。注意，漏极是

通道

体

图2.剖视图一个理想化的

DMOS结构

线性集成系统公司

●

4042帆船的Ct 。

●

弗里蒙特，加利福尼亚州94538

●

联系电话： 510 490-9160

●

传真： 510 353-0261

推荐的输出。由于C

这将导致更少的电荷注入噪音

负载。

如可以从图3a和3b中，可以看出

体源和体 - 漏pn结应

保持反向偏置，在所有时间，否则

信号削波，甚至设备损坏可能

如果无限制电流被允许流动发生。

体偏置交通便利，在大多数情况下，

通过连接基板至V- 。

在图4所示的电路展示第r

DS （ ON）

与示于模拟信号电压的关系

图5中。

当模拟信号偏移较大（为

例如± 10V）的信道的导通电阻

变化的信号电平的函数。对

实现最低的失真，这个通道导通

性调制应牢记，

和电阻的串联在所述量

开关应是适当的大小。例如，如果

20之间的开关导通电阻变化

和

在信号范围和所述开关处于

系列与200

负载，其结果将是一个

总

= 4.5 ％。然而，如果负载是100

将仅0.01％。

200

DS （ ON）

()

160

120

-10

-5

(b)

(a)

(c)

20 V =开

-10 V =关

根

开关量输入

= ±10 V

控制

输入

-10 V

开关

产量

图4.普通交换机配置为± 10

V模拟开关

(V)

主开关特性

DS （ ON）

导通电阻的信道由控制

沿横向和电场目前

通道。沟道电阻是主要

由栅极 - 源极电压来确定

差别。当V

超过该阈值

电压（V

GS （ TH）

），所述场效应晶体管开始导通。

许多应用需要切换点

到地面。在这些情况下，源和

衬底连接到接地端和栅极

的34 V电压是足以确保

开关动作。

与V

超过5伏，一个低电阻

源极和漏极之间存在路径。

(a)

(b)

(c)

体

= -10 V, V

门

= 20 V

体

= -10 V, V

门

= 15 V

体

= 0 V, V

门

= 20 V

图5.导通电阻特性

阈值电压

阈值电压（V

GS （ TH）

）为一个参数

用于描述多少电压是必要的，以

启动渠道传导。图6示出了

适用的测试配置。在该电路中，它是

值得注意的，例如，如果设备具有

A V

GS （ TH）

= 0.5 V ，当V + = 0.5 V ，通道

阻力将是：

通道

0.5V

500k

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●

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V+

GS （ TH）

3.0

GS （ TH）

(V)

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

(V)

图6.阈值电压测试配置

身体的影响

对于具有均匀掺杂的MOSFET

基板上，所述阈值电压成比例

所施加的源极到体的平方根

电压。该SD5000家族具有非均匀的

基板，以及在V

GS （ TH）

有些行为

不同。图7示出典型的V

GS （ TH）

变化作为源 - 体的功能

电压VSB 。

作为身体电压增加的负

方向，该阈值上升。因此，

如果V

是该信道的很小，导通电阻

可以是非常高的。图8示出的影响

和V

R上

DS （ ON）

。因此，为了保持

低导通电阻最好是偏置

体的电压接近的负峰

和使用的栅极电压尽可能的高。

图7.阈值VS源，以身体压

1mA

300

DS （ ON）

()

240

180

120

10 V

(V)

= 4 V

电荷注入

电荷注入描述现象

它的电压偏移在门口产生

通过栅极 - 一个注入电荷

漏极和栅极 - 源极电容成

模拟信号路径。另一种流行的名字

这种现象是“切换spikes."

图8.导通电阻VS来源为身体和

门源电压

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由于这些DMOS器件是不对称

注入S和D端子的电荷是

不同。典型的寄生电容上

0.2 pF的的对C的顺序

1.5 pF的对C

该影响的量的另一个因素

电荷注入是在栅极的振幅

电压偏移。

这是一个直接

比例关系：较大的

偏移，较大的注入电荷。这

可以通过比较曲线（a）和（c）就可以看出

图9.另外一个变量要考虑的是

率栅极电压变化。大量的

负责注射时速度更快兴衰

倍存在于栅极。这示出由

曲线（a）和（b）如图9所示。

阻抗趋向于产生的快速衰变

在渠道引入额外收费。在开启

断，然而，注入的电荷可能会变得

存储在取样电容器和创建偏移

和误差。这些错误将有一个数量级

那是成反比的幅度

的保持电容。

图9示出了几种典型的电荷

喷射特性。图10示出了一些

的对应波形。该DMOS

场效应晶体管，由于其固有的较低的寄生，

电容，产生非常低电荷注入

相对于其他模拟开关

（ PMOS ， CMOS ， JFET ， BIFET等）。然而，当

创建的偏移量是不可接受的，充电

喷射补偿技术存在

消除或减少它们。该解决方案

主要由注入另外收费的

幅值相等但极性相反的时间

当开关关闭。

Q = C

-2

（PC）的

-4

-6

-8

-10

-5

(a)

(1)

(V)

(2)

(b)

(c)

关断隔离和串扰

直流的通态电阻通常为30

和

关断状态的电阻通常为10

这导致在一个关断状态到导通状态

电阻率超过10

。然而，对于

视频和甚高频开关应用，所述

上可使用的频率上限由下式确定

关于输入信号的耦合

过寄生电容，并显示在

开关output─when理想的无信号

应在关断状态出现在那里。

离隔离是由以下公式定义：

(a)

(b)

(c)

= 10 V ，T

= 0.3 V / μs的

= 10 V ，T

= 0.03 V / μs的

= 0， -10 V ，叔

= 0.3 V / μs的

图9. SD5000电荷注入

开关尖峰发生在开关导通，以及

作为关断时间。当开关导通时，

电荷注入效应被最小化

通常低信号源阻抗。这种低

芯片几何形状使得不相同的行为

当源极和漏极端子被颠倒时

在一个电路。

关 - 隔离度（dB ）

20log

OUT

当

几个

类似物

开关

是

同时用来控制高

频率信号，串扰变得非常

重要的特性。对于视频应用，

通过寄生耦合的杂散信号

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4042帆船的Ct 。

●

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传真： 510 353-0261

SD5000/5001/5400/5401

线性集成系统

QUAD N沟道横向

DMOS开关

齐纳保护

产品概述

特点

四通道SPST开关，具有稳压输入保护

低极间电容和漏

超高速Switching-

吨

： 1纳秒

超低反向电容： 0.2 pF的

低保证

RDS

@5 V

低导通阈值电压

好处

高速系统性能

低插入损耗高

频率

低传输信号丢失

简单的驱动要求

单电源工作

应用

快速模拟开关

快速采样和保持电路

像素率切换

视频开关

多路复用器

DAC Deglitchers

高速驱动器

描述

该SD5000 / 5400系列单片开关有四个

单个双扩散增强型MOSFET的内置

在一个共同的基片上。这些双向器件提供低

导通电阻和低的极间电容，以减少

插入损耗和串扰。

基于Siliconix公司的专有DMOS过程中， SD5000 / 5400

系列采用横向结构，实现低电容和

超快速的开关速度。对于制造产品，这些

器件采用齐纳二极管保护的多晶硅门

在SD 5400分之5000的额定处理

±10-V

模拟信号，

而SD5001 / 5401顷额定

±5-V

信号。

对于封装在TO- 206AF （ TO- 72）和TO-类似产品

253 （ SOT -143 ）见SD211DE / SST211系列。

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

绝对最大额定值（T

= 25

C除非另有说明）

栅极 - 漏极，栅源电压

（ SD5000 ， SD5400 ） ............................................. ......................... +30 V / -25 V

（ SD5001 ， SD5401 ） ............................................. ......................... +25 V / -15 V

栅衬底电压

（ SD5000 ， SD5400 ） ............. 30 V / 0.3 V

（ SD5001 ， SD5401 ） ............. +25 V / 0.3 V

漏源电压

（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 20 V

（ SD5001 ， SD5401 ............................. 10 V

漏源，衬底电压（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 25 V

（ SD5001 ， SD5401 ） ........................... 15 V

漏电流................................................ ........................................ 50毫安

焊接温度（ 1/16“从案例10秒） ............................. 300

存储温度................................................ .................... -65至150

工作结温............................................... .. -55至150

功耗

A，B

（包） .............................. ... 500毫瓦

（每个设备） ........................................... 300毫瓦

注意事项：

一。 SD5000 / SD5001减免5毫瓦/

C以上25

B 。 SD5400 / SD5401减免4毫瓦/

C以上25

特定网络阳离子

线性集成系统

4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261

特定网络阳离子

注意事项：

一。牛逼

= 25

C除非另有说明。

B 。 B是在主体（基板）和V

（ BR ）

被击穿。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

DMCA

线性集成系统

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高速DMOS FET模拟开关和开关阵列

介绍

本应用笔记详细介绍了

在SD210 / 5000系列的工作原理

高速模拟开关和开关

阵列。它包含的大部分的说明

重要的开关特性，应用程序

实施例中，测试数据，以及其他的应用程序的提示。

对于表面安装应用程序的SST211

系列提供的TO- 253 （ SOT -143 ）

封装。该SD5400系列有在

窄体鸥翼式SO- 14封装。

应用

快的开关速度，低通态电阻，

高

通道到通道

隔离，

低

电容和低电荷注入化妆

这些DMOS器件尤其非常适用于一

各种应用程序。

一些许多可能的应用领域为

DMOS的模拟开关如下：

1.视频和RF开关（高速，高摘

隔离度，低串扰）：

- 多视频分发网络

-sampling扫描仪的射频系统

2.音频路由（ glitch-和无噪音）：

- 高速开关

使用-audio交换系统

数字化遥控器

3.数据采集（高速，低收费

注射，低漏）：

- 高速采样和保持

- 音频和通讯A / D

转换器

4.其他：

- 数字转换

-PCM分销网络

-UHF放大器

-VHF调制器和双平衡

调音台

- 高速转换器/驱动器

-Switched电容滤波器

-Choppers

描述

线性系统SD210和SD5000系列

是分立器件和四单片阵列，

分别为单刀单掷模拟

开关。

这些开关是n沟道

增强型

硅

场

效果

采用双扩散MOS晶体管内置

（ DMOS ）硅栅技术。 Surface-

安装的版本（ SST211 ， SD5400系列）

也可提供。

该系列器件是专为处理

各种各样的视频，快ATE和电信

模拟开关应用。它们能够

超快开关速度（T

= 1纳秒，T

关闭

= 3

NS）和优异的瞬态响应。由于

减小寄生电容， DMOS可以

处理好与高关断隔离宽带信号

和最小的串扰。

该SD210系列的单沟道FET是

不产生保护齐纳减少

泄漏和齐纳保护版本

减少静电放电的危险。该

SD5000系列是16引脚双IN-提供

线表面贴装或sidebraze陶瓷

包。模拟信号电压范围可达

±10 V和频率高达1 GHz的可

控制。

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工作原理

图1示出了一个n沟道enhancement-

模式装置与绝缘栅和

非对称结构。栅极保护

齐纳是用虚线示出，以指示

的是，虽然它存在于芯片上，它不是一个

根本开关的主要成分

结构。

门

保护

齐纳

不对称

结构

预绝缘

门

漏

增强

型N沟道

体

图1. DMOS电气系统

双扩散过程创建了一个薄薄的自我

调心的p型材料的区域，分离

源从漏极区域。在很短的

信道长度而导致两者之间

结深可产生极低的源 -

漏和栅 - 漏电容的

同时，它提供了良好的击穿

电压。

当栅极电势等于或消极

相对于所述源极，所述开关是关闭的。在

该状态下，在通道中的p型材料

形成两个背到后端二极管和防止

沟道传导（图3a）。如果电压是

在S和D区之间时，只有一个

小结漏电流流动。

来源

DS （ ON）

的DMOS场效应晶体管（FET）是

常关闭时的栅极至源极电压

）为0V的横向DMOS晶体管，

在图2中以横截面示出，具有三个

在顶端子（源极，栅极和漏极）

面和一个（身体或衬底）上的

底部。有击穿齐纳二极管

约40伏特的电压被加到

保护门对过压和

静电放电。

来源

氧化

门

漏

（一）关闭状态

（二）在国家

图3.等效电路

间的氧化硅绝缘本

栅极和源极形成小的电容器，其

累积电荷。

如果栅 - 源极电势（V

）由

肯定的，则电容效应吸引电子

到沟道区紧邻栅

氧化物。由于V

增加，在电子密度

该信道将超过空穴密度和

信道将成为n型区域。作为

沟道导电性提高，在n - 正 - 正

结构变得简单的硅的电阻

通过该电流可以容易地流动在任

方向。

图4显示了典型的偏置为± 10 V模拟

信号处理。注意，漏极是

通道

体

图2.剖视图一个理想化的

DMOS结构

线性集成系统公司

●

4042帆船的Ct 。

●

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●

联系电话： 510 490-9160

●

传真： 510 353-0261

推荐的输出。由于C

这将导致更少的电荷注入噪音

负载。

如可以从图3a和3b中，可以看出

体源和体 - 漏pn结应

保持反向偏置，在所有时间，否则

信号削波，甚至设备损坏可能

如果无限制电流被允许流动发生。

体偏置交通便利，在大多数情况下，

通过连接基板至V- 。

在图4所示的电路展示第r

DS （ ON）

与示于模拟信号电压的关系

图5中。

当模拟信号偏移较大（为

例如± 10V）的信道的导通电阻

变化的信号电平的函数。对

实现最低的失真，这个通道导通

性调制应牢记，

和电阻的串联在所述量

开关应是适当的大小。例如，如果

20之间的开关导通电阻变化

和

在信号范围和所述开关处于

系列与200

负载，其结果将是一个

总

= 4.5 ％。然而，如果负载是100

将仅0.01％。

200

DS （ ON）

()

160

120

-10

-5

(b)

(a)

(c)

20 V =开

-10 V =关

根

开关量输入

= ±10 V

控制

输入

-10 V

开关

产量

图4.普通交换机配置为± 10

V模拟开关

(V)

主开关特性

DS （ ON）

导通电阻的信道由控制

沿横向和电场目前

通道。沟道电阻是主要

由栅极 - 源极电压来确定

差别。当V

超过该阈值

电压（V

GS （ TH）

），所述场效应晶体管开始导通。

许多应用需要切换点

到地面。在这些情况下，源和

衬底连接到接地端和栅极

的34 V电压是足以确保

开关动作。

与V

超过5伏，一个低电阻

源极和漏极之间存在路径。

(a)

(b)

(c)

体

= -10 V, V

门

= 20 V

体

= -10 V, V

门

= 15 V

体

= 0 V, V

门

= 20 V

图5.导通电阻特性

阈值电压

阈值电压（V

GS （ TH）

）为一个参数

用于描述多少电压是必要的，以

启动渠道传导。图6示出了

适用的测试配置。在该电路中，它是

值得注意的，例如，如果设备具有

A V

GS （ TH）

= 0.5 V ，当V + = 0.5 V ，通道

阻力将是：

通道

0.5V

500k

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弗里蒙特，加利福尼亚州94538

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传真： 510 353-0261

V+

GS （ TH）

3.0

GS （ TH）

(V)

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

(V)

图6.阈值电压测试配置

身体的影响

对于具有均匀掺杂的MOSFET

基板上，所述阈值电压成比例

所施加的源极到体的平方根

电压。该SD5000家族具有非均匀的

基板，以及在V

GS （ TH）

有些行为

不同。图7示出典型的V

GS （ TH）

变化作为源 - 体的功能

电压VSB 。

作为身体电压增加的负

方向，该阈值上升。因此，

如果V

是该信道的很小，导通电阻

可以是非常高的。图8示出的影响

和V

R上

DS （ ON）

。因此，为了保持

低导通电阻最好是偏置

体的电压接近的负峰

和使用的栅极电压尽可能的高。

图7.阈值VS源，以身体压

1mA

300

DS （ ON）

()

240

180

120

10 V

(V)

= 4 V

电荷注入

电荷注入描述现象

它的电压偏移在门口产生

通过栅极 - 一个注入电荷

漏极和栅极 - 源极电容成

模拟信号路径。另一种流行的名字

这种现象是“切换spikes."

图8.导通电阻VS来源为身体和

门源电压

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由于这些DMOS器件是不对称

注入S和D端子的电荷是

不同。典型的寄生电容上

0.2 pF的的对C的顺序

1.5 pF的对C

该影响的量的另一个因素

电荷注入是在栅极的振幅

电压偏移。

这是一个直接

比例关系：较大的

偏移，较大的注入电荷。这

可以通过比较曲线（a）和（c）就可以看出

图9.另外一个变量要考虑的是

率栅极电压变化。大量的

负责注射时速度更快兴衰

倍存在于栅极。这示出由

曲线（a）和（b）如图9所示。

阻抗趋向于产生的快速衰变

在渠道引入额外收费。在开启

断，然而，注入的电荷可能会变得

存储在取样电容器和创建偏移

和误差。这些错误将有一个数量级

那是成反比的幅度

的保持电容。

图9示出了几种典型的电荷

喷射特性。图10示出了一些

的对应波形。该DMOS

场效应晶体管，由于其固有的较低的寄生，

电容，产生非常低电荷注入

相对于其他模拟开关

（ PMOS ， CMOS ， JFET ， BIFET等）。然而，当

创建的偏移量是不可接受的，充电

喷射补偿技术存在

消除或减少它们。该解决方案

主要由注入另外收费的

幅值相等但极性相反的时间

当开关关闭。

Q = C

-2

（PC）的

-4

-6

-8

-10

-5

(a)

(1)

(V)

(2)

(b)

(c)

关断隔离和串扰

直流的通态电阻通常为30

和

关断状态的电阻通常为10

这导致在一个关断状态到导通状态

电阻率超过10

。然而，对于

视频和甚高频开关应用，所述

上可使用的频率上限由下式确定

关于输入信号的耦合

过寄生电容，并显示在

开关output─when理想的无信号

应在关断状态出现在那里。

离隔离是由以下公式定义：

(a)

(b)

(c)

= 10 V ，T

= 0.3 V / μs的

= 10 V ，T

= 0.03 V / μs的

= 0， -10 V ，叔

= 0.3 V / μs的

图9. SD5000电荷注入

开关尖峰发生在开关导通，以及

作为关断时间。当开关导通时，

电荷注入效应被最小化

通常低信号源阻抗。这种低

芯片几何形状使得不相同的行为

当源极和漏极端子被颠倒时

在一个电路。

关 - 隔离度（dB ）

20log

OUT

当

几个

类似物

开关

是

同时用来控制高

频率信号，串扰变得非常

重要的特性。对于视频应用，

通过寄生耦合的杂散信号

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高速四路DMOS FET

模拟开关阵列

公司

SD5000 / SD5001 / SD5002

SD5400 / SD5401 / SD5402

特点

描述

该SD5000系列是4个双向的单片阵列，

高性能模拟开关与制造

植入的高速，高电压和低电阻

双difused MOS（ DMOS ）处理。

最大

2V阈值允许在简单的TTL和CMOS驱动

小信号的应用。

订购信息

部分

SD5000N

SD5001N

SD5002N

XSD5000

XSD5001

XSD5002

SD5400CY

SD5401CY

SD5402CY

XSD5400

XSD5401

XSD5402

包

塑料DIP封装

在运营商排序芯片

塑料DIP封装

在运营商排序芯片

温度范围

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

-55

C至+150

低PropagatiomTime 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 600皮秒

低导通电阻

低插入损耗

低电容：

- 模拟输入。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。典型的3.5pF 。

- 输入（门）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2.4pF （典型值）。

- 输出。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.3pF （典型值）。

- 信息反馈。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3pF （典型值）。

低串扰。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -107dB @ 3kHz的

双向操作

应用

模拟开关

音频路由

样品&保持

交叉点开关

菜刀

视频开关

功能框图

SO引脚配置

双列直插式封装

顶视图

1Q-22

体

1Q-21

1Q-20

基板

CALOGIC公司，

237惠特尼广场，弗里蒙特，加利福尼亚州94539 ，电话： 510-656-2900 ，传真： 510-651-3025

SD5000 / SD5001 / SD5002

SD5400 / SD5401 / SD5402

DC电气特性

= 25

符号

类似物

参数

模拟信号范围

SD5000/SD5400

民

-10

TYP MAX

+10

SD5001/SD5401

民

-5

TYP MAX

SD5002/SD5402

民

-7.5

TYP MAX

+7.5

单位

公司

条件

击穿电压

漏源

源极 - 漏极

漏体

源极 - 体

22.5

= V

= -5V ，我

= 10nA的

= V

= -5V ，我

= 10nA的

= 0V时，我

= 10nA的源代码开放

= 0V时，我

= 10μA ，开漏

漏电流 - SD5000 / SD5400

DS （关闭）

SD （OFF）的

GBS

漏源

源极 - 漏极

门

1.0

10.0

1.0

= V

= -5V, V

= 20V

= V

= -5V, V

= 20V

= V

= 0V, V

= 30V

漏电流 - SD5001 / SD5401

DS （关闭）

SD （OFF）的

GBS

漏源

源极 - 漏极

门

1.0

10.0

1.0

= V

= -5V, V

= 10V

= V

= -5V, V

= 10V

= V

= 0V, V

= 25V

漏电流 - SD5002 / SD5402

DS （关闭）

SD （OFF）的

GBS

漏源

源极 - 漏极

门

阈值电压

漏源

阻力

匹配Resiatance

0.1

1.0

2.0

0.1

1.0

2.0

0.1

1.0

10.0

1.0

2.0

= V

= -5V, V

= 15V

= V

= -5V, V

= 15V

= V

= 0V, V

= 30V

= V

, V

= 0V时，我

= 1A

= 5V, V

= 0V时，我

= 1毫安

= 10V, V

= 0V时，我

= 1毫安

= 15V, V

= 0V时，我

= 1毫安

= 20V, V

= 0V时，我

= 1毫安

= 5V

DS （ ON）

AC电气特性

= 25

符号

电容

门节点

漏极节点

源节点

反向传输

相声

2.4

1.3

3.5

0.3

107.0

3.5

1.5

4.0

0.5

参数

正向跨导

民

典型值

最大

单位

条件

= 10V ，我

= 20mA时， V

= 0V ， F = 1kHz时

= 10V ， F = 1MHz时， V

= V

= -15V

F = 3千赫，R

= 600

开关特性

= 25

符号

D（上）

关*

参数

开启时间

上升时间

打开-O FF时间

民

典型值

0.7

0.8

10.0

最大

1.0

纳秒

单位

条件

= 680, R

= 51

= 5V

G（ ON）的

= 10V

关闭

是依赖于RL和C ，并且不依赖于设备的特性。

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公司

SD5000 / SD5001 / SD5002

SD5400 / SD5401 / SD5402

绝对最大额定值

符号

击穿电压

漏源

源极 - 漏极

漏体

源极 - 体

栅极 - 源

门体

栅极 - 漏极

30/ - 25

30/ - 0.3

30/ - 25

25/ - 15

25/ - 0.3

30/ - 15

22.5

30/ - 22.5

30/ - 0.3

30/ - 22.5

参数

SD5000/SD5400

马克斯。值

SD5001/SD5401

马克斯。值

SD5002/SD5402

马克斯。值

单位

绝对最大

符号

参数

漏电流

价值

单位

温度范围

操作

存储

-55到+85

-55到+150

功耗

包

每个器件

640 （镍\\ OTE 1 ）

300 （注2）

注1 ：线性降额因子 - 10.7mW /

C以上25

注2 ：线性降额因子 - 5.0mW /

C以上25

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