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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第428页 > SD5000
SD5000 / SD5400
线性系统的替代停产Siliconix的SD *产品线
SD5000 / SD5400系列四N沟道增强模式横向DMOS开关
SD5000 / SD5400超快的交换机提供更高的精度，
速度和吞吐量，以比JFET的少毛刺或失真
或多路复用器。设计为高频射频操作，
SD5000 / SD5400提供1ns的与切换速度
的70ohms "ON"电阻反向独特的组合，并
.5 PF传输电容。 1.5伏的最大阈值
允许简单的TTL和CMOS驱动的小信号
应用程序。
SD5400 / SD5000可以切换模拟信号高达+/- 10伏，
而SD5401 / SD5001可以切换信号高达+/- 5伏。
所有版本都有门ESD保护齐纳二极管。
产品特点：
四通道SPST开关与稳压输入保护开关
低极间电容和漏
超高速开关吨： 1纳秒
超低反向电容： 0.2 pF的
低导通阈值电压
好处：
高速系统性能
低插入损耗在高频
低传输信号丢失
简单的驱动要求
单电源供电
描述：
该SD5000 / SD5400系列单片开关功能
四个独立的双扩散增强型MOSFET的
建立在一个共同的基片。这些双向器件
提供低导通电阻和低的极间电容
以减少插入损耗和串扰。
基于Siliconix公司的专有DMOS过程中， SD5000 /
SD5400系列采用横向结构，以实现低
电容和超快速开关速度。制造
可靠性，这些器件采用了保护多晶硅栅极
齐纳二极管
SD5000 / SD5400应用：
ATE （自动测试设备）
模拟开关， A / D & D / A转换器
激光驱动器
医学影像
多路转换器，采样保持& ，开关驱动器&愿景
系统
可用性：
SD5400 / SD5401 - 14引脚窄体SOIC
SD5400 / SD5401 - 16引脚窄体SOIC
SD5400 / SD5401 - 裸片和晶圆形式
SD5000N / SD5001N - 16引脚DIP
SD5000N / SD5001N - 裸片和晶圆形式
产品简介：
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +30 V / -25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +25 V / -15 V
栅衬底电压
（ SD5000 ， SD5400 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 30 V / 0.3 V
（ SD5001 ， SD5401 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 25 V / 0.3 V
漏源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
（ SD5001 ， SD5401 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
漏源，衬底电压
（ SD5000 ， SD5400 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.50毫安
焊接温度（ 1/16“从案例10秒） 。 300
°
C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 150
°
C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 150
°
C
如需完整的数据表和机械也压铸细节
请联系Micross组件，
chipcomponents@micross.com
注意：所有封装类型都可以用特殊的电
选择，其中包括裸芯片的形式。
套餐 - 顶视图
双列直插式
窄体SOIC
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com
SD5000/5001/5400/5401
线性集成系统
QUAD N沟道横向
DMOS开关JFET
典型特征
典型特征
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
典型特征（续）
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
典型特征（续）
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
开关时间测试电路
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
SD5000/5001/5400/5401
线性集成系统
QUAD N沟道横向
DMOS开关
齐纳保护
产品概述
特点
四通道SPST开关，具有稳压输入保护
低极间电容和漏
超高速Switching-
吨
： 1纳秒
超低反向电容： 0.2 pF的
低保证
RDS
@5 V
低导通阈值电压
好处
高速系统性能
低插入损耗高
频率
低传输信号丢失
简单的驱动要求
单电源工作
应用
快速模拟开关
快速采样和保持电路
像素率切换
视频开关
多路复用器
DAC Deglitchers
高速驱动器
描述
该SD5000 / 5400系列单片开关有四个
单个双扩散增强型MOSFET的内置
在一个共同的基片上。这些双向器件提供低
导通电阻和低的极间电容，以减少
插入损耗和串扰。
基于Siliconix公司的专有DMOS过程中， SD5000 / 5400
系列采用横向结构，实现低电容和
超快速的开关速度。对于制造产品，这些
器件采用齐纳二极管保护的多晶硅门
在SD 5400分之5000的额定处理
±10-V
模拟信号，
而SD5001 / 5401顷额定
±5-V
信号。
对于封装在TO- 206AF （ TO- 72）和TO-类似产品
253 （ SOT -143 ）见SD211DE / SST211系列。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
绝对最大额定值（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
栅极 - 漏极，栅源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ............................................. ......................... +30 V / -25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ............................................. ......................... +25 V / -15 V
栅衬底电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ............. 30 V / 0.3 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ............. +25 V / 0.3 V
漏源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 20 V
（ SD5001 ， SD5401 ............................. 10 V
漏源，衬底电压（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ........................... 15 V
漏电流................................................ ........................................ 50毫安
焊接温度（ 1/16“从案例10秒） ............................. 300
0
C
存储温度................................................ .................... -65至150
0
C
工作结温............................................... .. -55至150
0
C
功耗
A，B
:
（包） .............................. ... 500毫瓦
（每个设备） ........................................... 300毫瓦
注意事项：
一。 SD5000 / SD5001减免5毫瓦/
0
C以上25
0
C
B 。 SD5400 / SD5401减免4毫瓦/
0
C以上25
0
C
特定网络阳离子
a
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定网络阳离子
a
注意事项：
一。牛逼
A
= 25
0
C除非另有说明。
B 。 B是在主体（基板）和V
（ BR ）
被击穿。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
DMCA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
高速四路DMOS FET
模拟开关阵列
公司
SD5000 / SD5001 / SD5002
SD5400 / SD5401 / SD5402
特点
描述
该SD5000系列是4个双向的单片阵列，
高性能模拟开关与制造
植入的高速，高电压和低电阻
双difused MOS（ DMOS ）处理。
最大
2V阈值允许在简单的TTL和CMOS驱动
小信号的应用。
订购信息
部分
SD5000N
SD5001N
SD5002N
XSD5000
XSD5001
XSD5002
SD5400CY
SD5401CY
SD5402CY
XSD5400
XSD5401
XSD5402
包
塑料DIP封装
塑料DIP封装
塑料DIP封装
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
塑料DIP封装
塑料DIP封装
塑料DIP封装
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
低PropagatiomTime 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600皮秒
低导通电阻
低插入损耗
低电容：
- 模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。典型的3.5pF 。
- 输入（门） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4pF （典型值） 。
- 输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3pF （典型值） 。
- 信息反馈。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3pF （典型值） 。
低串扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -107dB @ 3kHz的
双向操作
应用
模拟开关
音频路由
样品&保持
交叉点开关
菜刀
视频开关
功能框图
SO引脚配置
双列直插式封装
G
1
S
2
S
1
1
2
14
S
1
13
NC
12
G
1
11
D
1
10
D
4
9
8
顶视图
G
4
S
4
D
1
1
16
D
4
15
NC
14
G
4
13
S
4
12
S
3
11
G
3
10
NC
9
顶视图
D
3
1Q-22
D
1
体
体
G
1
S
1
S
2
2
3
4
5
G
2
G
2
3
S
2
D
2
D
2
4
D
3
5
G
3
D
3
S
3
G
3
6
S
3
G
2
6
NC
7
8
G
4
7
D
2
1Q-21
D
4
1Q-20
S
4
基板
CALOGIC公司，
237惠特尼广场，弗里蒙特，加利福尼亚州94539 ，电话： 510-656-2900 ，传真： 510-651-3025
SD5000 / SD5001 / SD5002
SD5400 / SD5401 / SD5402
DC电气特性
T
A
= 25
o
C
符号
V
类似物
参数
模拟信号范围
SD5000/SD5400
民
-10
TYP MAX
+10
SD5001/SD5401
民
-5
TYP MAX
+5
SD5002/SD5402
民
-7.5
TYP MAX
+7.5
V
单位
公司
条件
击穿电压
BV
DS
BV
SD
BV
DB
BV
SB
漏源
源极 - 漏极
漏体
源极 - 体
20
20
25
25
25
10
10
15
15
25
15
15
22.5
22.5
25
V
V
GS
= V
BS
= -5V ，我
D
= 10nA的
V
GD
= V
BD
= -5V ，我
S
= 10nA的
V
GB
= 0V时，我
D
= 10nA的源代码开放
V
GB
= 0V时，我
S
= 10μA ，开漏
漏电流 - SD5000 / SD5400
I
DS （关闭）
I
SD （OFF）的
I
GBS
漏源
源极 - 漏极
门
1.0
1.0
10.0
10.0
1.0
nA
nA
A
V
GS
= V
BS
= -5V, V
DS
= 20V
V
GD
= V
BD
= -5V, V
SD
= 20V
V
DB
= V
SB
= 0V, V
GB
= 30V
漏电流 - SD5001 / SD5401
I
DS （关闭）
I
SD （OFF）的
I
GBS
漏源
源极 - 漏极
门
1.0
1.0
10.0
10.0
1.0
nA
nA
A
V
GS
= V
BS
= -5V, V
DS
= 10V
V
GD
= V
BD
= -5V, V
SD
= 10V
V
DB
= V
SB
= 0V, V
GB
= 25V
漏电流 - SD5002 / SD5402
I
DS （关闭）
I
SD （OFF）的
I
GBS
V
T
漏源
源极 - 漏极
门
阈值电压
漏源
阻力
匹配Resiatance
0.1
1.0
50
30
23
19
1
2.0
70
0.1
1.0
50
30
23
19
1
2.0
70
0.1
1.0
1.0
1.0
50
30
23
19
1
10.0
10.0
1.0
2.0
70
nA
nA
A
V
V
GS
= V
BS
= -5V, V
DS
= 15V
V
GD
= V
BD
= -5V, V
SD
= 15V
V
DB
= V
SB
= 0V, V
GB
= 30V
V
DS
= V
GS
= V
T
, V
SB
= 0V时，我
D
= 1A
V
GS
= 5V, V
SB
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V, V
SB
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 15V, V
SB
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 20V, V
SB
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 5V
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
5
5
5
AC电气特性
T
A
= 25
o
C
符号
g
fs
电容
C
G
C
D
C
S
C
DG
C
T
门节点
漏极节点
源节点
反向传输
相声
2.4
1.3
3.5
0.3
107.0
3.5
1.5
4.0
0.5
参数
正向跨导
民
10
典型值
12
最大
单位
mS
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 20mA时， V
SB
= 0V ， F = 1kHz时
pF
V
DS
= 10V ， F = 1MHz时， V
GS
= V
BS
= -15V
dB
F = 3千赫，R
G
= 600
开关特性
T
A
= 25
o
C
符号
t
D（上）
t
r
t
关*
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
民
典型值
0.7
0.8
10.0
最大
1.0
1.0
纳秒
单位
条件
R
L
= 680, R
G
= 51
V
DD
= 5V
V
G（ ON）的
= 10V
*t
关闭
是依赖于RL和C ，并且不依赖于设备的特性。
CALOGIC公司，
237惠特尼广场，弗里蒙特，加利福尼亚州94539 ，电话： 510-656-2900 ，传真： 510-651-3025
公司
SD5000 / SD5001 / SD5002
SD5400 / SD5401 / SD5402
绝对最大额定值
符号
击穿电压
V
DS
V
SD
V
DB
V
SB
V
GS
V
GB
V
GD
漏源
源极 - 漏极
漏体
源极 - 体
栅极 - 源
门体
栅极 - 漏极
20
20
25
25
30/ - 25
30/ - 0.3
30/ - 25
10
10
15
15
25/ - 15
25/ - 0.3
30/ - 15
15
15
22.5
22.5
30/ - 22.5
30/ - 0.3
30/ - 22.5
V
参数
SD5000/SD5400
马克斯。值
SD5001/SD5401
马克斯。值
SD5002/SD5402
马克斯。值
单位
绝对最大
符号
I
D
参数
漏电流
价值
50
单位
mA
温度范围
T
J
T
S
操作
存储
-55到+85
-55到+150
o
C
功耗
P
D
P
D
包
每个器件
640 （镍\\ OTE 1 ）
mW
300 （注2）
注1 ：线性降额因子 - 10.7mW /
o
C以上25
o
C
注2 ：线性降额因子 - 5.0mW /
o
C以上25
o
C
CALOGIC公司，
237惠特尼广场，弗里蒙特，加利福尼亚州94539 ，电话： 510-656-2900 ，传真： 510-651-3025
SD5000
RF &微波晶体管
通用线性应用
.
.
.
.
.
.
.
初步数据
镀金
辐射源现场压载
内部输入匹配
叠加几何
金属/陶瓷封装
共发射极配置
P
OUT
=
1.5瓦最小。 9.5 dB增益
.280 4L螺柱（ M122 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD5000
BRANDING
S10A015
引脚连接
描述
该SD5000是NPN硅晶体管设计
高增益，在1000 MHz的线性性能。
这部分采用金色金属模具和多晶硅
站点压载，以实现高的可靠性和rug-
gedness 。
该SD5000可用于应用如
如电信，雷达，电子对抗，空间和
其他商业及军事系统。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
50
50
3.5
1.0
7.0
+200
65 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
25
° C / W
1/4
1992年11月
SD5000
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
VALU ê
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
EBO
BV
CES
BV
首席执行官
I
CBO
h
FE
动态
符号
I
C
=
10mA
I
E
=
5mA
I
C
=
10mA
I
C
=
5mA
V
CB
=
28V
V
CE
=
5V
I
C
=
100mA
50
3.5
50
23
—
18
—
—
—
—
0.2
—
—
—
—
—
—
200
V
V
V
V
mA
—
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
1分贝F
=
1 GHz的
G
P
VSWR
C
OB
:
V
CC
=
20 V
V
CC
=
20 V
V
CC
=
20 V
V
CB
=
20 V
I
C
=
220毫安
I
C
=
220毫安
I
C
=
220毫安
1.5
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
25:1
4.0
W
dB
—
pF
f
=
1 GHz的
f
=
1 GHz的
f
=
1兆赫
2/4
SD5000
阻抗数据
频率。
1000兆赫
Z
IN
(
)
4.0 + j 3.3
Z
CL
(
)
20.8 + j 33.3
测试电路
B1 ， B2 ：铁氧体磁珠
C1,C2
C3
C4
C5,C6
C7,C8
： 120 pF的贴片电容
： 0.4 - 2.5 pF的电容约翰森
： 0.8 - 8 pF的电容约翰森
： 220 pF的贴片电容
C9 ， C10 ： 1000 pF的贴片电容
C11
: .1
F的电容
C12 ， C13 ：15,000 pF的EMI滤波器
L1,L2
： 5打开畅通;钢丝直径0.025 “ ，内径0.125 “
衬底材料：呃
=
10.2, H
=
.050 “ ， 1盎司铜
3/4
SD5000
包装机械数据
参考：的Dwg 。 12-0122号
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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4/4
SD5000/5001/5400/5401
线性集成系统
QUAD N沟道横向
DMOS开关
齐纳保护
产品概述
特点
四通道SPST开关，具有稳压输入保护
低极间电容和漏
超高速Switching-
吨
： 1纳秒
超低反向电容： 0.2 pF的
低保证
RDS
@5 V
低导通阈值电压
好处
高速系统性能
低插入损耗高
频率
低传输信号丢失
简单的驱动要求
单电源工作
应用
快速模拟开关
快速采样和保持电路
像素率切换
视频开关
多路复用器
DAC Deglitchers
高速驱动器
描述
该SD5000 / 5400系列单片开关有四个
单个双扩散增强型MOSFET的内置
在一个共同的基片上。这些双向器件提供低
导通电阻和低的极间电容，以减少
插入损耗和串扰。
基于Siliconix公司的专有DMOS过程中， SD5000 / 5400
系列采用横向结构，实现低电容和
超快速的开关速度。对于制造产品，这些
器件采用齐纳二极管保护的多晶硅门
在SD 5400分之5000的额定处理
±10-V
模拟信号，
而SD5001 / 5401顷额定
±5-V
信号。
对于封装在TO- 206AF （ TO- 72）和TO-类似产品
253 （ SOT -143 ）见SD211DE / SST211系列。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
绝对最大额定值（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
栅极 - 漏极，栅源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ............................................. ......................... +30 V / -25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ............................................. ......................... +25 V / -15 V
栅衬底电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ............. 30 V / 0.3 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ............. +25 V / 0.3 V
漏源电压
（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 20 V
（ SD5001 ， SD5401 ............................. 10 V
漏源，衬底电压（ SD5000 ， SD5400 ） ........................... 25 V
（ SD5001 ， SD5401 ） ........................... 15 V
漏电流................................................ ........................................ 50毫安
焊接温度（ 1/16“从案例10秒） ............................. 300
0
C
存储温度................................................ .................... -65至150
0
C
工作结温............................................... .. -55至150
0
C
功耗
A，B
:
（包） .............................. ... 500毫瓦
（每个设备） ........................................... 300毫瓦
注意事项：
一。 SD5000 / SD5001减免5毫瓦/
0
C以上25
0
C
B 。 SD5400 / SD5401减免4毫瓦/
0
C以上25
0
C
特定网络阳离子
a
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定网络阳离子
a
注意事项：
一。牛逼
A
= 25
0
C除非另有说明。
B 。 B是在主体（基板）和V
（ BR ）
被击穿。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
DMCA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
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