【SD4931射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET特点■■■■■提高耐用性V】,IC型号SD4931,SD4931 PDF资料,SD4931经销商,ic,电子元器件-51电子网

SD4931

射频功率晶体管

HF / VHF / UHF N沟道MOSFET

特点

■

提高耐用性V

（ BR ） DSS

＆ GT ; 200 V

优良的热稳定性

20 ： 1的所有阶段装载能力不匹配

OUT

= 150瓦分钟。

14.8 dB增益@ 175 MHz的

符合2002/95 / EC欧洲

指示

M174

环氧树脂密封

描述

该SD4931是一个N沟道MOS场效应射频

功率晶体管。它被设计用于在50伏直流

大信号应用高达250 MHz 。

图1 。

引脚连接

1.漏

2.源

3.门

4.源

表1中。

设备简介

记号

SD4931

(1)

基地数量。

25个

包

M174

包装

(1)

塑料托盘

订货编号

SD4931

1.欲了解更多详细信息，请参阅

第5章：标志，包装和运输规范..

2011年5月

文档ID 15486牧师3

1/13

www.st.com

SD4931

电气数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

1.1

1.2

最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

热数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

静态的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

动态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

典型表现。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

标志，包装和运输规范。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12

2/13

文档ID 15486牧师3

SD4931

电气数据

1.1

电气数据

最大额定值

表2中。

符号

（ BR ） DSS

DGR

DISS

英镑

绝对最大额定值（T

例

= 25°C)

参数

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1 M)

栅源电压

漏电流

功耗

马克斯。工作结温

储存温度

价值

200

±20

389

200

-65到+150

单位

°C

1.2

热数据

表3中。

符号

thJC

热数据

参数

结 - 壳热阻

价值

0.45

单位

° C / W

文档ID 15486牧师3

3/13

电气特性

SD4931

电气特性

例

= +25 °C

2.1

STATIC

表4 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= 0 V

= 20 V

= 250 V

= 10 V

= 0 V

= 10 A

= 2.5 A

= 50 V

F = 1 MHz的

2.5

STATIC

测试条件

= 100毫安

= 100 V

= 0 V

1.5

2.5

3.5

4.0

500

200

民

200

250

4.0

5.0

典型值

最大

单位

2.2

动态

表5 。

符号

1dB

= 50 V

动态

测试条件

= 250毫安

F = 175 MHz的

民

150

10:1

典型值

175

14.8

20:1

最大

单位

VSWR

= 50 V I

= 250毫安P

OUT -

150W， F = 175 MHz的

= 50 V I

= 250毫安P

OUT

= 150W， F = 175 MHz的

= 50 V I

= 250毫安P

OUT -

150W， F = 175 MHz的

负载

匹配所有相位角

4/13

文档ID 15486牧师3

SD4931

典型性能

图2中。

瞬态热阻抗

文档ID 15486牧师3

5/13

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