高速DMOS
N沟道开关
公司
SD404
特点
描述
该SD404是一个N沟道增强型器件
与Calogic的超高速横向DMOS处理
技术。该SD404是一个极好的开关驱动器或模拟
开关。它的低门槛，提供设计人员一个优势
施加低的好处上电阻和高速
切换到低压电路。
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
SD404BD塑料TO- 92封装
SD404CY SOT- 89表面贴装
XSD404
在运营商排序芯片
高速交换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
r
< 2ns的
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
RSS
1.2pF典型
低导通电阻
最大
很阈值。 。 。 。 。 。 。 .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 0.8 。欧姆1.5V
低
.. <
CMOS和TTL兼容输入
可在表面贴装封装
DRIVERS
SwitchSwitches
视频
VHF / UHF放大器
应用
引脚配置
原理图
TO-92
漏
(2)
门
(3)
D
s克
CD3
来源
(1)
G
S（ TAB ）
D
SOT-89
产品标识
TO-92
SOT-89
SD4040B
SD404
SD404
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 20V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
+20V
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
+20V
源极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
峰值漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 0.8A
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
功率耗散（达到或低于T
A
= +25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0MW /
o
C
工作结存储
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
电气特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
BV
DSS
I
D（关闭）
I
GSS
I
D（上）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
动态
政府飞行服务队
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
TD （上）
t
r
t
（关闭）
共源正向跨导
共源输入电容
共源输出电容
共源反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭时间
100
12
6.0
1.2
1.0
1.0
1.0
18
8.0
2.0
1.5
2.0
ns
V
DD
= 10V ，R
L
= 390
V
G（ ON）的
= 10V ，R
G
= 51
C
L
=取1.5pF
pf
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
F = 1MHz的
mS
I
D
= 0.3A V
DS
= 20V
F = 1kHz时
（注1 ）
漏源击穿电压
漏源断漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏源电流
门源阈值电压
漏源电压
漏源导通电阻
漏源电压
漏源导通电阻
0.8
0.5
1.2
1.1
1.5
200
20
800
8.0
20
25
1.0
10
V
A
A
A
V
mV
欧
mV
欧
I
D
= 1.0μA ，V
GS
=0
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 10 V （注1 ）
I
D
= 1.0μA ，V
DS
= V
GS
I
D
= 10毫安
V
GS
= 2.4V
（注1 ）
I
D
= 100毫安
V
GS
= 4.5V
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
注1 ：脉冲测试， 80μSec ， 1 ％占空比
开关时间测试电路
V
DD
R
L
V
OUT
输入脉冲
_
t
<
0.5纳秒
脉宽 - 100纳秒
采样示波器
t
r
< 0.36纳秒
R
in
> 1M
C
in
< 2.0 pF的
测试波形
V
G（ ON）的
V
in
0
10%
t
D（上）
t
关闭
t
秋天
t
D（关闭）
90%
90%
V
G
510
R
G
t
on
t
r
V
DD
V
OUT
~ 0V
~
10%
90%
51
示波器
10%
SD404
公司
典型性能特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
正向跨导
-VS-
在漏极电流
175
g
fs
-forward Transconductance- （毫姆欧）
电容
-VS-
漏源电压
20
V
GS
= 0
F = 1MHz的
c
国际空间站
12
8.0
4.0
c
OSS
150
125
100
75
50
25
电容（pF）
V
DS
= 20V
F = 1kHz时
脉冲测试
80
美国证券交易委员会
1 ％占空比
16
c
RSS
0
5.0
10
15
20
25
V
DS
- 漏 - 源极电压（伏特）
0
50
100
150
200
250
300
350
10.0
6.0
4.0
2.0
1.0
0.6
0.4
0.2
0.1
0.06
I
D
- 漏电流 - （ mA）的
漏源导通电阻
-VS-
栅源电压
35
脉冲测试
80
美国证券交易委员会
1 ％占空比
I
D（上）
-ON漏电流（安培）
在漏极电流
-VS-
栅源电压
V
DS
= 10V
脉冲测试
80
美国证券交易委员会
1 ％占空比
30
r
DS （ ON）
导通电阻（欧姆）
T
A
= +25 C
o
25
20
I
D
= 100毫安
15
10
I
D
= 10毫安
5.0
T
A
= +125
o
C
0.04
0.02
I
D' Z'
40mA
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
0.01
0
12
2.0 4.0 6.0 8.0 10
V
GS
-Gate - 源极电压（伏特）
14
V
GS
-Gate-源极电压（伏特）
QQ：2881677436 复制
