高速DMOS
N沟道开关
公司
SD403
特点
描述
该Calogic SD403是一个N沟道增强型
横向DMOS FET 。本产品具有极低的电容，
(c
RSS
< 0.4pf典型值），使高速开关（T
r
1ns).
该SD403是一个高增益器件（ 19mmhos ），并具有良好的
用于采样和保持电路的性能值，视频
开关和开关驱动器，其中较低的电容和高
高速开关是至关重要的。
订购信息
部分
包
温度范围
-55到+125
o
C
-55到+125
o
C
-55到+125
o
C
SD403BD塑料TO- 92
SD403CY SOT -143表面贴装
XSD403
在运营商排序芯片
超高速开关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
r
< 1ns的
非常低的电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
RSS
0.4pf典型
CMOS和TTL兼容。输入。 。 。 。 。 。 40欧姆的典型
低导通电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
开关驱动器
视频开关
采样和保持
跟踪和保持
VHF / UHF放大器
应用
引脚配置
原理图
漏
(2)
TO-92
门
(3)
来源
(1)
D
s克
TO-92
CD1-1
门（3）
漏（2）
漏
(2)
体
(4)
门
(3)
SOT-143
体（4）
源（1）
产品标识
SD403CY
SD403
来源
(1)
SOT-143
SD403
公司
绝对最大额定值
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
+20V
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
+20V
源极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
A
= +25
o
C） 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0MW /
o
C
工作结存储
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
电气特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
BV
DSS
I
D（关闭）
I
GSS
I
D（上）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
动态
政府飞行服务队
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
TD （上）
t
r
t
（关闭）
共源正向跨导
共源输入电容
共源输出电容
共源反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭时间
15
19
4.5
2.0
0.4
0.8
0.9
1.4
6.0
3.0
0.6
1.2
1.2
ns
V
DD
= 10V ，R
L
= 680
V
G（ ON）的
= 10V ，R
G
= 51
C
L
=取1.5pF
pf
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
F = 1MHz的
mS
I
D
= 20mA下V
DS
= 10V,
F = 1kHz时
脉冲测试
漏源击穿电压
漏源断漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏源电流
门源阈值电压
漏源电压
漏源导通电阻
漏源电压
漏源导通电阻
80
0.3
140
140
40
40
120
1.5
175
175
60
60
15
25
1.0
1.0
V
A
A
mA
V
mV
欧
mV
欧
I
D
= 1mA时， V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0μA ，V
GS
=0
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 10 V脉冲测试
I
D
= 1.0Α, V
DS
= V
GS
I
D
= 1mA时， V
GS
= 2.4V
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
开关时间测试电路
V
DD
R
L
V
OUT
输入脉冲
_
t
<
0.5纳秒
脉宽 - 100纳秒
采样示波器
t
r
< 0.36纳秒
R
in
> 1M
C
in
< 2.0 pF的
测试波形
V
G（ ON）的
V
in
0
10%
t
D（上）
t
关闭
t
秋天
t
D（关闭）
90%
90%
V
G
510
R
G
t
on
t
r
V
DD
V
OUT
~ 0V
~
10%
90%
51
示波器
10%
SD403
公司
典型性能特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
在漏极电流
-VS-
栅源电压
200
r
DS （ ON）
- 漏源通电阻 - （欧姆）
I
D（上）
-ON漏电流 - （ mA）的
漏源导通电阻
-VS-
栅源电压
175
I
D
= 1.0毫安
150
125
100
75
50
T
A
= +125
o
C
25
T
A
= +25 C
0
6.0
2.0
4.0
8.0
10
V
GS
-Gate - 源极电压（伏特）
o
V
DS
= 10V
脉冲测试
160 80
美国证券交易委员会
1 ％占空比
120
T
A
= +25 C
80
I
D' Z'
7.5mA
40
T
A
= +125
o
C
o
0
4.0
6.0
8.0
10
2.0
V
GS
-Gate - 源极电压（伏特）
正向跨导
-VS-
在漏极电流
35
g
fs
-forward Transconductance- （毫姆欧）
30
25
20
15
10
5.0
V
DS
= 10V
F = 1kHz时
脉冲测试
80
美国证券交易委员会
1 ％占空比
T
A
= +25 C
o
T
A
= +125 C
o
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
- 漏电流（mA ）
QQ：2880707522 复制
