高速模拟
N通道/增强模式
DMOS场效应管
SD400 / SD402
特点
描述
公司
快速切换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
on
<1ns
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
RSS
0.3 pF的（典型值）
......... ....
低门槛.Compatible 。输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <1.5V最大
CMOS和TTL
开关驱动器
视频开关
有源上拉
VHF / UHF放大器
应用
在SD400和SD402是N沟道增强模式
设备经过加工利用Calogic专有的高速，
低电容横向DMOS技术。这些设备是
出色的开关驱动器，其中低门槛提供
设计师的CMOS的优点和TTL兼容
超高速开关。
订购信息
部分
SD400BD
SD402BD
XSD400
XSD402
包
塑料TO- 92
塑料TO- 92
在运营商排序芯片
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
引脚配置
原理图
漏
(2)
TO-92
门
(3)
来源
(1)
CD1-1
D
s克
7-74
SD400 / SD402
公司
绝对最大额定值
(T
C
= +25
o
C除非另有说明）
V
DS
V
GS
V
DG
漏源电压
SD400 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 30V
SD402 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 15V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
+20 V
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
+20 V
V
SD
I
D
源极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
功率耗散（达到或低于T
C
= +25
o
C） 。 。 300mW的
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0毫瓦/
o
C
操作和存储
结温范围。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
电气特性
(T
A
= +25
o
C除非另有说明）
SD400
符号
STATIC
BV
DSS
I
D（关闭）
I
GSS
I
D（上）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
动态
g
fs
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
t
D（上）
t
r
t
（关闭）
共源转发
跨
共源输入电容
共源输出电容
共源反向传输
电容
打开延迟时间
上升时间
关闭时间
8.0
12
4.0
1.8
0.3
0.7
0.8
12
5.0
2.5
0.5
1.0
1.0
8.0
12
4.0
1.8
0.3
0.7
0.8
12
5.0
2.5
0.5
1.0
1.0
ns
V
DD
= 10 V ，R
L
= 680
V
G（ ON）的
= 10 V ，R
G
= 51
C
L
= 1.5 pF的
pF
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
F = 1 MHz的
mS
I
D
能力= 20 mA ，V
DS
= 10 V
F = 1 kHz脉冲测试
漏源击穿电压
漏源断漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏源电流
门源阈值电压
漏源电压
漏源导通电阻
漏源电压
漏源导通电阻
50
0.7
150
150
60
60
100
1.5
250
250
80
80
30
35
1.0
1.0
50
0.7
150
150
60
60
100
1.5
250
250
80
80
15
25
1.0
1.0
V
A
A
mA
V
mV
I
D
= 1毫安， V
GS
= 2.4 V
欧
mV
I
D
= 1毫安， V
GS
= 4.5 V
欧
I
D
= 1.0μA ，V
GS
= 0
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 1.0
A,
V
DS
= V
GS
特征
民
典型值
最大
民
典型值
最大
SD402
单位
测试条件
7-75
QQ：2881677436 复制
