【SD1905高频/甚高频功率MOSFETN沟道增强模式描述：该ASI SD1905是专为通用A级，】,IC型号SD1905,SD1905 PDF资料,SD1905经销商,ic,电子元器件-51电子网

SD1905

高频/甚高频功率MOSFET

N沟道增强模式

描述：

该

ASI SD1905

是专为

通用A级， B电源

放大器的应用高达200 MHz 。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

产品特点：

= 13 dB的典型频率为200 MHz

常见源配置

Omnigold

金属化系统

.125 NOM 。

，完全R

.125

最大额定值

（ BR ） DSS

DGR

DISS

英镑

8.4 A

65 V

20 V

117 W @ T

= 25 °C

-65℃ + 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

1.5 ° C / W

暗淡

.240 / 6.10

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

无

特征

符号

DSS

GSS

国际空间站

OSS

RSS

= 10毫安

= 28 V

= 0 V

= 10 A

= 25°C

测试条件

= 0 V

= 20 V

= 10 V

最低

典型的最大

5.0

1.0

单位

莫氏

= 28 V

= 0 V

= 25毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 45 W

F = 150 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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高频/甚高频功率MOSFET

N沟道增强模式

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是专为

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= 13 dB的典型频率为200 MHz

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= 25 °C

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1.5 ° C / W

暗淡

.240 / 6.10

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

无

特征

符号

DSS

GSS

国际空间站

OSS

RSS

= 10毫安

= 28 V

= 0 V

= 10 A

= 25°C

测试条件

= 0 V

= 20 V

= 10 V

最低

典型的最大

5.0

1.0

单位

莫氏

= 28 V

= 0 V

= 25毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 45 W

F = 150 MHz的

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