SD1540-08
RF &微波晶体管
航空电子应用
.
.
.
.
.
.
.
.
.
专为高功率脉冲
IFF ， DME ，塔康应用
350瓦（典型值）， IFF一〇三〇年至1090年兆赫
300瓦（分钟） DME 1025至1150年兆赫
290瓦（典型值），塔康960 - 1215兆赫
6.3分贝MIN 。 GAIN
耐火材料镀金
发射极平衡和低
热阻
可靠性和耐用性
20 ： 1 VSWR负载能力的AT
指定的运行条件
输入/输出匹配COMMON
基本配置
.400 X .400 。 2LFL （ M138 ）
密封式
订货编号
SD1540-08
BRANDING
SD1540-8
引脚连接
描述
该SD1540-08是一个金的金属化硅， NPN型
专为需要应用功率晶体管
高的峰值功率和低占空比如
IFF ， DME和TACAN 。该SD1540封装
在金属/陶瓷封装，内部输入/输出
认沽匹配从而提高宽带per-
性能和低的热电阻。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
22
875
+200
65 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1992年11月
0.20
° C / W
1/5
SD1540-08
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
10mA
I
C
=
25mA
I
E
=
5mA
V
CE
=
50V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
V
BE
=
0V
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
1A
65
65
3.5
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
η
C
注意：
f
=
1025 - 1150MHz P
IN
=
70 W
f
=
1025 - 1150MHz P
IN
=
70 W
f
=
1025 - 1150MHz P
IN
=
70 W
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
300
6.3
35
—
—
—
—
—
—
W
dB
%
PULSE W ID
=
10
秒，占空比
=
1%
此设备是自成一表F或者在其他脉冲WIDT H /占空比康迪特离子使用。
请与事实储器为特定APPLI猫离子阿西立场。
典型性能
功率输出VS电源输入
功率输出与频率
2/5
SD1540-08
测试电路
外形尺寸为英寸
C1,C2.
C3 ， C4 ： 0.6 - 4.5pF的JOHANSON Gigatrim
C5
: 1000
楼63V ，电解
C6
： 100pF电容贴片电容两端0.090峡
L1
L2
2打开＃ 24 0.12内径，间距线径
4打开24 ＃ ， 0.07内径，间距线径
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
.404 x .075
.263 x .995
.483 x .077
.350 x 1.203
0.505 X 1.200有两个缺口0.05龙
由0.068宽
: .335 x .076
: .260 x .442
: .310 x .082
:
:
:
:
:
4/5
SD1540-08
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0138
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权使用ascritical组件生命支持设备或系统不明确
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1994年SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
QQ：2881677436 复制
