SD1530-08
RF &微波晶体管
航空电子应用
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专为高功率脉冲
IFF ， DME ，塔康应用
40瓦（典型值）， IFF 1030至1090年兆赫
35瓦（分钟） DME 1025年至1150年兆赫
25瓦（典型值）塔康960 - 1215兆赫
9.0分贝MIN 。 GAIN
耐火材料镀金
发射极平衡和低
热阻
可靠性和耐用性
INFINITE负载VSWR能力的AT
指定的运行条件
输入匹配的公共基
CON组fi guration
.250 SQ 。 2LFL （ M105 ）
密封式
订货编号
SD1530-08
ING品牌
1530-8
引脚连接
描述
该SD1530-08是一个金的金属化硅， NPN型
专为需要应用功率晶体管
高的峰值功率和低占空比如
IFF ， DME和TACAN 。该SD1530-08是封装
年龄在.250“输入匹配的气密性带状线
从而提高了宽带凸缘包
性能和低的耐热性。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.基
3.辐射源
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
2.6
87.5
+200
65 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1993年8月
2.0
° C / W
1/5
SD1530-08
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
10毫安
I
C
=
25毫安
I
E
=
1毫安
V
CE
=
50 V
V
CE
=
5 V
I
E
=
0毫安
V
BE
=
0 V
I
C
=
0毫安
I
E
=
0毫安
I
C
=
500毫安
65
65
3.5
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
5
200
V
V
V
mA
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
P
G
η
c
注意：
f
=
1025
1150兆赫P
IN
=
5.0 W
f
=
1025
1150兆赫P
IN
=
5.0 W
f
=
1025
1150兆赫P
IN
=
5.0 W
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
35
8.5
30
—
—
—
—
—
—
W
dB
%
PULSE W ID
=
10
秒，占空比
=
1%
他的装置适用于根据其他脉冲的Wi第d /占空比conditi组件使用。
请联系厂家为特定应用提供援助。
典型性能
功率输出VS电源输入
2/5
SD1530-08
测试电路及PCB布局
C1 ， C3 ： 0.6 - 4.5pF的，约翰森Gigatrim
C2
： 470pF的ATC贴片电容
C4
： 1000pF的ATC贴片电容
C5
: 1000
楼63V电解电容
L1
Z1
Z2
Z3
4.5打开＃ 22 AWG电线
： 500毫米线
： 0.450 “线线长0.600 ”
: 50
分流线
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
:
:
:
:
:
:
.110” x .490”
.250” x .700”
.250” x .225”
地
.185” x .360”
.180” x .120”
4/5
SD1530-08
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0105转。 B
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1994
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