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SD1476
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1476
是一个平面型晶体管
采用扩散发射极镇流
电阻器高线性AB类
在VHF频段和1电视操作
发射机和换位。
包装风格.450 BAL FLG （B ）
A
.120 x 45°
B
，完全R
E D
C
M
产品特点：
共发射极
P
G
= 12分贝240W / 88兆赫
Omnigold
金属化系统
.208
F
.210
I
.050 NOM 。
G
H
4X.060
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
25 A
70 V
40 V
4.0 V
430 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.4 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
.445 / 11.30
.120 / 3.25
.411 / 10.44
.825 / 20.96
.525 / 13.34
1.255 / 31.88
1.675 / 42.55
.002 / 0.05
.095 / 2.41
.115 / 2.92
最低
英寸/毫米
与信
L
最大
英寸/毫米
.373 / 9.47
.205 / 5.21
.385 / 9.78
.130 / 3.30
.421 / 10.69
.865 / 21.97
.535 / 13.59
1.265 / 32.18
1.685 / 42.80
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.135 / 3.43
.250 / 6.35
.457 / 11.61
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
首席执行官
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
E
= 20毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 32 V
I
C
= 2× 400毫安
P
OUT
= 240 W
I
C
= 7.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 88 MHz的
最小典型最大
70
40
4.0
10
10
50
220
12
50
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
SD1476
RF &微波晶体管
电视/线性应用
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
55 - 88 MHz的
32伏
共发射极
镀金
内部输入匹配
AB类推挽
高饱和功率特性
DIFFUSED辐射源镇流器
电阻器
专为高功率线性
手术
P
OUT
=
240W的MIN 。 12.0 dB增益
2× 0.437 X 0.450 2LFL （ M165 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD1476
BRANDING
SD1476
引脚连接
描述
该SD1476是金金属硅外延
采用扩散发射极NPN镇流器平面晶体管
电阻器高线性AB类操作
VHF频段和我电视发射机和收发
做作。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.基
3.辐射源
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
70
40
4.0
25
430
+200
50 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1992年11月
0.4
° C / W
1/8
SD1476
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
动态
符号
I
C
=
50mA
I
C
=
50mA
I
C
=
100mA
I
E
=
20mA
V
CE
=
30V
V
CB
=
30V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
R
BE
=
51
I
B
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
7A
70
68
40
4.0
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
50
V
V
V
V
mA
mA
—
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
*
G
P
η
c
C
OB
注意：
f
=
88兆赫
f
=
88兆赫
f
=
88兆赫
f
=
1兆赫
V
CE
=
32 V
V
CE
=
32 V
V
CE
=
32 V
V
CB
=
28 V
I
CQ
=
2× 400毫安
I
CQ
=
2× 400毫安
I
CQ
=
2× 400毫安
240
12
50
—
—
—
—
—
—
—
—
220
W
dB
%
pF
* 1 dB压缩
2/8
SD1476
典型性能
功率输出VS电源输入
功率增益与频率
热电阻与案例
温度
集热效率与频率
3/8
SD1476
阻抗数据
典型输入
阻抗
Z
IN
典型集热器
负载阻抗
Z
CL
频率。
55兆赫
65兆赫
75兆赫
90兆赫
P
OUT
=
240 W
V
CC
=
32 V
Z
IN
(
)
1.7 j 1.0
1.5 + j 1.3
1.0 + j 1.1
0.8 + j 0.4
Z
CL
(
)
6.1 + j 1.0
7.0 + j 2.1
6.2 + j 2.0
3.4 + j 4.4
4/8
SD1476
印刷电路板布局
5/8
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SM6452AM
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SF05S1205A
ST150A16
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