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SD12CT1
瞬态电压
抑制器
双向ESD保护
超低钳位电压
http://onsemi.com
该SD12C旨在保护电压敏感元件从
ESD和瞬态电压事件。出色的钳位能力,低
漏,并快速响应时间,使该器件非常适合ESD保护
在设计电路板空间非常珍贵。由于其体积小,它
适于用在移动电话,便携式设备,数码相机,
电源和许多其它便携式应用。
规格特点:
峰值功率 - 350 W( 8月20日
女士)
低漏
低钳位电压
小包装用于便携式电子产品的使用
符合IEC61000-4-2第4级
符合IEC6100-4-4 4级
会见16 kV的人体模型ESD要求
无铅包装是否可用
2
1
SOD323
CASE 477
风格1
标记图
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
环氧符合UL 94 V- 0
安装位置:
任何
合格MAX回流焊温度:
260°C
ZK M
G
G
器件符合MSL 1的要求
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
ZK =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
SD12CT1
SD12CT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年2月 - 第1版
出版订单号:
SD12CT1/D
SD12CT1
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
@ T
L
25°C
IEC 61000-4-2 ( ESD )
IEC 61000-4-4 ( EFT )
器件总功耗FR - 5局,
(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大(持续10秒)
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
635
-65到+150
260
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
空气
联系
符号
P
pk
价值
350
±30
±30
40
单位
W
kV
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.最小焊接足迹。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
I
T
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
I
PP
I
I
R
V
RWM
V
BR
V
C
I
T
V
I
PP
双向TVS
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
额外的钳位电压
最大峰值脉冲电流
电容
条件
(注2 )
I
T
= 1毫安, (注3)
V
RWM
= 12 V
I
PP
= 5 A, ( 8 ×20
毫秒
波形)
I
PP
= 15 A, ( 8 ×20
毫秒
波形)
8 x 20
毫秒
波形
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
V
R
= 12 V , F = 1兆赫
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
I
PP
C
j
64
36
13.3
1.0
19
24
15
典型值
最大
12
单位
V
V
mA
V
A
pF
根据工作峰值反向电压2. TVS器件通常被选定(Ⅴ
RWM
) ,这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
3. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
http://onsemi.com
2
SD12CT1
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE摹
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
0.031
0.000
H
E
D
b
1
2
E
A3
A
L
注5
C
注3
A1
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
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3
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