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SD1134
RF &微波晶体管
UHF移动应用程序
.
.
.
.
.
450 - 512兆赫
12.5伏
效率55 ％
共发射极
P
OUT
=
为2.0W MIN 。 10.0 dB增益
.280 4L螺柱（ M122 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD1134
BRANDING
SD1134
引脚连接
描述
该SD1134是12.5 V C级硅外延
NPN平面晶体管设计主要是针对UHF
通信。该器件采用改进的我 -
tallization实现无限VSWR的额定能操作
阿婷条件。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
价值
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
36
16
36
4.0
0.75
5
+200
65 150
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
° C / W
1/4
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1992年11月
35
SD1134
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
动态
符号
I
C
=
5mA
I
C
=
25mA
I
E
=
1mA
V
CB
=
15V
V
CE
=
5V
V
BE
=
0V
I
B
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
100mA
36
16
4.0
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
1
—
V
V
V
mA
—
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
C
OB
f
=
470兆赫
f
=
470兆赫
f
=
1兆赫
P
IN
=
0.20 W
P
IN
=
0.20 W
V
CB
=
12 V
V
CC
=
12.5 V
V
CC
=
12.5 V
2.0
10.0
—
—
—
6
—
—
—
W
dB
pF
典型性能
功率输出&集热器
效率与输入功率
功率输出与频率
电容VS电压
2/4
SD1134
阻抗数据
典型输入
阻抗
Z
IN
典型集热器
负载阻抗
Z
CL
频率。
450兆赫
470兆赫
512兆赫
Z
IN
(
)
2.7 + j 0.9
2.6 + j 1.3
2.2 + j 1.7
Z
CL
(
)
11.5
j 15.0
12.2
j 13.5
12.7
j 13.0
测试电路
C1
： 0.8-10pF ， Voltronics AJ10
C2,
： ATC 100 -B ， 7.5pF ，贴片电容
C3 ， C4 ： ATC 100 -B ， 24pF ，贴片电容
C5
： ATC 100 -B ， 5.6pF ，贴片电容
C6
： 0.6-6pF ，约翰森
C7
： ATC 100 -B ， 200pF的，贴片电容
C8
: 5.6
μF电解
C9
C10
L1
R1
RFC
:
:
:
:
:
0.1
楼盘，陶瓷
0.01
楼盘，陶瓷
2打开＃ 22漆包线0.1 “内径
360
1/4 “宽
2变成了Ferroxcube公司VK 200 / 19-4B
板材质： 3M -K- 6098 1/16 “厚
3/4
SD1134
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0122
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权使用ascritical组件生命支持设备或系统不明确
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1994年SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
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4/4
SD1134
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASi的
SD1134
是专为
C类UHF通信
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
C
E
B
产品特点：
P
G
= 10 dB（典型） ，在470 MHz的
Omnigold
金属化系统
B
E
D
E
F
C
J
I
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.75 A
暗淡
最低
英寸/毫米
G
H
K
＃ 8-32 UNC
最大
英寸/毫米
36 V
5.0 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
35 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
OUT
I
C
= 25毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
最小典型最大
16
36
4.0
1.0
单位
V
V
V
mA
---
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 0.2 W
F = 470 MHz的
20
6.0
2.0
10
pF
W
dB
V
CE
= 12.0 V
P
G
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 0
1/1
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