SD1127
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1127
是专为VHF
美孚通信应用起来
175兆赫。
产品特点：
接地Emiter的
ASI SD1127
GP 12分贝@ 12.5V 175兆赫
P
OUT
4.0 V最小。
封装形式TO- 39
最大额定值
I
C
V
CB
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.64A
36 V
18 V
8 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
21.9 ° C / W
1 = COLLECTOR
2 - 基
3 =发射器
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
H
FE
C
OB
G
PE
η
I
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安
T
C
= 25 °C
TRANS1.SYM
测试条件
最低
18
36
4.0
典型
最大
单位
V
V
V
I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 15 V
V
CE
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
V
CC
= 12.6 V
P
放
= 4.0 W
P
IN
= 0.2 W
P
IN
= 0.2 W
P
IN
= 0.2 W
I
C
= 50毫安
F = 1.0 MHz的
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
F = 136 MHz的
F = 155 MHz的
F = 175 MHz的
.25
10
100
20
12
mA
---
pf
dB
Z
IN
= 3.0 – j3.8
Z
IN
= 4.0 – j2.0
Z
IN
= 4.3 – j5.8
Z
CL
= 12.8 – j11
Z
CL
= 11 – j14.8
Z
CL
= 13 – j20
阻抗
V
CC
= 12.6 V
V
CC
= 12.6 V
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/1
SD1127
RF &微波晶体管
VHF调频移动应用程序
特点
175兆赫
12.5伏
P
OUT
= 4.0 W最小
G
P
= 12.0分贝
发射极接地
1.集热器
2.基
3.辐射源
TO-39
描述：
该SD1127是一种外延型硅NPN晶体管设计
主要用于VHF移动通信。这种芯片
晶体管安装在一氧化铍丸隔离集电极
铅和地面发射铅高增益性能
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
J
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
储存温度
结温
价值
36
18
36
4.0
.64
8.0
-65 + 200
+200
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
21.9
° C / W
SD1127 - RevB 2/06
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
SD1127
电气特性（温度上限= 25 ° C）
STATIC
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
I
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 15.0 V
V
CE
= 5.0 V
测试条件
分钟。
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
E
= 0
I
C
= 50毫安
36
18
4.0
---
10
价值
典型值。
---
---
---
---
---
马克斯。
---
---
---
.25
100
单位
V
V
V
mA
---
动态
符号
P
OUT
G
PE
COB
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
F = 1 MHz的
测试条件
分钟。
V
CE
=12.5 V
V
CE
=12.5 V
V
CE
=15.0 V
4.0
12.0
---
价值
典型值。
---
---
---
马克斯。
---
---
20.0
单位
W
dB
pf
阻抗数据
频率
136兆赫
155兆赫
175兆赫
P
IN
= 0.2W
V
CC
= 12.6V
Z
IN
(
)
3.0 – j3.8
4.0 – j2.0
4.3 – j5.8
Z
CL
(
)
12.8 – j11
11 – j14.8
13 – j20
SD1127 - RevB 2/06
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SD1127
包装机械数据
SD1127 - RevB 2/06
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140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
SD1127
RF &微波晶体管
VHF通信
特点
专为VHF军事和商业
设备
4.0瓦（分钟）大于10 dB的增益
发射极接地配置
描述：
THE SD1127 IS 12.5 VOLT硅NPN平面晶体管设计
经济VHF通信。在晶体管芯片安装在
氧化铍TAB来隔离集电极允许接地
发射器配置为高增益和卓越的散热性能。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
符号
P
DISS
参数
总功耗*
价值
8.0
36
18
0.64
-65 200
200
单位
W
V
V
A
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
I
C
集电极电流*
T
英镑
储存温度
T
J
结温
*在射频条件
C
C
热数据
R
日（J -C ）
)
热阻结案件
21.9
°
C / W
MSC0936.PDF 98年10月15日
QQ：2880707522 复制
