SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿
电压
I
R
=10
m
A
测试条件
TYPE
符号最小典型最大单位
SD103A V
（ BR ）R
40
V
SD103B V
（ BR ）R
30
V
SD103C V
（ BR ）R
20
V
SD103A
I
R
5
m
A
SD103B
I
R
5
m
A
SD103C
I
R
5
m
A
V
F
0.37
V
V
F
0.6
V
C
D
50
pF
t
rr
10
ns
V
R
= 30 V
漏电流
g
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
I
F
=20mA
正向电压降
I
F
=200mA
结电容V
R
= 0 V ， F = 1MHz的
反向恢复时间我
F
=I
R
= 50 200mA的，恢复到0.1 I
R
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
1000
1000.000
100
100.000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
16765
10000
I
R
- 反向电流（
m
A )
1000
100
10
1
0
16767
20
40
60
80
100 120 140 160
V
F
- 正向电压（MV ）
T
j
- 结温（
°C
)
图1.正向电流与正向电压
5
4
3
2
1
0
0
16766
图3.反向电流与结温
30
f=1MHz
C
D
- 二极管电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
I
F
- 正向电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
16768
0
5
10
15
20
25
30
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2 (4)
文档编号85633
第1版， 22 -NOV- 00
SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿
电压
I
R
=10
m
A
测试条件
TYPE
符号最小典型最大单位
SD103A V
（ BR ）R
40
V
SD103B V
（ BR ）R
30
V
SD103C V
（ BR ）R
20
V
SD103A
I
R
5
m
A
SD103B
I
R
5
m
A
SD103C
I
R
5
m
A
V
F
0.37
V
V
F
0.6
V
C
D
50
pF
t
rr
10
ns
V
R
= 30 V
漏电流
g
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
I
F
=20mA
正向电压降
I
F
=200mA
结电容V
R
= 0 V ， F = 1MHz的
反向恢复时间我
F
=I
R
= 50 200mA的，恢复到0.1 I
R
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
1000
1000.000
100
100.000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
16765
10000
I
R
- 反向电流（
m
A )
1000
100
10
1
0
16767
20
40
60
80
100 120 140 160
V
F
- 正向电压（MV ）
T
j
- 结温（
°C
)
图1.正向电流与正向电压
5
4
3
2
1
0
0
16766
图3.反向电流与结温
30
f=1MHz
C
D
- 二极管电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
I
F
- 正向电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
16768
0
5
10
15
20
25
30
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
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半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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SD103A/103B/103C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
在SD103系列是金属对硅
肖特基势垒装置，该装置是
e2
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护MOS管
装置，转向装置，偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用。
其他应用是点击抑制，高效
在电话的子集全波桥和嵌段
ing二极管可充电电池低电压系
TEMS 。
这些二极管也可在SOD123可用
和SOD323例类型名称
SD103AW （S ）-V ... SD103CW （S） -V，和在
MiniMELF例类型名称LL103A
直通LL103C 。
对于一般用途的应用
铅（Pb） -free组件
按照RoHS2002 / 95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
零件表
部分
SD103A
SD103B
SD103C
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
订购代码
SD103A - TR或SD103A -TAP
SD103B - TR或SD103B -TAP
SD103C - TR或SD103C -TAP
键入标记
SD103A
SD103B
SD103C
备注
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD103A
SD103B
SD103C
功率耗散（无限散热器）
单周期浪涌60Hz的正弦波
1)
符号
V
R
V
R
V
R
P
合计
I
FSM
价值
40
30
20
400
1)
15
单位
V
V
V
mW
A
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
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1
文档编号85754
修订版1.5 ， 28 -FEB -07
SD103A/103B/103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
310
1)
125
1)
- 55至+ 150
1)
单位
K / W
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 50 A
部分
SD103A
SD103B
SD103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
SD103A
SD103B
SD103C
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
370
600
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
100
10
1
5
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
4
3
2
0.1
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700
800
900 1000
1
0
0.0
16766
0.5
1.0
1.5
2.0
16765
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电流与正向电压
图2.正向电流与正向电压
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SD103A/103B/103C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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修订版1.5 ， 28 -FEB -07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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其中，适用于这些产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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