SD103ASDM
表面装载肖特基二极管阵列
特点
新产品
·
·
·
·
低正向压降
保护环结构
瞬态保护
快速开关
低反向电容
A
SOT-26
暗淡
A
民
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
顶视图
B C
B
C
D
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
H
案例： SOT- 26 ，塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
极性：见图
线索：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
标记： KSU （见第2页）
重量： 0.016克（约）
F
K
M
H
J
K
L
M
a
0.013 0.10
J
D
F
L
尺寸：mm
顶视图
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
@ t
1.0s
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
40
28
350
1.5
225
444
-65到+125
单位
V
V
mA
A
mW
° C / W
°C
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压降（注2 ）
反向电流（注2 ）
总电容
反向恢复时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
40
典型值
50
10
最大
0.37
0.50
0.60
5.0
单位
V
V
mA
pF
ns
测试条件
I
R
= 100毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 30V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
=的200mA，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
注：1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30294修订版2 - 2
1 2
www.diodes.com
SD103ASDM
1000
100
F = 1MHz的
新产品
I
F
，正向电流（mA ）
100
C
T
，电容（pF ）
0
0.5
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
1.0
10
10
1.0
1.0
0.10
0.01
0.1
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
图。 2典型的总电容VS反向电压
订购信息
设备
SD103ASDM-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KSU
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
三月
3
YM
KSU
2004
R
APR
4
五月
5
KSU =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
八月
8
2007
U
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30294修订版2 - 2
2 2
www.diodes.com
SD103ASDM
QQ：2881677436 复制
