SD101A通SD101C
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
该LL101系列是金属 - 硅肖特基器件
这是由一个PN结的保护环。
低正向压降和快速开关使其非常适合
为保护MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平的应用程序。
这些二极管也可在MiniMELF例类型
名称LL101A通LL101C 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
S.D。 101A
S.D。 101B
S.D。 101C
符号
价值
60
50
40
400
(1)
单位
峰值反向电压
功率耗散（无限散热器）
V
RRM
P
合计
I
FSM
R
θ
JA
T
j
T
S
伏
mW
安培
o
最大单周期浪涌10
u
广场波
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
2.0
0.3
125
(1)
C /毫瓦
o
(1)
C
C
-55到+150
(1)
o
注意事项：
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
688
SD101A ... SD101C
SD101A ... SD101C
硅肖特基势垒二极管
硅肖特基势垒Dioden
Version 2006-04-27
额定电流
Nennstrom
1.9
15毫安
40...60 V
DO-35
SOD-27
0.04g
LL101A...LL101C
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
玻璃柜
Glasgehuse
重量约。
Gewicht约
62.5
3.9
0.52
相当于SMD版
quivalente SMD- Ausführung
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
SD101C
SD101B
SD101A
功耗
Verlustleistung
峰值正向浪涌电流， 10 μs的方波脉冲
Stostrom献给einen 10微秒Rechteckimpuls
漏电流，T
j
= 25°C
Sperrstrom
结电容
Sperrschichtkapazitt
反向恢复时间
Sperrverzugszeit
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
SD101C
SD101B
SD101A
V
R
= 0 V
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
40
50
60
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V] /余
F
= 1毫安
< 0.39
＆ LT ; 0.4
< 0.41
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
P
合计
I
FSM
I
R
I
R
I
R
C
j
t
rr
T
j
V
F
[V] /余
F
= 15毫安
< 0.9
< 0.95
<1
400毫瓦
1
)
2A
< 200 nA的
< 200 nA的
< 200 nA的
< 2.2 pF的
TYP 。 1纳秒
+200°C
-55...+200°C
<300 K / W
1
)
I
F
= 5 mA通/尤伯杯
I
R
= 5 mA至我
R
- 0.5毫安
T
S
R
THA
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SPICE模型： SD101A SD101B SD101C
SD101A - SD101C
肖特基二极管
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
低反向恢复时间
低反向电容
无铅产品，符合RoHS （注2 ）
机械数据
案例： DO -35
外壳材料：玻璃
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
商机：每MIL -STD- 202，方法
208
码头：完成
雾锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
标识信息：请参阅第2页
订购信息：见第2页
重量： 0.13克（近似值）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
@ t
≤
1.0s
@ T = 10μs的
I
FSM
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
SD101A
60
42
SD101B
50
35
15
50
2.0
400
375
-65到+175
SD101C
40
28
单位
V
V
mA
mA
A
mW
° C / W
°C
DO-35
暗淡
A
B
C
D
民
25.40
最大
4.00
0.60
2.00
尺寸：mm
最大额定值
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
民
最大
0.41
0.40
0.39
1.00
0.95
0.90
200
2.0
2.1
2.2
1.0
单位
测试条件
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 50V
V
R
= 40V
V
R
= 30V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 5.0毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
V
FM
V
最大反向峰值电流
I
RM
nA
总电容
C
T
t
rr
pF
ns
反向恢复时间
注意事项：
1.
2.
有效的条件是引线保持在环境温度下进行。
欧盟指令2002/95 / EC指令（RoHS ）修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免施加在适用情况下
SEE
欧盟指令附件注5和7 。
DS11008牧师13 - 2
1 2
www.diodes.com
SD101A - SD101C
Diodes公司
订购信息
（注3）
设备
SD101A-A
SD101A-T
SD101B-A
SD101B-T
SD101C-A
SD101C-T
注意事项：
3.
包装
DO-35
DO-35
DO-35
DO-35
DO-35
DO-35
航运
10K /弹药包
10K /磁带&卷轴， 13英寸
10K /弹药包
10K /磁带&卷轴， 13英寸
10K /弹药包
10K /磁带&卷轴， 13英寸
包装详细资料，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf 。
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS11008牧师13 - 2
2 2
www.diodes.com
SD101A - SD101C
Diodes公司
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
SD101A
SD101B
SD101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 390毫伏
订购代码
SD101A - TAP或SD101A -TR
SD101B - TAP或SD101B -TR
SD101B - TAP或SD101B -TR
备注
Ammopack /磁带和卷轴
Ammopack /磁带和卷轴
Ammopack /磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
SD101A
SD101B
SD101C
正向连续电流
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
功耗
1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
www.vishay.com
1
t
p
= 10 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
合计
价值
60
50
40
30
2
150
310
1)
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流（mA ）
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
0.55最大。 （ 0.022 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
94 9366
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
2最大。 （ 0.079 ）
www.vishay.com
3
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
SD101A - SD101C
产品特点：
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属 - 硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件，
转向，偏置和耦合二极管快速
开关和低逻辑电平的应用程序。
这些二极管也可在MiniMELF情况下可
与型号标识LL101A通LL101C 。
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
（评级为
参数
反向重复峰值电压
最大单周期浪涌10ms的方波
功率耗散（无限散热器）
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
SD101A
SD101B
SD101C
25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
V
RRM
I
FSM
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
价值
60
50
40
2
(1)
400
(1)
0.3
(1)
125
(1)
-55到+ 150
单位
V
A
mW
° C /毫瓦
°C
°C
注：（1 ）有效的设置，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向击穿电压
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
符号
V
（ BR ）R
测试条件
I
R
= 10
A
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
民
60
50
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1.0
0.95
0.9
1
单位
V
反向电流
I
R
nA
正向电压降
V
F
I
F
= 15毫安
TRR
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1I
R
V
反向恢复时间
第1页2
ns
启示录02 ： 2005年3月24日
额定值和特性曲线（ SD101A - SD101C ）
正向电流的典型变化
和正向电压对初级传导
通过肖特基势垒
10
SD101C
典型的正向传导曲线
结合肖特基势垒
和PN结保护环
100
SD101A
5
正向电流，I
F
（MA ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.5
SD101A
SD101B
SD101B
正向电流，I
F
（MA ）
80
SD101C
60
40
20
0
1
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
反向电流的典型变化
在不同温度
1
正向电压，V
F
(V)
典型的电容曲线为
反向电压的函数
2
TJ = 25
°
C
100
50
20
反向电流，I
R
(
A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TA = 125
°
C
典型的电容，C （PF ）
T
SD101B
SD101C
1
SD101A
TA = 25
°
C
0
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
0.01
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
第2页2
启示录02 ： 2005年3月24日
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
SD101A
SD101B
SD101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
= 1 mA（最大值） 。 390毫伏
订购代码
SD101A - TAP或SD101A -TR
SD101B - TAP或SD101B -TR
SD101B - TAP或SD101B -TR
备注
Ammopack /磁带和卷轴
Ammopack /磁带和卷轴
Ammopack /磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
SD101A
SD101B
SD101C
正向连续电流
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
功耗
1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
www.vishay.com
1
t
p
= 10 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
合计
价值
60
50
40
30
2
150
310
1)
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流（mA ）
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
0.55最大。 （ 0.022 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
94 9366
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
2最大。 （ 0.079 ）
www.vishay.com
3
SD101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85629
修订版1.4 ， 03 -APR- 06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
SD101A周四SD101C
性S E M I C 0 N D ü （C T）
小信号肖特基二极管
DO-35
小信号
CHOTTKY二极管
WWW.JIFUSEMICON.COM
特点
对于一般用途的应用
该SD101系列是金属对硅结肖特基势垒装置
是由一个PN结保护环。低正向压降
和快速开关使其非常适用于保护MOS器件，转向，
偏置，并耦合二极管快速开关和低逻辑电平
应用程序。
这些二极管也可在Mini - MELF情况下与类型
指定LL101A到LL101C ，同类型的SOD- 123封装类型
指定SD101AW到SW101CW ，同类型的SOD- 323封装类型
指定SD101AWS到SW101CWS
机械数据
例
:
DO- 35玻璃柜
极性：
颜色频带端为负极
重量
:
约。 0.05克
绝对额定值（极限值）
符号
峰值反向电压
SD101A
SD101B
尺寸以英寸（毫米）
价值
60
50
40
400
1)
2.0
125
-55到+ 150
单位
SD101C
功耗（无限散热器）
最大单周期浪涌10
m
广场波
结温
存储温度范围
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
FSM
T
J
T
英镑
V
V
mW
A
C
C
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
电气特性
（在25℃环境温度额定值除非另有说明）
符号
反向击穿电压
在我
R
=10
m
A
漏电流在V
R
=50V
V
R
=40V
V
R
=30V
在我正向电压降
F
=1mA
I
F
=15mA
结电容在V
R
= 0V ， F = 1MHz的
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
SD101A
SD101B
SD101C
分钟。
60
50
40
典型值。
马克斯。
清华紫光
V
V
V
V
R
V
R
V
R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
J
C
J
C
J
反向恢复时间在I
F
=I
R
= 5毫安，恢复到0.1
I
R
热阻，结到环境
t
rr
R
q
JA
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
1
300
1)
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
ns
K / W
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
2-108
济南景恒CO 。 ， LTD 。
51号和平路公关中国
电话： 86-531-6943657
传真： 86-531-6947096
RATINS和特性曲线SD101A TH RU SD101C
图1. fwd.current vs.fwd的典型变化。
电压为通过所述初级导
肖特基势垒
mA
图2的典型正向传导曲线
结合肖特基势垒和PN结
保护环
mA
A
A
B
C
B
C
I
F
I
F
V
F
反向电流图3.典型变化
在不同温度
mA
V
F
图4.典型电容曲线的函数
反向电压的
mA
A
B
C
I
R
I
R
V
R
V
R
2-109
济南景恒CO 。 ， LTD 。
51号和平路公关中国
电话： 86-531-6943657
传真： 86-531-6947096
WWW.JIFUSEMICON.COM
小信号
CHOTTKY二极管
SD101A/101B/101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
SD101A
SD101B
SD101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
最大。 410毫伏的我
F
= 1毫安
V
R
= 50 V, V
F
最大。 400毫伏的我
F
= 1毫安
订购代码
SD101A - TR或SD101A -TAP
SD101B - TR或SD101B -TAP
键入标记
SD101A
SD101B
SD101C
备注
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
V
R
= 40 V, V
F
最大。 390毫伏的我
F
= 1毫安SD101C - TR或SD101C -TAP
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
SD101A
SD101B
SD101C
正向连续电流
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
功耗
1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
t
p
= 10 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
合计
价值
60
50
40
30
2
150
310
1)
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
热阻结到环境空气
1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85629
修订版1.5 ， 01 -MAR -07
www.vishay.com
1
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
1)
单位
°C
°C
K / W
SD101A/101B/101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流（mA ）
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
1.7 (0.067)
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85629
修订版1.5 ， 01 -MAR -07
1.5 (0.059)
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
www.vishay.com
3
SD101A/101B/101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85629
修订版1.5 ， 01 -MAR -07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
QQ：2880707522 复制
