SD101AWS-V/101BWS-V/101CWS-V
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在SD101系列是金属对硅
e3
是受保护的肖特基势垒器件
由PN结保护环
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件， steer-
荷兰国际集团，偏置和耦合二极管快速切换
和低逻辑电平的应用
这些二极管也可在微型MELF提供
案例类型名称LL101A到LL101C ，在
在DO35例类型名称SD101A到
SD101C并在SOD123壳型desig-
国家SD101AW -V以SD101CW -V 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例：
SOD323塑料外壳
重量：
约。 4.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
订购代码
SD101AWS -V - GS18或SD101AWS -V- GS08
SD101BWS -V - GS18或SD101BWS -V- GS08
SD101CWS -V - GS18或SD101CWS -V- GS08
键入标记
SA
SB
SC
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
价值
60
50
40
150
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
10 μs的方波
I
FSM
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85680
修订版1.6 ， 15月， 06
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1
SD101AWS-V/101BWS-V/101CWS-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
650
1)
125
1)
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
I
F
= 15毫安
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
结电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
SD101AWS-V
SD101BWS-V
SD101CWS-V
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
ns
ns
ns
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
A
B
C
100
80
60
40
A
B
C
1
0.1
20
0
0.01
18477
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
18478
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 前进
电压
(V)
V
F
- 前进
电压
(V)
正向电流与正向电压图1.典型的变化
图2.典型的正向传导曲线
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2
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修订版1.6 ， 15月， 06
SD101AWS-V/101BWS-V/101CWS-V
威世半导体
100
C
T
- 典型电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
125 °C
10
100 °C
1
75 °C
50 °C
0.1
25 °C
0.01
0
18479
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
18480
T
j
= 25 °C
A
B
C
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
包装尺寸以毫米（英寸） ： SOD323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.1 （ 0.004 ）最大
足迹推荐：
0.25 （ 0.010 ）分
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极
BAR
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
0.6 (0.024)
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）
牧师03 - 日期：2004年08.November
17443
文档编号85680
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1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
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SD101AWS-V/101BWS-V/101CWS-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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