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SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
e3
MOS器件,转向,偏置和cou-
耦二极管,用于快速开关和低逻辑电平
应用程序。
在SD101系列是金属对硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
这些二极管也可在微型MELF提供
案例类型名称LL101A到LL101C ,在
在DO -35的情况下与类型名称SD101A
通过SD101C并在SOD-323的情况下与
类型名称通过SD101AWS
SD101CWS.
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例:
SOD- 123塑料外壳
重量:
约。 9.3毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
订购代码
SD101AW - GS18或SD101AW - GS08
SD101BW - GS18或SD101BW - GS08
SD101CW - GS18或SD101CW - GS08
SA
SB
SC
键入标记
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
功耗(无限
散热片)
正向电流
最大单周期浪涌
10
μs
方波
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
www.vishay.com
1
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
1)
125
1)
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
μA
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
SD101AW
SD101BW
SD101CW
SD101AW
SD101BW
SD101CW
I
F
= 15毫安
SD101AW
SD101BW
SD101CW
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
SD101AW
SD101BW
SD101CW
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安,
恢复到0.1 I
R
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
合计
C
合计
C
合计
t
rr
60
50
40
200
200
200
0.41
0.40
0.39
1.0
0.95
0.90
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
www.vishay.com
2
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
10
A
B
C
2.0
C
T
- 典型电容(pF )
I
F
- 正向电流(mA )
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
A
B
T
j
= 25
°
C
1
C
0.1
0.01
18477
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
18480
30
40
50
V
F
- 正向电压( V)
V
R
- 反向电压( V)
正向电流与正向电压图1.典型的变化
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
100
I
F
- 正向电流(mA )
80
60
40
A
B
C
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
18478
V
F
- 正向电压( V)
图2.典型的正向传导曲线
100
I
R
- 反向电流(
μA
)
150
°
C
125
°
C
10
100
°
C
75
°
C
50
°
C
1
0.1
25
°
C
0.01
0
10
20
30
40
50
18479
V
R
- 反向电压( V)
反向电流图3.典型变化的各种
温度
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
www.vishay.com
3
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
1.35 ( 0.053 )最大。
0.1 ( 0.004 )最大。
0.55 (0.022)
0.25 ( 0.010 )分钟。
0.15 ( 0.006 )最大。
贴装焊盘布局
ISO方法E
阴极带
3.85 (0.152)
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
3.55 (0.140)
1.40 (0.055)
1.70 (0.067)
1.40 (0.055)
0.72 (0.028)
2.40 (0.094)
17432
www.vishay.com
4
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
www.vishay.com
5
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
e3
MOS器件,转向,偏置和cou-
耦二极管,用于快速开关和低逻辑电平
应用程序。
在SD101系列是金属对硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
这些二极管也可在微型MELF提供
案例类型名称LL101A到LL101C ,在
在DO -35的情况下与类型名称SD101A
通过SD101C并在SOD-323的情况下与
类型名称通过SD101AWS
SD101CWS.
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例:
SOD- 123塑料外壳
重量:
约。 9.3毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
订购代码
SD101AW - GS18或SD101AW - GS08
SD101BW - GS18或SD101BW - GS08
SD101CW - GS18或SD101CW - GS08
SA
SB
SC
键入标记
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
功耗(无限
散热片)
正向电流
最大单周期浪涌
10
μs
方波
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
www.vishay.com
1
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
300
1)
125
1)
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
μA
部分
SD101AW
SD101BW
SD101CW
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
SD101AW
SD101BW
SD101CW
SD101AW
SD101BW
SD101CW
I
F
= 15毫安
SD101AW
SD101BW
SD101CW
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
SD101AW
SD101BW
SD101CW
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安,
恢复到0.1 I
R
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
合计
C
合计
C
合计
t
rr
60
50
40
200
200
200
0.41
0.40
0.39
1.0
0.95
0.90
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
www.vishay.com
2
文档编号85679
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SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
10
A
B
C
2.0
C
T
- 典型电容(pF )
I
F
- 正向电流(mA )
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
A
B
T
j
= 25
°
C
1
C
0.1
0.01
18477
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
18480
30
40
50
V
F
- 正向电压( V)
V
R
- 反向电压( V)
正向电流与正向电压图1.典型的变化
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
100
I
F
- 正向电流(mA )
80
60
40
A
B
C
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
18478
V
F
- 正向电压( V)
图2.典型的正向传导曲线
100
I
R
- 反向电流(
μA
)
150
°
C
125
°
C
10
100
°
C
75
°
C
50
°
C
1
0.1
25
°
C
0.01
0
10
20
30
40
50
18479
V
R
- 反向电压( V)
反向电流图3.典型变化的各种
温度
文档编号85679
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SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
1.35 ( 0.053 )最大。
0.1 ( 0.004 )最大。
0.55 (0.022)
0.25 ( 0.010 )分钟。
0.15 ( 0.006 )最大。
贴装焊盘布局
ISO方法E
阴极带
3.85 (0.152)
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
3.55 (0.140)
1.40 (0.055)
1.70 (0.067)
1.40 (0.055)
0.72 (0.028)
2.40 (0.094)
17432
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文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
SD101AW / 101BW / 101CW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85679
修订版1.4 , 16日-12月05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SD101AW-GS08
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
SD101AW-GS08
VISHAY/威世
2018+
990000
SOD123
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SD101AW-GS08
VISHAY/威世
2443+
23000
SOD123
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SD101AW-GS08
VISHAY
2024
16880
SOD-123 1206
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SD101AW-GS08
VISHAY/威世
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SOD123
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SD101AW-GS08
√ 欧美㊣品
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电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
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VISHAY
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联系人:刘经理
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SD101AW-GS08
VISHAY/威世
22+
32570
SOD123
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
SD101AW-GS08
Vishay Semiconductors
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SD101AW-GS08
√ 欧美㊣品
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10140
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电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
SD101AW-GS08
VISHAY/威世
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假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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