红色增强超低电容硅光电二极管
SD 041-11-33-211
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.133 [3.38]
.123 [3.12]
.090 [2.29]
3X .018 [0.46]
1
.156 [3.96]
.152 [3.86]
.187 [4.75]
.181 [4.60]
.100 [2.54]
脚圈
2
45°
91°
VIEWING
角
3X 0.500 [ 12.7 ] MIN
.215 [5.46]
.210 [5.33]
3
芯片尺寸英寸[毫米]
1阳极
3外壳接地
2阴极
概要
芯片尺寸英寸[毫米]
.052 [1.32]
.033 [ 0.83 ]活动区域
TO- 46封装
TO- 46封装
0.040 [ 1.02 ]活动区域
特点
低噪音
蓝色增强
高分流电阻
高响应
描述
该
SD 041-11-33-211
是一种超低电容
硅PIN光电二极管,红色增强,封装在一个
含铅的密封TO- 46金属封装。
应用
- 军事
=工业
医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
75
+150
+125
+240
单位
响应度( A / W)
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
光谱响应
V
°C
°C
°C
*从案例最多3秒1/16英寸。
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长(nm )
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
C
J
LRANGE
特征
暗电流
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 50V
V
R
= 0V,
f
= 1兆赫
V
R
= 50V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
900nm处,V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 5V @
l=950nm
RL = 50
,V
R
= 0 V
RL = 50
,V
R
= 50 V
民
典型值
2.0
5.6
0.5
0.55
75
4.8X10
-14
190
5
最大
8.0
单位
nA
pF
1100
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
R
V
BR
NEP
t
r
350
0.50
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
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