型可控硅
整流电容
键入SCRN电影，纸/铝箔延长换向电容器
类型SCRN电容是SCR（可控硅
整流器ER）整流应用需要很高的峰值
和RMS电流能力。这些电容是理想的
其他高频率和脉冲应用。该SCRN
提供的椭圆形或长方形金属盒，带1/4
×20双头螺栓和绝缘端子承受
高电流和高的峰值电压。
亮点
符合EIA RS401的功率半导体
应用
有色金属涵盖了适用于高频
应用
40000小时生活在全额定电压和
温度
高电压，大电流和高频率
0.25 μF至50.0 μF
200 V峰值为2000 V峰值
±10%
-40 C至+65 C
+80 C
特定网络阳离子
符合欧盟指令2002/95 / EC
要求限制使用铅（ Pb），汞
（汞） ，镉（Cd ） ，六价铬（六价铬） ，
多溴联苯（ PBB ）和多溴
联苯醚（ PBDE ） 。
电容范围：
电压范围：
电容容差：
温度范围：
表面温度：
评级
帽
目录
例
H
最大VA
最大
（ μF ）型号代码（ 。 ） （ 65 °C） （武器）
200 V峰值（纸介）
3
SCRN201R-F
A
2.13
400
60
5
SCRN202R-F
A
2.63
465
60
10 SCRN203R -F
A
3.88
625
60
15 SCRN205R -F
A
4.75
765
60
20 SCRN206R -F
B
4.25
875
60
30 SCRN208R -F
C
5.25
1200
60
40 SCRN209R -F
C
6.75
1500
60
50 SCRN210R -F
D
5.75
1590
60
400 V峰值（电影和纸介）
2
SCRN211R-F
A
2.63
790
60
3
SCRN212R-F
A
2.63
970
60
5
SCRN213R-F
A
3.88
1130
60
10 SCRN214R -F
B
4.75
1930
60
15 SCRN215R -F
C
4.75
2240
60
20 SCRN216R -F
C
6.25
2800
60
30 SCRN217R -F
D
6.75
3720
60
40 SCRN218R -F
D
8.00
4330
60
50 SCRN219R -F
E
6.25
6050
100
600 V峰值（电影和纸介）
2
SCRN220R-F
A
2.63
815
60
3
SCRN221R-F
A
3.13
1200
60
5
SCRN222R-F
A
4.25
1420
60
10 SCRN224R -F
C
4.25
2040
60
15 SCRN226R -F
C
5.75
2800
60
20 SCRN227R -F
D
5.75
3260
60
25 SCRN229R -F
D
6.75
3720
60
30 SCRN230R -F
D
8.00
4330
60
40 SCRN231R -F
E
6.25
6060
100
50 SCRN232R -F
E
7.25
6850
100
帽
目录
例
H
最大VA最大
（ μF ）型号代码（ 。 ） （ 65 °C） （武器）
600 V峰值（薄膜介质为低损耗）
1
SCRN262R-F
A
2.38
2200
60
2
SCRN263R-F
A
2.38
2060
60
3
SCRN264R-F
A
3.88
3190
60
5
SCRN265R-F
A
4.25
4380
60
10 SCRN266R -F
C
4.25
6060
60
1000 V峰值（电影和纸介）
1
SCRN233R-F
A
2.13
790
60
2
SCRN234R-F
A
3.13
1070
60
3
SCRN235R-F
A
3.88
1455
60
5
SCRN236R-F
B
4.25
1785
60
10 SCRN237R -F
C
5.75
2570
60
15 SCRN238R -F
D
5.75
3170
60
20 SCRN239R -F
E
5.13
5200
100
1500 V峰值（电影和纸介）
0.5 SCRN240R -F
A
2.13
990
60
1
SCRN241R-F
A
2.88
1240
60
2
SCRN242R-F
B
3.50
1890
60
3
SCRN243R-F
C
4.25
2550
60
5
SCRN244R-F
C
5.75
3250
60
10 SCRN245R -F
E
5.13
6500
100
2000 V峰值（电影和纸介）
0.25 SCRN246R -F
A
2.13
990
60
0.33 SCRN257R -F
A
2.13
1000
60
0.5 SCRN247R -F
A
2.63
1180
60
1
SCRN248R-F
A
3.13
1300
60
2
SCRN249R-F
B
4.25
2230
60
3
SCRN251R-F
C
4.75
2800
60
5
SCRN253R-F
D
5.75
4020
60
10 SCRN256R -F
F
5.75
7600
100
CDE康奈尔杜比利埃 1605 E.罗德尼法国大道。 新贝德福德，马萨诸塞州02744 电话： (508)996-8561 传真： (508)996-3830 www.cde.com
型可控硅
整流电容
外形图
B
±.03”
A
±.03”
F
±.03”
D
±.06”
±.03”
1/4 - 20 THD
2 PLC）的
C
±.06”
±.03”
D
±.06”
±.03”
B
±.03”
符合RoHS
A
±.03”
F
±.03”
1/4 - 20 THD
2 PLC）的
C
±.06”
±.03”
H
±.06”
H
±.06”
½
½
图1
图2
例
CODE
A
B
C
D
E
F
A
B
尺寸英寸
C
D
F
H
科幻gure
1.31
1.56
1.91
1.97
2.84
3.75
2.16
2.69
2.91
3.66
4.56
4.56
0.56
0.50
0.50
0.50
0.50
0.56
1.19
1.13
1.13
1.13
1.13
1.19
0.81
1.25
1.38
1.38
2.00
2.00
请参阅表
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请参阅表
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图。 1
图。 1
图。 1
图。 1
图。 2
图。 2
安装硬件
见目录页5.000硬件
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型可控硅
整流电容
如何选择一个换向电容器
1.从电路分析和测量，确定
这六个参数的应用价值：
在μF电容的标称
在微秒电流脉冲宽度
在微秒电流脉冲周期
最大峰值电压
在Vrms的不断交流电压
最大伏安（ VA ）
2.从所期望的收视率表的电容器
有峰值电压等级标称电容不小于
你的最大峰值电压。
3.检查您的应用程序的RMS电流不再是
比电容的最大值。安培RMS。你可以计算
该
从使用的公式你Vrms电流
以下
部分。
4.检查你的应用程序的伏安是不是更
比电容的伏安能力。虚拟设备的能力是
从图最大额定VA倍伏安倍增
2 （电流脉冲宽度）和倍伏安
乘法器从图3的（环境温度） 。见
更多关于用伏安乘法器下一节
.
如果你需要一个更大的VA功能，重复上述步骤一
更高的峰值电压的电容，或考虑连接单元
平行分所需的VA 。为了达到峰值电压
600 V ，你也可以考虑聚丙烯液膜介
单位，目录号通过SCRN266R SCRN262R ，
具有较高的VA能力。
脉搏波中的应用
用伏安评级
T
他间电容的最大额定VA是最大产品
正弦波的电压和电流可在施加的
65 C不会出现过热的电容和降低其
预期寿命。对于其它温度和脉冲电流，
使用图2和图3的乘数减免的最大VA
投资评级。
在最大RMS安培额定通过的能力设定
电容器端子。超过此限制可能会损坏
终端和事业电容失效。
计算电容的实际VA负载的产品
电容两端电压有效值与电流有效值通过
电容器。为了计算RMS电流为正弦应用
波或方波电压，使用这些公式。
用于正弦波电压的电流为：
IRMS = 2π fCVrmsX10
-6
并为一个矩形波的电流为：
V峰值
ΔV
电压
当前
我为峰
图1
聚丙烯
纸
PP薄膜/纸
图2
IRMS = CΔV / [ 0.64 （TT）
0.5
] = I峰值（T / T）
0.5
其中，（ f）的重复频率（Hz） ， C是标称
capacitance in F, ½V the peak-to-peak squarewave amplitude
在伏， （t）为以μs为单位的脉冲宽度，T是脉冲周期
在微秒。
T
他峰值电流的方波电压为：
I峰值= CΔV / 0.64吨
科幻gure 3
CDE康奈尔杜比利埃 1605 E.罗德尼法国大道。 新贝德福德，马萨诸塞州02744 电话： (508)996-8561 传真： (508)996-3830 www.cde.com
