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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第823页 > SCN2C60
SEMIWELL
半导体
SCN2C60
符号
2.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 1.5 A )
◆
低通态电压（ 1.2V(Typ.)@I
TM
)
◆
▼
评级
600
○
3.阳极
1.阴极
TO-92
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
半正弦波：T已
C
= 45 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
1.0
1.5
15
0.9
2
0.1
1
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
十月， 2002年第2版
1/5
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
SCN2C60
电气特性
符号
项
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
AK
= V
DRM
或V
RRM ;
R
GK
= 1000
Ω
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
( I
TM
= 3 A，峰值）
V
AK
= 6 V ，R
L
=100
Ω
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
─
─
─
─
─
1.2
10
200
1.7
V
TM
V
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
D
= 7 V ，R
L
=100
Ω
─
─
─
─
200
500
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
V
GM
= 0.67V
DRM
,
指数波形，R
GK
= 1000
Ω
T
J
= 125 °C
I
TM
= 3A ，免疫球蛋白= 10毫安
V
AK
= 12 V ，门打开
─
─
0.2
─
─
─
0.8
1.2
─
V
V
GD
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
上升，对国家的爆击率
当前
V
dv / dt的
200
─
─
V/
的di / dt
50
A/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2
─
─
─
5.0
10
50
160
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2.不包含R
GK
测量。
2/5
SCN2C60
图1.门特点
140
10
1
图2.最大外壳温度
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
100
V
GM
(5V)
栅极电压[ V]的
P
GM
(2W)
θ
= 180
80
60
40
20
o
I
GM
(1A)
10
0
P
G（ AV ）
(0.1W)
25
℃
π
θ
360°
2
π
V
GD
(0.2V)
10
-1
θ
0
0.0
：导通角
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
1
图4.热响应
T
J
= 125 C
1
o
T
J
= 25 C
0.1
o
瞬态热阻抗[标准化]
瞬时通态电流[ A]
0.1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时导通状态电压[ V]
时间（msec ）
图5.典型门极触发电压与
结温
1.5
2.0
图6.典型栅极触发电流 -
结温
1.6
V
GT
(25
o
C)
I
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
I
GT
（T C ）
o
1.0
o
o
1.2
0.8
0.4
0.5
-50
0
50
100
o
150
0.0
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
3/5
SCN2C60
图7.典型的保持电流
10
9
8
7
6
图8.功耗
2.0
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
θ
= 120
o
1.5
保持电流[mA ]
5
4
3
θ
= 30
o
1.0
2
0.5
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结温[
℃
]
通态平均电流[ A]
4/5
SCN2C60
TO- 92封装尺寸
mm
DIM 。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
0.33
2.54
2.54
0.48
0.013
4.43
4.43
14.07
典型值。
4.2
3.7
4.83
14.87
0.4
4.83
0.45
0.174
0.174
0.554
马克斯。
分钟。
寸
典型值。
0.165
0.146
0.190
0.585
0.016
0.190
0.017
0.100
0.100
0.019
马克斯。
A
E
B
F
C
G
1
D
2
3
1.阴极
2.门
3.阳极
J
H
I
5/5
SEMIWELL
半导体
SCN2C60
符号
2.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 1.5 A )
◆
低通态电压（ 1.2V(Typ.)@I
TM
)
◆
▼
600
○
3.阳极
1.阴极
TO-92
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
半正弦波：T已
C
= 45 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
1.0
1.5
15
0.9
2
0.1
1
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
十月， 2002年第2版
1/5
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
SCN2C60
电气特性
符号
项
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
AK
= V
DRM
或V
RRM ;
R
GK
= 1000
Ω
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
( I
TM
= 3 A，峰值）
V
AK
= 6 V ，R
L
=100
Ω
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
10
200
1.7
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
─
─
─
─
─
1.2
V
V
TM
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
D
= 7 V ，R
L
=100
Ω
─
─
─
─
200
500
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
V
GM
= 0.67V
DRM
,
指数波形，R
GK
= 1000
Ω
T
J
= 125 °C
I
TM
= 3A ，免疫球蛋白= 10毫安
V
AK
= 12 V ，门打开
─
─
0.2
─
─
─
0.8
1.2
─
V
V
GD
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
上升，对国家的爆击率
当前
V
dv / dt的
200
─
─
V/
的di / dt
50
A/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2
─
─
─
5.0
10
50
160
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2.不包含R
GK
测量。
2/5
SCN2C60
图1.门特点
140
10
1
图2.最大外壳温度
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
V
GM
(5V)
120
100
80
60
40
20
0
0.0
栅极电压[ V]的
P
GM
(2W)
P
G（ AV ）
(0.1W)
I
GM
(1A)
10
0
θ
= 180
π
θ
360°
2
π
o
25
℃
V
GD
(0.2V)
10
-1
θ
：导通角
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
1
图4.热响应
1
T
J
= 125 C
o
瞬态热阻抗[标准化]
1.6
2.0
瞬时通态电流[ A]
T
J
= 25 C
0.1
o
0.1
0.01
0.0
0.4
0.8
1.2
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
瞬时导通状态电压[ V]
时间（秒）
图5.典型门极触发电压与
结温
1.5
1.4
1.3
1.2
1.6
2.0
图6.典型栅极触发电流 -
结温
V
GT
(25
o
C)
I
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
I
GT
（T C ）
o
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
0
50
100
o
o
o
1.1
1.2
0.8
0.4
150
0.0
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
3/5
SCN2C60
图7.典型的保持电流
10
9
8
7
6
5
4
3
图8.功耗
2.0
马克斯。平均功耗[ W]
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.2
0.4
θ
= 30
o
θ
= 90
θ
= 60
o
o
θ
= 120
o
θ
= 180
o
保持电流[mA ]
2
1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.6
0.8
1.0
1.2
结温[
℃
]
通态平均电流[ A]
4/5
SCN2C60
TO- 92封装尺寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
mm
分钟。
典型值。
4.2
3.7
4.43
14.07
4.83
14.87
0.4
4.43
4.83
0.45
2.54
2.54
0.33
0.48
0.013
0.174
0.174
0.554
马克斯。
分钟。
寸
典型值。
0.165
0.146
0.190
0.585
0.016
0.190
0.017
0.100
0.100
0.019
马克斯。
A
E
B
F
C
G
1
D
2
3
1.阴极
2.门
3.阳极
J
H
I
5/5
SEMIWELL
半导体
SCN2C60
符号
2.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 1.5 A )
◆
低通态电压（ 1.2V(Typ.)@I
TM
)
◆
▼
评级
600
○
3.阳极
1.阴极
TO-92
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
半正弦波：T已
C
= 45 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
1.0
1.5
15
0.9
2
0.1
1
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
十月， 2002年第2版
1/5
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
SCN2C60
电气特性
符号
项
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
AK
= V
DRM
或V
RRM ;
R
GK
= 1000
Ω
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
( I
TM
= 3 A，峰值）
V
AK
= 6 V ，R
L
=100
Ω
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
─
─
─
─
─
1.2
10
200
1.7
V
TM
V
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
D
= 7 V ，R
L
=100
Ω
─
─
─
─
200
500
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
V
GM
= 0.67V
DRM
,
指数波形，R
GK
= 1000
Ω
T
J
= 125 °C
I
TM
= 3A ，免疫球蛋白= 10毫安
V
AK
= 12 V ，门打开
─
─
0.2
─
─
─
0.8
1.2
─
V
V
GD
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
上升，对国家的爆击率
当前
V
dv / dt的
200
─
─
V/
的di / dt
50
A/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2
─
─
─
5.0
10
50
160
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2.不包含R
GK
测量。
2/5
SCN2C60
图1.门特点
140
10
1
图2.最大外壳温度
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
100
V
GM
(5V)
栅极电压[ V]的
P
GM
(2W)
θ
= 180
80
60
40
20
o
I
GM
(1A)
10
0
P
G（ AV ）
(0.1W)
25
℃
π
θ
360°
2
π
V
GD
(0.2V)
10
-1
θ
0
0.0
：导通角
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
1
图4.热响应
T
J
= 125 C
1
o
T
J
= 25 C
0.1
o
瞬态热阻抗[标准化]
瞬时通态电流[ A]
0.1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时导通状态电压[ V]
时间（msec ）
图5.典型门极触发电压与
结温
1.5
2.0
图6.典型栅极触发电流 -
结温
1.6
V
GT
(25
o
C)
I
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
I
GT
（T C ）
o
1.0
o
o
1.2
0.8
0.4
0.5
-50
0
50
100
o
150
0.0
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
3/5
SCN2C60
图7.典型的保持电流
10
9
8
7
6
图8.功耗
2.0
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
θ
= 120
o
1.5
保持电流[mA ]
5
4
3
θ
= 30
o
1.0
2
0.5
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结温[
℃
]
通态平均电流[ A]
4/5
SCN2C60
TO- 92封装尺寸
mm
DIM 。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
0.33
2.54
2.54
0.48
0.013
4.43
4.43
14.07
典型值。
4.2
3.7
4.83
14.87
0.4
4.83
0.45
0.174
0.174
0.554
马克斯。
分钟。
寸
典型值。
0.165
0.146
0.190
0.585
0.016
0.190
0.017
0.100
0.100
0.019
马克斯。
A
E
B
F
C
G
1
D
2
3
1.阴极
2.门
3.阳极
J
H
I
5/5
SEMIWELL
半导体
SCN2C60
符号
2.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 1.5 A )
◆
低通态电压（ 1.2V(Typ.)@I
TM
)
◆
▼
评级
600
○
3.阳极
1.阴极
TO-92
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
半正弦波：T已
C
= 45 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
1.0
1.5
15
0.9
2
0.1
1
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
十月， 2002年第2版
1/5
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
SCN2C60
电气特性
符号
项
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
AK
= V
DRM
或V
RRM ;
R
GK
= 1000
Ω
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
( I
TM
= 3 A，峰值）
V
AK
= 6 V ，R
L
=100
Ω
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
─
─
─
─
─
1.2
10
200
1.7
V
TM
V
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
D
= 7 V ，R
L
=100
Ω
─
─
─
─
200
500
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
V
GM
= 0.67V
DRM
,
指数波形，R
GK
= 1000
Ω
T
J
= 125 °C
I
TM
= 3A ，免疫球蛋白= 10毫安
V
AK
= 12 V ，门打开
─
─
0.2
─
─
─
0.8
1.2
─
V
V
GD
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
上升，对国家的爆击率
当前
V
dv / dt的
200
─
─
V/
的di / dt
50
A/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2
─
─
─
5.0
10
50
160
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2.不包含R
GK
测量。
2/5
SCN2C60
图1.门特点
140
10
1
图2.最大外壳温度
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
100
V
GM
(5V)
栅极电压[ V]的
P
GM
(2W)
θ
= 180
80
60
40
20
o
I
GM
(1A)
10
0
P
G（ AV ）
(0.1W)
25
℃
π
θ
360°
2
π
V
GD
(0.2V)
10
-1
θ
0
0.0
：导通角
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
1
图4.热响应
T
J
= 125 C
1
o
T
J
= 25 C
0.1
o
瞬态热阻抗[标准化]
瞬时通态电流[ A]
0.1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时导通状态电压[ V]
时间（msec ）
图5.典型门极触发电压与
结温
1.5
2.0
图6.典型栅极触发电流 -
结温
1.6
V
GT
(25
o
C)
I
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
I
GT
（T C ）
o
1.0
o
o
1.2
0.8
0.4
0.5
-50
0
50
100
o
150
0.0
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
3/5
SCN2C60
图7.典型的保持电流
10
9
8
7
6
图8.功耗
2.0
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
θ
= 120
o
1.5
保持电流[mA ]
5
4
3
θ
= 30
o
1.0
2
0.5
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结温[
℃
]
通态平均电流[ A]
4/5
SCN2C60
TO- 92封装尺寸
mm
DIM 。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
0.33
2.54
2.54
0.48
0.013
4.43
4.43
14.07
典型值。
4.2
3.7
4.83
14.87
0.4
4.83
0.45
0.174
0.174
0.554
马克斯。
分钟。
寸
典型值。
0.165
0.146
0.190
0.585
0.016
0.190
0.017
0.100
0.100
0.019
马克斯。
A
E
B
F
C
G
1
D
2
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1.阴极
2.门
3.阳极
J
H
I
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