【订购数量： ENN8291SCH2819SCH2819特点MOSFET ： N沟道MOSFET硅SB】,IC型号SCH2819,SCH2819 PDF资料,SCH2819经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN8291

SCH2819

特点

MOSFET ： N沟道MOSFET硅

SBD ：肖特基二极管

通用开关设备

应用

复合型与N沟道MOSFET硅（ SCH1419 ）和肖特基势垒二极管（ SS0503 ）

包含在一个包促进高密度安装。

[ MOSFET ]

低导通电阻。

超高速开关。

2.5V驱动器。

[ SBD ]

短的反向恢复时间。

低正向电压。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

VRRM

VRSM

IO

IFSM

Tj

TSTG

50Hz正弦波， 1个周期

30

0.5

3

--55到125

V

A

°C

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

1unit

2

符号

条件

评级

30

±12

1.5

6

0.6

150

--55到125

单位

V

A

W

°C

标记：曲

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

62005PE MS IM TB- 00001351 No.8291-1 / 6

SCH2819

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

VR

VF

IR

C

TRR

IR=0.5mA

IF=0.5A

VR=15V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。

13

10

30

0.42

0.48

120

V

A

pF

ns

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 800毫安

ID = 800毫安， VGS = 4V

ID = 400毫安， VGS = 2.5V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ，V GS = 4V ，ID = 1.5A

IS = 1.5A ， VGS = 0V

0.4

1.3

2.2

165

210

130

22

16

9

20

23

29

2.2

0.52

0.9

1.2

215

295

30

1

±10

1.3

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

包装尺寸

单位：mm

7028-003

电气连接

6

1.6

5

4

0.05

0.2

6 5 4

0.2

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

顶视图

1.6

1.5

1

0.05

2

3

1

2 3

0.5

0.56

0.25

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

三洋： SCH6

No.8291-2/6

SCH2819

开关时间测试电路

[ MOSFET ]

TRR测试电路

[ SBD ]

VIN

4V

0V

VIN

VDD=15V

Duty≤10%

100mA

10mA

TRR

ID=800mA

RL=18.75

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

G

--5V

SCH2819

P.G

50

S

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

ID - VDS

3.0V

[ MOSFET ]

2.0

1.8

ID - VGS

VDS=10V

TA

--25

°

C

75

°

C

1.0

100mA

10s

50

100

10

[ MOSFET ]

漏极电流ID -

2.5

V

1.6

漏极电流ID -

4.0V

1.5V

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

VGS=1.0V

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.2

0

0.5

-

25

°

C

-25

°

C

TA

75

°

C

1.5

2.0

25

°

C

2.5

500

漏极至源极电压VDS - V

IT06102

RDS （ ON） - VGS

[ MOSFET ]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

500

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

--60

--40

IT06103

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

[ MOSFET ]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

450

400

350

300

ID=800mA

400mA

250

200

150

100

50

0

2

4

6

8

10

IT06104

V

=2.5

VGS

,

0mA

=4.0V

=40

ID

VGS

,

00mA

I D = 8

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

环境温度，钽 -

°C

IT06105

No.8291-3/6

SCH2819

10

y

fs - ID

[ MOSFET ]

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

VDS=10V

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

IS - VSD

[ MOSFET ]

VGS=0V

2

C

25

°

1.0

7

5

3

2

TA

--2

5

°

C

75

°

C

源出电流，是 - 个

3

0.1

0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7 1.0

2

3

5

0.01

0.2

0.3

0.4

0.5

TA

7

5

°

C

25

°

C

--25

°

C

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

漏极电流ID -

1000

7

5

IT06106

SW时间 - ID

[ MOSFET ]

VDD=15V

VGS=4V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

IT06107

二极管的正向电压， VSD - V

[ MOSFET ]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

3

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

0.01

西塞，科斯，的Crss - pF的

2

3

2

西塞

100

7

5

3

2

10

TD （关闭）

tf

TD （上）

tr

科斯

CRSS

0

5

10

15

20

25

30

2

3

5 7 0.1

2

3

5 7 1.0

2

3

漏极电流ID -

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

5 7 10

IT06108

10

7

5

3

2

VGS - 的Qg

[ MOSFET ]

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=1.5A

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

IT06109

ASO

[ MOSFET ]

IDP=6A

<10s

10

0

s

ID=1.5A

m

10

1m

s

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

10

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

2.5

IT06110

0.01

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

!0.8mm)

1unit

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

5

总栅极电荷QG - 数控

0.8

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

D

C

op

s

0m

s

er

io

at

n

a=

(T

°

C

25

)

IT09563

[ MOSFET ]

允许功耗， PD - 含

0.6

M

ou

NTE

do

na

ce

0.4

内存

ic

bo

ARD

(9

00

0.2

mm

2

!

0

.8m

m)

1u

0

20

40

60

80

100

120

140

NIT

160

环境温度，钽 -

°C

IT09564

No.8291-4/6

SCH2819

1.0

7

5

IF - VF

[ SBD ]

100000

7

5

3

2

IR - VR

5

°

C

Ta=12

100

°

C

[ SBD ]

3

2

反向电流， IR -

A

正向电流IF - 一个

10000

7

5

3

2

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

0

75

°

C

0.1

7

5

3

2

0.01

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

IT07927

50

°

C

25

°

C

TA

125

°

C

100

°

C

75

°

C

50

°

C

25

°

C

5

10

15

20

25

30

IT07928

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.35

PF （ AV ） - IO

(1)

反向电压VR - V

100

7

[ SBD ]

- VR

[ SBD ]

矩形波

θ

360°

f=1MHz

端间电容，C - pF的

0.6

0.30

(2) (4) (3)

5

0.25

正弦波

0.20

180°

0.15

360°

3

2

10

7

5

3

0.1

0.10

0.05

0

0.1

0.2

（ 1 ）矩形波

θ=60°

（2）的矩形波

θ=120°

（3）矩形波

θ=180°

（ 4 ）正弦波

θ=180°

0.3

0.4

0.5

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

7

平均输出电流， IO - 一个

3.5

IT08187

IFSM - 吨

I

S

反向电压VR - V

IT07891

[ SBD ]

正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个

电流波形50Hz正弦波

3.0

2.5

20ms

t

2.0

1.5

1.0

0.5

0

7 0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7 1.0

2

3

时间t - S

ID00338

No.8291-5/6