【订购数量： ENA0440SCH2811三洋半导体数据表SCH2811特点MOSFET ： P通道M】,IC型号SCH2811,SCH2811 PDF资料,SCH2811经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0440

SCH2811

三洋半导体

数据表

SCH2811

特点

MOSFET ： P通道MOSFET硅

SBD ：肖特基二极管

通用开关设备

应用

包含在一个封装的复合型与P沟道酸化镍MOSFET和肖特基势垒二极管

促进高密度安装。

[ MOSFET ]

低导通电阻。

超高速开关。

4V的驱动器。

[ SBD ]

短的反向恢复时间。

低正向电压。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

VRRM

VRSM

IFSM

TSTG

50Hz正弦波， 1个周期

0.5

--55到125

°C

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(900mm

!0.8mm)

1unit

--30

±20

--1.0

--4.0

0.6

150

--55到125

°C

符号

条件

评级

单位

标记： QL

描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品

能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，

该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致

严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表

最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，

应用程序。

三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任

AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）

本文描述或包含的产品。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

82306 / 61506PE MS IM TB- 00002321号A0440-1 / 6

SCH2811

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

TRR

IR=0.5mA

IF=0.5A

VR=15V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。

0.42

0.48

120

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-0.5A

ID = - 0.5A ， VGS = -

-10V

ID = - 0.3A ， VGS = -

-4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.0A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.0A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 1.0A

IS = - 1.0A ， VGS = 0V

--1.2

0.57

0.95

320

590

104

12.5

12.2

3.3

0.48

0.45

--0.91

--1.5

420

830

--30

--1

±10

--2.6

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

包装尺寸

单位：mm

7028-003

电气连接

1.6

0.05

0.2

6 5 4

0.2

1.6

1.5

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

顶视图

0.05

2 3

0.5

0.56

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

三洋： SCH6

0.25

第A0440-2 / 6

SCH2811

开关时间测试电路

[ MOSFET ]

VIN

--10V

VIN

ID = --0.6A

RL=25

VDD = --15V

TRR测试电路

[ SBD ]

Duty≤10%

100mA

10mA

TRR

SCH2811

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

10s

--5V

P.G

--1.2

ID - VDS

.0V

[ MOSFET ]

--2.0

--1.8

--1.6

ID - VGS

VDS =

10V

100mA

100

[ MOSFET ]

--25

--1.5

--1.0

漏极电流ID -

--0.8

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

--0.2

3.0V

--0.6

--0.4

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

--4.5

1200

漏极至源极电压VDS - V

IT07278

RDS （ ON） - VGS

[ MOSFET ]

Ta=25

1200

栅极 - 源极电压VGS - V

IT07280

RDS （ ON） - TA

[ MOSFET ]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

1000

800

600

--500mA

600

= --4V

，V GS

-300m

I D = -

400

ID = --300mA

400

V S = --1

--500mA ，G

I D =

200

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

--60

--40

--20

--0.2

--25

VGS =

2.5V

100

120

140

栅极 - 源极电压VGS - V

IT11174

环境温度，钽 -

IT11175

第A0440-3 / 6

160

.0V

SCH2811

fs - ID

[ MOSFET ]

VDS = --10V

--1.0

IS - VSD

[ MOSFET ]

VGS=0V

正向转移导纳，

fs - S

1.0

--0.1

-2

0.1

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--0.01

--0.4

--0.5

--0.6

--25

--0.7

--0.8

--0.9

源出电流，是 - 个

--1.0

--1.1

--1.2

漏极电流ID -

IT07286

SW时间 - ID

[ MOSFET ]

VDD = --15V

VGS = --10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

二极管的正向电压， VSD - V

IT07288

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ MOSFET ]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

100

西塞

TD （上）

--0.01

TD （关闭）

科斯

CRSS

7 --0.1

7 --1.0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

漏极电流ID -

--10

--9

IT07290

VGS - 的Qg

[ MOSFET ]

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --1.0A

漏极电流ID -

--1.0

--0.1

漏极至源极电压VDS - V

IT07292

ASO

[ MOSFET ]

IDP = --4A

≤10s

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

IT11176

ID = --1A

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

!0.8mm)

1unit

5 7 --0.1

2 3

5 7 --1.0

2 3

5 7 --10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

0.8

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

ATI

IT11177

[ MOSFET ]

允许功耗， PD - 含

0.6

NTE

0.4

内存

ARD

0.2

.8m

100

120

140

NIT

160

环境温度，钽 -

°C

IT11178

第A0440-4 / 6

SCH2811

1.0

IF - VF

[ SBD ]

100000

IR - VR

Ta=12

100

[ SBD ]

反向电流， IR -

正向电流IF - 一个

10000

1000

100

1.0

0.1

0.01

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

IT07927

125

100

IT07928

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.35

PF （ AV ） - IO

(1)

反向电压VR - V

100

[ SBD ]

- VR

[ SBD ]

矩形波

360°

f=1MHz

端间电容，C - pF的

0.6

0.30

(2) (4) (3)

0.25

正弦波

0.20

180°

0.15

360°

0.1

0.10

0.05

0.1

0.2

（ 1 ）矩形波

θ=60°

（2）的矩形波

θ=120°

（3）矩形波

θ=180°

（ 4 ）正弦波

θ=180°

0.3

0.4

0.5

7 1.0

7 10

平均输出电流， IO - 一个

3.5

IT08187

IFSM - 吨

反向电压VR - V

IT07891

[ SBD ]

正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个

电流波形50Hz正弦波

3.0

2.5

20ms

2.0

1.5

1.0

0.5

7 0.01

7 0.1

7 1.0

时间t - S

ID00338

第A0440-5 / 6