SCH2080KE
SCH2080KE
N沟道SiC功率MOSFET共同封装采用SiC -SBD
(大纲
数据表
V
DSS
R
DS ( ON)
(典型值)。
I
D
P
D
■特点
1 )低导通电阻
2 )开关速度快
3 )快速反向恢复
4 )低V
SD
5 )易于并行
6 )简单驾驶
1200V
80m
35A
179W
TO-247
(1) (2) (3)
Inner
电路
D(2)
G(1)
*1
*2
( 1 )门
( 2 )排水
( 3 )资料来源
* 1体二极管
* 2 SBD
S(3)
Packaging
特定网络阳离子
填料
卷尺寸(mm )
TYPE
胶带宽度(mm)
基本订购单位(个)
大坪码
记号
管
-
-
30
-
SCH2080KE
7 )无铅引脚镀层;符合RoHS标准
●应用
·太阳能
逆变器
\u003c直流/直流
转换器
●感应
加热
Motor
驱动器
“绝对
最大额定值
(T
a
= 25°C)
参数
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
功率耗散(T
c
= 25°C)
结温
储存温度范围
T
c
= 25°C
T
c
= 100°C
符号
V
DSS
I
D *1
I
D *1
I
D,脉冲* 2
V
GSS
P
D
T
j
T
英镑
价值
1200
35
22
80
6
到22
179
150
55
to
150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
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2012.09 - Rev.B的