订购数量: ENA1460A
SCH1330
三洋半导体
数据表
SCH1330
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
1.8V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
-
-20
±10
--1.5
--6
1
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = - 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = - 10V ,ID = - 1毫安
VDS = - 10V ,ID = - 750毫安
ID = - 750毫安, VGS = - 4.5V
ID = - 300毫安, VGS = - 2.5V
ID = - 100mA时VGS = - 1.8V
-
-0.4
1.14
1.9
185
275
410
241
385
615
评级
民
-
-20
-
-1
±10
--1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
标记: YF
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
O1409 TK IM / 42809PE MS IM TC- 00001930号A1460-1 / 4
SCH1330
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 10V , F = 1MHz的
VDS = - 10V , F = 1MHz的
VDS = - 10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
IS = - 1.5A , VGS = 0V
评级
民
典型值
120
26
20
5.3
9.7
16
14
1.7
0.28
0.47
-
-0.89
--1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7028-002
开关时间测试电路
VIN
VDD = --10V
0V
--4.5V
1.6
0.05
0.2
6 5 4
0.2
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --750mA
RL=13.3Ω
VOUT
1.6
1.5
0.05
1
2
0.56
3
0.5
1 :排水
2 :排水
3 :门
4 :源
5 :排水
6 :排水
三洋: SCH6
P.G
SCH1330
50Ω
S
0.25
--2.0
ID - VDS
--8.0
V
--4.
5V
--2.0
ID - VGS
VDS = --10V
5V
8V
--3
.
--1
.
--1.8
--1.6
--1.8
--1.6
5V
漏极电流ID -
漏极电流ID -
--2
.
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1 --0.2
--1.5
V
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
VGS = --1.0V
25
°
C
0
--0.5
--1.0
--0.4
--0.2
--0.3 --0.4 --0.5 --0.6
--0.7 --0.8
--0.9 --1.0
IT14614
0
--2
5
--1.5
°
C
TA
75
°
C
--2.0
--2.5
--3.0
IT14615
漏极至源极电压VDS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
第A1460-2 / 4
SCH1330
1.2
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
允许功耗, PD - 含
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT14624
注意使用情况:由于SCH1330是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和录音,或任何信息存储或检索系统,或
否则,没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品,既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
本产品目录提供的信息截至10月, 2009年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A1460-4 / 4
订购数量: ENA1460
SCH1330
三洋半导体
数据表
SCH1330
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
1.8V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--20
±10
--1.5
--6
1
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = - 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = - 10V ,ID = - 1毫安
VDS = - 10V ,ID = - 750毫安
ID = - 750毫安, VGS = - 4.5V
ID = - 300毫安, VGS = - 2.5V
ID = - 100mA时VGS = - 1.8V
--0.4
1.14
1.9
185
275
410
241
385
615
评级
民
-
-20
--1
±10
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
标记: YF
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
42809PE MS IM TC- 00001930号A1460-1 / 4
SCH1330
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 10V , F = 1MHz的
VDS = - 10V , F = 1MHz的
VDS = - 10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
IS = - 1.5A , VGS = 0V
评级
民
典型值
120
26
20
5.3
9.7
16
14
1.7
0.28
0.47
-
-0.89
--1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7028-002
开关时间测试电路
VIN
VDD = --10V
0V
--4.5V
1.6
0.05
0.2
6 5 4
0.2
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --750mA
RL=13.3Ω
VOUT
1.6
1.5
0.05
1
2
0.56
3
0.5
1 :排水
2 :排水
3 :门
4 :源
5 :排水
6 :排水
三洋: SCH6
P.G
SCH1330
50Ω
S
0.25
--2.0
ID - VDS
--8.0
V
--4.
5V
--2.0
ID - VGS
VDS = --10V
5V
8V
--3
.
--1
.
--1.8
--1.6
--1.8
--1.6
5V
漏极电流ID -
漏极电流ID -
--2
.
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1 --0.2
--1.5
V
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
VGS = --1.0V
25
°
C
0
--0.5
--1.0
--0.4
--0.2
--0.3 --0.4 --0.5 --0.6
--0.7 --0.8
--0.9 --1.0
IT14614
0
--2
5
--1.5
°
C
TA
75
°
C
--2.0
--2.5
--3.0
IT14615
漏极至源极电压VDS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
第A1460-2 / 4
SCH1330
1.2
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
允许功耗, PD - 含
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT14624
注意使用情况:由于SCH1330是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和录音,或任何信息存储或检索系统,或
否则,没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品,既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
本产品目录提供的信息截至4月, 2009年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A1460-4 / 4
订购数量: ENA1460B
SCH1330
P沟道功率MOSFET
-20V , -1.5A , 241米
Ω
,单SCH6
特点
http://onsemi.com
低导通电阻
超高速开关
1.8V驱动
无卤合规
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
--20
±10
--1.5
--6
1
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7028-002
SCH1330-TL-H
0.2
6 5 4
0.2
产品&包装信息
包
: SCH6
JEITA , JEDEC
: SOT- 563
最小包装数量: 5000个/卷。
1.6
0.05
包装类型: TL
记号
LOT号
LOT号
1.6
1.5
YF
0.05
1
2
3
0.5
0.56
TL
1 :排水
2 :排水
3 :门
4 :源
5 :排水
6 :排水
SCH6
电气连接
1, 2, 5, 6
0.25
3
4
半导体元件工业有限责任公司, 2013
七月, 2013
62712TKIM / O1409 TKIM / 42809PE MSIM TC- 00001930号A1460-1 / 7
SCH1330
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = - 1.5A , VGS = 0V
VDS = - 10V , VGS = - 4.5V , ID = - 1.5A
请参阅特定网络版测试电路。
条件
ID = - 1mA时, VGS = 0V
VDS = - 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = - 10V ,ID = - 1毫安
VDS = - 10V ,ID = - 750毫安
ID = - 750毫安, VGS = - 4.5V
ID = - 300毫安, VGS = - 2.5V
ID = - 100mA时VGS = - 1.8V
VDS = - 10V , F = 1MHz的
评级
民
--20
-
-1
±10
--0.4
1.14
1.9
185
275
410
120
26
20
5.3
9.7
16
14
1.7
0.28
0.47
--0.89
--1.2
241
385
615
-
-1.4
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VDD = --10V
0V
--4.5V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --750mA
RL=13.3Ω
VOUT
P.G
SCH1330
50Ω
S
订购信息
设备
SCH1330-TL-H
包
SCH6
航运
5,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1460-2 / 7