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SCG3019
公司Bauelemente
N沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
SOT-523
特点
低导通电阻。
快速开关速度。
低电压驱动，使该器件非常适用于便携式设备。
很容易地设计驱动电路。
易平行。
等效电路
REF 。
A
B
C
D
G
J
毫米
分钟。
马克斯。
1.50
1.70
0.75
0.95
0.60
0.80
0.23
0.33
0.50BSC
0.10
0.20
REF 。
K
M
N
S
毫米
分钟。
马克斯。
0.30
0.50
o
---
10
o
---
10
1.50
1.70
最大额定值
(T
A
= 25 ℃除非另有规定）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
总功耗
工作结温范围
工作存储温度范围
热阻，结到环境
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
等级
30
±20
0.1
0.15
150
-55~150
833
单位
V
V
A
W
°C
°C
C / W
器件标识
KN
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04月- 2010版本A
第1页4
SCG3019
公司Bauelemente
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
民
30
-
-
0.8
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
13
9
4
15
35
80
80
最大
-
1
±1
1.5
8
13
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=100μA
V
GS
= 4V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
开关特性
动态特性
pF
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
开关特性
nS
V
GS
= 5V, V
DD
= 5V ，我
D
= 10毫安，
R
G
= 10, R
L
= 500
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04月- 2010版本A
第2页4
SCG3019
公司Bauelemente
N沟道增强型MOSFET
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04月- 2010版本A
第3页4
SCG3019
公司Bauelemente
N沟道增强型MOSFET
特性曲线
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04月- 2010版本A
第4页4
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