SEMIWELL
半导体
SCF25C60
符号
3.门
○
○
可控硅整流器器
▼
1
23
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 25 A )
◆
低导通电压（ 1.3V （典型值） @我
TM
)
◆
绝缘电压（V
ISO
= 1500V AC）
◆
○
2.阳极
1.阴极
TO-220F
概述
标准门触发SCR是完全隔离的封装，适合
其中，要求高的双向阻断电压的应用
能力，也适用于过电压保护器，电机的
控制电路，电动工具，浪涌电流限制电路及热
控制系统。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
V
ISO
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
600
半正弦波：T已
C
= 69 °C
180 °导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
16
25
275
380
50
20
在任期间为20ms
1
5
5.0
交流1分钟
1500
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
通态电流临界上升率
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
工作结温
储存温度
单位
V
A
A
A
A
2
s
A/
W
W
A
V
V
°C
°C
八月， 2003年第1版
信息提供： http://www.kkg.com.cn
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
1/5
SCF25C60
电气特性
符号
项
V
AK
= V
DRM
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
TM
= 50 A
V
AK
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
15
mA
tp=380
─
─
─
─
─
─
10
200
1.6
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
V
TM
V
V
D
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
1.5
V
V
GD
dv / dt的
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
0.2
250
─
─
─
─
V
线性斜率高达V
D
= V
DRM
67%
,
门打开
T
J
= 125°C
I
T
= 100mA时门打开
V/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
─
2
20
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2.2
60
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2. R
GK
目前不包括在测量。
2/5
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SCF25C60
图1.门特点
图2.最大外壳温度
140
10
1
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
V
GM
(5V)
P
GM
(20W)
100
θ
= 180
o
栅极电压[ V]的
80
P
G（ AV ）
(1W)
10
0
I
GM
(5A)
60
π
θ
2
π
25 C
o
40
360°
20
θ
：传导的Ang1 é
V
GD
(0.2V)
10
-1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
图4.热响应
瞬态热阻抗[ ℃/ W]
o
1
通态电流[ A]
10
2
125 C
o
0.1
25 C
10
1
o
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
导通状态电压[ V]
时间（秒）
图5.典型门极触发电压与
结温
10
10
图6.典型栅极触发电流 -
结温
V
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
1
0.1
-50
I
GT
(25 C)
I
GT
（T C ）
o
o
o
o
1
0
50
100
o
150
0.1
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
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SCF25C60
图7.典型的保持电流
10
25
图8.功耗
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
20
o
o
θ
= 120
θ
= 30
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
I
H
(25 C)
15
I
H
（T C ）
o
1
o
10
5
0.1
-50
0
50
100
o
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
结温[C]
通态平均电流[ A]
4/5
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TO- 220F封装尺寸
mm
典型值。
寸
典型值。
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
分钟。
10.4
6.18
9.55
13.47
6.05
1.26
3.17
1.87
2.57
马克斯。
10.6
6.44
9.81
13.73
6.15
1.36
3.43
2.13
2.83
分钟。
0.409
0.243
0.376
0.530
0.238
0.050
0.125
0.074
0.101
马克斯。
0.417
0.254
0.386
0.540
0.242
0.054
0.135
0.084
0.111
2.54
5.08
2.51
1.25
0.45
0.6
3.7
3.2
1.5
2.62
1.55
0.63
1.0
0.099
0.049
0.018
0.024
0.100
0.200
0.103
0.061
0.025
0.039
0.146
0.126
0.059
φ
φ
1
φ
2
F
B
A
E
H
I
φ
φ
1
φ
2
C
L
1
D
2
3
J
K
M
G
1.阴极
2.阳极
3.门
N
O
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5/5
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半导体
SCF25C60
符号
3.门
○
○
可控硅整流器器
▼
1
23
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 25 A )
◆
低导通电压（ 1.3V （典型值） @我
TM
)
◆
绝缘电压（V
ISO
= 1500V AC）
◆
○
2.阳极
1.阴极
TO-220F
概述
标准门触发SCR是完全隔离的封装，适合
其中，要求高的双向阻断电压的应用
能力，也适用于过电压保护器，电机的
控制电路，电动工具，浪涌电流限制电路及热
控制系统。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
V
ISO
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
600
半正弦波：T已
C
= 69 °C
180 °导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
16
25
275
380
50
20
在任期间为20ms
1
5
5.0
交流1分钟
1500
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
通态电流临界上升率
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
工作结温
储存温度
单位
V
A
A
A
A
2
s
A/
W
W
A
V
V
°C
°C
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电气特性
符号
项
V
AK
= V
DRM
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
TM
= 50 A
V
AK
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
15
mA
tp=380
─
─
─
─
─
─
10
200
1.6
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
V
TM
V
V
D
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
1.5
V
V
GD
dv / dt的
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
0.2
250
─
─
─
─
V
线性斜率高达V
D
= V
DRM
67%
,
门打开
T
J
= 125°C
I
T
= 100mA时门打开
V/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
─
2
20
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2.2
60
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2. R
GK
目前不包括在测量。
2/5
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SCF25C60
图1.门特点
图2.最大外壳温度
140
10
1
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
V
GM
(5V)
P
GM
(20W)
100
θ
= 180
o
栅极电压[ V]的
80
P
G（ AV ）
(1W)
10
0
I
GM
(5A)
60
π
θ
2
π
25 C
o
40
360°
20
θ
：传导的Ang1 é
V
GD
(0.2V)
10
-1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
图4.热响应
瞬态热阻抗[ ℃/ W]
o
1
通态电流[ A]
10
2
125 C
o
0.1
25 C
10
1
o
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
导通状态电压[ V]
时间（秒）
图5.典型门极触发电压与
结温
10
10
图6.典型栅极触发电流 -
结温
V
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
1
0.1
-50
I
GT
(25 C)
I
GT
（T C ）
o
o
o
o
1
0
50
100
o
150
0.1
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
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图7.典型的保持电流
10
25
图8.功耗
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
20
o
o
θ
= 120
θ
= 30
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
I
H
(25 C)
15
I
H
（T C ）
o
1
o
10
5
0.1
-50
0
50
100
o
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
结温[C]
通态平均电流[ A]
4/5
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TO- 220F封装尺寸
mm
典型值。
寸
典型值。
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
分钟。
10.4
6.18
9.55
13.47
6.05
1.26
3.17
1.87
2.57
马克斯。
10.6
6.44
9.81
13.73
6.15
1.36
3.43
2.13
2.83
分钟。
0.409
0.243
0.376
0.530
0.238
0.050
0.125
0.074
0.101
马克斯。
0.417
0.254
0.386
0.540
0.242
0.054
0.135
0.084
0.111
2.54
5.08
2.51
1.25
0.45
0.6
3.7
3.2
1.5
2.62
1.55
0.63
1.0
0.099
0.049
0.018
0.024
0.100
0.200
0.103
0.061
0.025
0.039
0.146
0.126
0.059
φ
φ
1
φ
2
F
B
A
E
H
I
φ
φ
1
φ
2
C
L
1
D
2
3
J
K
M
G
1.阴极
2.阳极
3.门
N
O
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SEMIWELL
半导体
SCF25C60
符号
3.门
○
○
可控硅整流器器
▼
1
23
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 25 A )
◆
低导通电压（ 1.3V （典型值） @我
TM
)
◆
绝缘电压（V
ISO
= 1500V AC）
◆
○
2.阳极
1.阴极
TO-220F
概述
标准门触发SCR是完全隔离的封装，适合
其中，要求高的双向阻断电压的应用
能力，也适用于过电压保护器，电机的
控制电路，电动工具，浪涌电流限制电路及热
控制系统。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
V
ISO
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
600
半正弦波：T已
C
= 69 °C
180 °导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
16
25
275
380
50
20
在任期间为20ms
1
5
5.0
交流1分钟
1500
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
通态电流临界上升率
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
工作结温
储存温度
单位
V
A
A
A
A
2
s
A/
W
W
A
V
V
°C
°C
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电气特性
符号
项
V
AK
= V
DRM
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
TM
= 50 A
V
AK
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
15
mA
tp=380
─
─
─
─
─
─
10
200
1.6
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
V
TM
V
V
D
= 6伏（直流）中，R
L
=10
Ω
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
─
─
1.5
V
V
GD
dv / dt的
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
0.2
250
─
─
─
─
V
线性斜率高达V
D
= V
DRM
67%
,
门打开
T
J
= 125°C
I
T
= 100mA时门打开
V/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
─
2
20
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2.2
60
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2. R
GK
目前不包括在测量。
2/5
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SCF25C60
图1.门特点
图2.最大外壳温度
140
10
1
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
V
GM
(5V)
P
GM
(20W)
100
θ
= 180
o
栅极电压[ V]的
80
P
G（ AV ）
(1W)
10
0
I
GM
(5A)
60
π
θ
2
π
25 C
o
40
360°
20
θ
：传导的Ang1 é
V
GD
(0.2V)
10
-1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
10
图4.热响应
瞬态热阻抗[ ℃/ W]
o
1
通态电流[ A]
10
2
125 C
o
0.1
25 C
10
1
o
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1E-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
导通状态电压[ V]
时间（秒）
图5.典型门极触发电压与
结温
10
10
图6.典型栅极触发电流 -
结温
V
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
1
0.1
-50
I
GT
(25 C)
I
GT
（T C ）
o
o
o
o
1
0
50
100
o
150
0.1
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
信息提供： http://www.kkg.com.cn
3/5
SCF25C60
图7.典型的保持电流
10
25
图8.功耗
马克斯。平均功耗[ W]
θ
= 180
20
o
o
θ
= 120
θ
= 30
θ
= 60
o
o
θ
= 90
o
I
H
(25 C)
15
I
H
（T C ）
o
1
o
10
5
0.1
-50
0
50
100
o
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
结温[C]
通态平均电流[ A]
4/5
信息提供： http://www.kkg.com.cn
SCF25C60
TO- 220F封装尺寸
mm
典型值。
寸
典型值。
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
分钟。
10.4
6.18
9.55
13.47
6.05
1.26
3.17
1.87
2.57
马克斯。
10.6
6.44
9.81
13.73
6.15
1.36
3.43
2.13
2.83
分钟。
0.409
0.243
0.376
0.530
0.238
0.050
0.125
0.074
0.101
马克斯。
0.417
0.254
0.386
0.540
0.242
0.054
0.135
0.084
0.111
2.54
5.08
2.51
1.25
0.45
0.6
3.7
3.2
1.5
2.62
1.55
0.63
1.0
0.099
0.049
0.018
0.024
0.100
0.200
0.103
0.061
0.025
0.039
0.146
0.126
0.059
φ
φ
1
φ
2
F
B
A
E
H
I
φ
φ
1
φ
2
C
L
1
D
2
3
J
K
M
G
1.阴极
2.阳极
3.门
N
O
信息提供： http://www.kkg.com.cn
5/5
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