【SCD32L THRU SCD34L表面装载低VF肖特基整流器反向电压 - 20至40伏特正向电流】,IC型号SCD34L,SCD34L PDF资料,SCD34L经销商,ic,电子元器件-51电子网

SCD32L THRU SCD34L

表面装载低VF肖特基整流器

反向电压 - 20至40伏特

正向电流 - 3.0安培

NTED

ented

PAT

2010

特点

.181(4.60)

.173(4.40)

.002(0.05)

0.091(2.30)

0.083(2.10)

20(

0.0

0.5

0.045(1.15)

0.029(0.75)

0.046(1.16)

0.034(0.86)

0.045(1.15)

0.029(0.75)

无铅产品

无引线芯片的形式，不含铅的损害

无铅焊点，无引线键合&引线框架

塑料包装有保险商实验室可燃性

分类科幻阳离子94V- 0

对于表面安装应用程序

低廓包

内置应变消除

金属与硅整流，多数载流子传导

低功耗，高效率

高电流能力，超低压降VF

高浪涌能力

对于使用低电压高频开关电源，

逆变器，续流和极性保护应用

机械数据

*尺寸以英寸（毫米）

案例：

便携与FRP衬底和环氧树脂欠补偿

终端：

纯锡电镀（无铅）

每MIL -STD- 750方法2026焊。

极性：

激光打标

重量：

0.02克

最大额定值和电气特性

在25℃的环境温度额定值

除非另有规定ED 。

最大重复峰值反向电压

最大RMS电压

最大直流阻断电压

最大正向平均整流电流（见图1 ）

符号

RRM

RMS

（AV）

SCD32L

3 .0

SCD34L

单位

伏

安培

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

FSM

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

3.0 A最大瞬时正向电压（注1 ）

反向电流最大DC

在额定阻断电压DC

典型热阻（注2 ）

工作结温范围

存储温度范围

注：（1 ）脉冲测试宽度PW = 300usec ， 1 ％的占空比。

（ 2 ）安装在交媾板0.2× 0.2" （ 5.0 x5.0mm ）铜垫的地方。

安培

0.40

1.0

0.42

伏

（注1 ） @T

=25 C

=80 C

-55到+125

-55到+150

C / W

英镑

第0版

ZOWIE科技股份有限公司

额定值和特性曲线SCD32L THRU SCD34L

图1 - 正向电流降额曲线

3.0

峰值正向浪涌电流，

安培

电阻或

感性负载

P.C.B.安装在

0.2X0.2"(5.0X5.0mm)

铜焊盘区

图2 - 最大非重复性

峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波

（ JEDEC的方法）

正向平均整流

当前，安培

2.0

1.0

110

130

150

170

循环次数在60Hz

100

焊接温度，C

图3 - 典型瞬时

正向特性

100

图4 - 典型的反向特性

IINSTANTANEOUS正向电流，

安培

1.00

瞬时反向电流，

毫安

0.10

1.0

0.01

TJ = 80℃

0.10

TJ = 25℃

0.001

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.01

100

120

140

正向电压，

伏

百分之额定峰值反向电压，％

图5 - 典型结电容

500

= 25 C

f=1.0MHz

Vsig=50mVP-P

结电容， pF的

100

1.0

100

反向电压，伏

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