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SCAN90CP02 1.5 Gbps的LVDS 2×2交叉点开关,带有预加重和IEEE 1149.6
2004年10月
SCAN90CP02
1.5 Gbps的LVDS 2×2交叉点开关,
预加重和IEEE 1149.6
概述
该SCAN90CP02是1.5 Gbps的2× 2 LVDS交叉
开关。高速数据路径和流通引脚微型
迈兹内部器件的抖动,同时可配置0 /25 /50/ 100%
预加重克服有损的外部ISI的抖动效果
背板和电缆。差分输入接口
LVDS和总线LVDS信号,如那些有关美国国家半导体
10-, 16-,和18-位总线LVDS串行解串器,以及CML和
LVPECL 。该SCAN90CP02也可以与ASIC的使用
和FPGA 。无阻塞交叉点体系结构的引脚
配置为1:2的时钟或数据分离器, 2: 1冗余
多路复用器,交叉功能,或双缓冲信号增强器
存根藏起来的应用。
集成的IEEE 1149.1 ( JTAG)及1149.6电路支持
单端LVTTL / CMOS和差的可测试性
LVDS PCB互连。 3.3V电源, CMOS工艺,
和LVDS I / O保证在低功率上的高性能
整个工业-40 + 85℃温度范围。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
每通道1.5 Gbps的
低功耗: 70毫安双中继器模式
@
1.5 Gbps的
低输出抖动
配置0 /25/ 50/100%的预加重驱动有损
背板和电缆
无阻塞的结构允许为1:2分路器, 2: 1复用器,
交叉和双缓冲配置
流通引脚排列
LVDS / BLVDS / CML / LVPECL输入, LVDS输出
IEEE 1149.1和1149.6标准
3.3V单电源供电
输入和输出单独的控制允许电源
工业-40 + 85℃温度范围内
28引脚的LLP封装,或32引脚LQFP封装
框图
20071401
图1. SCAN90CP02框图
2004美国国家半导体公司
DS200714
www.national.com
SCAN90CP02
引脚说明
名字
引脚LLP
LQFP
9
10
13
14
32
31
28
27
7
6
8
17
4
3
2
1
22
23
21
19
24
I / O类型
描述
差分输入对所有MUXES
IN0+
IN0
IN1+
IN1
OUT0+
OUT0
OUT1+
OUT1
SEL0,
SEL1
EN0,
EN1
PEM00,
PEM01
PEM10,
PEM11
TDI
TDO
TMS
TCK
TRST
N / C
动力
V
DD
11, 14,
16, 22,
25
12, 16,
18, 25,
29
一,电源
V
DD
= 3.3V
±
0.3V 。至少4个低ESR 0.01 μF旁路电容应
从V连接
DD
到GND平面。
接地参考LVDS和CMOS电路。
对于LLP封装,磷酸二铵作为主GND连接到
装置。对DAP是裸露的金属接触时的LLP- 28的底部
封装。它应该连接到接地平面具有至少4的通孔为
最佳的AC性能和热性能。
9
10
12
13
27
26
24
23
6
5
7
15
4
3
2
1
19
20
18
17
21
8, 28
我, LVDS
我, LVDS
反相和非反相的差分输入。 LVDS , LVDS总线,CML或
LVPECL兼容。
反相和非反相的差分输入。 LVDS , LVDS总线,CML或
LVPECL兼容。
反相和非反相的差分输出。 OUT0
±
可以连接到任何
一对IN0
±
或IN1
±
。 LVDS兼容(注2 ) 。
反相和非反相的差分输出。 OUT1
±
可以连接到任何
一对IN0
±
或IN1
±
。 LVDS兼容(注2 ) 。
选择控制输入
输出使能输入
通道0输出预加重控制输入
通道1输出预加重控制输入
测试数据输入,支持IEEE 1149.1功能
测试数据输出,支持IEEE 1149.1功能
测试模式选择,支持IEEE 1149.1功能
测试时钟,支持IEEE 1149.1功能
测试复位,支持IEEE 1149.1功能
没有连接
SWITCHED差分输出
O, LVDS
O, LVDS
数字控制接口
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
O, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
GND
(注1 ), 5 , 11 , 15 ,
20, 26,
30
注1 :
请注意,对于LLP封装GND上没有包的实际销,与GND相连通的LLP封装的背面侧的DAP 。
注2 :
LVDS输出不支持多点( BLVDS )环境。该SCAN90CP02设备的LVDS输出特性进行了优化
点至点的背板和电缆应用。
www.national.com
2
SCAN90CP02
连接图
20071404
LQFP顶视图
20071403
LLP顶视图
DAP = GND
配置选择真值表
SEL0
0
0
1
1
0
1
0
0
X
0
1
1
1
SEL1
0
1
0
1
1
1
0
1
X
0
0
0
1
EN0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
EN1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
OUT0
IN0
IN0
IN1
IN1
IN0
IN1
PD
PD
PD
OUT1
IN0
IN1
IN0
IN1
PD
PD
IN0
IN1
PD
双通道中继器
双通道开关
1:2分离器( IN0断电)
单信道转发器(信道1断电)
单通道开关( IN0和OUT1断电)
单通道开关( IN1和OUT0断电)
单通道中继器(通道0断电)
在掉电模式下两个通道
无效的国家*
无效的国家*
无效的国家*
无效的国家*
模式
1:2分离器(IN1断电)
PD =省电模式,以最大限度地降低功耗
X =无关
*进入这些国家并不被禁止,但设备操作没有在这些状态定义。
预加重
预加重被用于补偿长或有损
传输介质。提供给每个独立的引脚
输出,以减少电力消耗。预加重
可编程处于关机状态或按预设的预值
重点控制选型表。
PEM01
0
0
1
1
预加重控制选型表
通道0
PEM00
0
1
0
1
通道1
PEM11
0
0
1
1
PEM10
0
1
0
1
0%
25%
50%
100%
预加重
输出特性
该SCAN90CP02设备的输出特性有
被优化的点至点的背板和电缆应用程序
阳离子。
3
www.national.com
SCAN90CP02
应用信息
20071402
图2. SCAN90CP02配置选择解码
www.national.com
4
SCAN90CP02
绝对最大额定值
(注3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
CMOS输入电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路电流
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)。
在25°C时的最大封装功耗
LLP-28
LQFP-32
4.31 W
1.47W
-0.3V至+ 4.0V
-0.3V到(V
DD
+0.3V)
-0.3V至+ 3.6V
-0.3V至+ 3.6V
40mA
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
降额25℃以上
LLP-28
LQFP-32
热阻,
θ
JA
LLP-28
LQFP-32
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
EIAJ , 0Ω , 200 pF的
6.5千伏
29C/W
85C/W
34.5毫瓦/ C
11.8毫瓦/°C的
& GT ;
250V
推荐工作
条件
电源电压(V
DD
- GND )
接收器的输入电压
经营自由的空气
温度
结温
3.0
0
40
25
典型值
3.3
最大
3.6
3.6
85
150
单位
V
V
C
C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。
符号
参数
条件
典型值
(注4 )
最大
单位
LVTTL DC规格
( SEL0 , SEL1 , EN1 , EN2 , PEM00 , PEM01 , PEM10 , PEM11 , TDI , TCK , TMS , TRST )
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
ILR
C
IN1
C
OUT1
V
CL
V
OH
V
OL
I
OS
V
TH
V
TL
V
ID
V
CMR
C
IN2
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
低电平输入电流
输入电容
输出电容
输入钳位电压
高电平输出电压
( TDO )
低电平输出电压
( TDO )
输出短路电流
差分输入高阈值
(注5 )
差分输入阈值低
差分输入电压
共模电压范围
输入电容
输入电流
V
IN
= V
DD
= V
DDMAX
V
IN
= V
SS
, V
DD
= V
DDMAX
TDI , TMS , TRST
所有数字输入引脚到V
SS
任何数字输出引脚到V
SS
I
CL
= -18毫安
I
OH
= -12毫安,V
DD
= 3.0 V
I
OH
= -100 μA ,V
DD
= 3.0 V
I
OL
= 12 mA时, V
DD
= 3.0 V
I
OL
= 100 μA ,V
DD
= 3.0 V
TDO
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ,V
DD
=
3.6V
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ,V
DD
=
3.6V
V
CM
= 0.8V至3.55V ,V
DD
= 3.6V
V
ID
= 150 mV时, V
DD
= 3.6V
IN +或IN-至V
SS
V
IN
= 3.6V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
V
IN
= 0V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
10
10
50
100
0.05
3.5
+10
+10
3.55
-15
1.5
2.4
V
DD
-0.2
0.5
0.2
-125
2.0
GND
10
10
-40
3.5
5.5
0.8
V
DD
0.8
+10
+10
-200
V
V
A
A
A
pF
pF
V
V
V
V
V
mA
LVDS输入DC规格
(IN0
±
, IN1
±
)
0
0
50
mV
mV
mV
V
pF
A
A
5
www.national.com
SCAN90CP02 1.5 Gbps的LVDS 2×2交叉点开关,带有预加重和IEEE 1149.6
2004年10月
SCAN90CP02
1.5 Gbps的LVDS 2×2交叉点开关,
预加重和IEEE 1149.6
概述
该SCAN90CP02是1.5 Gbps的2× 2 LVDS交叉
开关。高速数据路径和流通引脚微型
迈兹内部器件的抖动,同时可配置0 /25 /50/ 100%
预加重克服有损的外部ISI的抖动效果
背板和电缆。差分输入接口
LVDS和总线LVDS信号,如那些有关美国国家半导体
10-, 16-,和18-位总线LVDS串行解串器,以及CML和
LVPECL 。该SCAN90CP02也可以与ASIC的使用
和FPGA 。无阻塞交叉点体系结构的引脚
配置为1:2的时钟或数据分离器, 2: 1冗余
多路复用器,交叉功能,或双缓冲信号增强器
存根藏起来的应用。
集成的IEEE 1149.1 ( JTAG)及1149.6电路支持
单端LVTTL / CMOS和差的可测试性
LVDS PCB互连。 3.3V电源, CMOS工艺,
和LVDS I / O保证在低功率上的高性能
整个工业-40 + 85℃温度范围。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
每通道1.5 Gbps的
低功耗: 70毫安双中继器模式
@
1.5 Gbps的
低输出抖动
配置0 /25/ 50/100%的预加重驱动有损
背板和电缆
无阻塞的结构允许为1:2分路器, 2: 1复用器,
交叉和双缓冲配置
流通引脚排列
LVDS / BLVDS / CML / LVPECL输入, LVDS输出
IEEE 1149.1和1149.6标准
3.3V单电源供电
输入和输出单独的控制允许电源
工业-40 + 85℃温度范围内
28引脚的LLP封装,或32引脚LQFP封装
框图
20071401
图1. SCAN90CP02框图
2004美国国家半导体公司
DS200714
www.national.com
SCAN90CP02
引脚说明
名字
引脚LLP
LQFP
9
10
13
14
32
31
28
27
7
6
8
17
4
3
2
1
22
23
21
19
24
I / O类型
描述
差分输入对所有MUXES
IN0+
IN0
IN1+
IN1
OUT0+
OUT0
OUT1+
OUT1
SEL0,
SEL1
EN0,
EN1
PEM00,
PEM01
PEM10,
PEM11
TDI
TDO
TMS
TCK
TRST
N / C
动力
V
DD
11, 14,
16, 22,
25
12, 16,
18, 25,
29
一,电源
V
DD
= 3.3V
±
0.3V 。至少4个低ESR 0.01 μF旁路电容应
从V连接
DD
到GND平面。
接地参考LVDS和CMOS电路。
对于LLP封装,磷酸二铵作为主GND连接到
装置。对DAP是裸露的金属接触时的LLP- 28的底部
封装。它应该连接到接地平面具有至少4的通孔为
最佳的AC性能和热性能。
9
10
12
13
27
26
24
23
6
5
7
15
4
3
2
1
19
20
18
17
21
8, 28
我, LVDS
我, LVDS
反相和非反相的差分输入。 LVDS , LVDS总线,CML或
LVPECL兼容。
反相和非反相的差分输入。 LVDS , LVDS总线,CML或
LVPECL兼容。
反相和非反相的差分输出。 OUT0
±
可以连接到任何
一对IN0
±
或IN1
±
。 LVDS兼容(注2 ) 。
反相和非反相的差分输出。 OUT1
±
可以连接到任何
一对IN0
±
或IN1
±
。 LVDS兼容(注2 ) 。
选择控制输入
输出使能输入
通道0输出预加重控制输入
通道1输出预加重控制输入
测试数据输入,支持IEEE 1149.1功能
测试数据输出,支持IEEE 1149.1功能
测试模式选择,支持IEEE 1149.1功能
测试时钟,支持IEEE 1149.1功能
测试复位,支持IEEE 1149.1功能
没有连接
SWITCHED差分输出
O, LVDS
O, LVDS
数字控制接口
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
O, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
我, LVTTL
GND
(注1 ), 5 , 11 , 15 ,
20, 26,
30
注1 :
请注意,对于LLP封装GND上没有包的实际销,与GND相连通的LLP封装的背面侧的DAP 。
注2 :
LVDS输出不支持多点( BLVDS )环境。该SCAN90CP02设备的LVDS输出特性进行了优化
点至点的背板和电缆应用。
www.national.com
2
SCAN90CP02
连接图
20071404
LQFP顶视图
20071403
LLP顶视图
DAP = GND
配置选择真值表
SEL0
0
0
1
1
0
1
0
0
X
0
1
1
1
SEL1
0
1
0
1
1
1
0
1
X
0
0
0
1
EN0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
EN1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
OUT0
IN0
IN0
IN1
IN1
IN0
IN1
PD
PD
PD
OUT1
IN0
IN1
IN0
IN1
PD
PD
IN0
IN1
PD
双通道中继器
双通道开关
1:2分离器( IN0断电)
单信道转发器(信道1断电)
单通道开关( IN0和OUT1断电)
单通道开关( IN1和OUT0断电)
单通道中继器(通道0断电)
在掉电模式下两个通道
无效的国家*
无效的国家*
无效的国家*
无效的国家*
模式
1:2分离器(IN1断电)
PD =省电模式,以最大限度地降低功耗
X =无关
*进入这些国家并不被禁止,但设备操作没有在这些状态定义。
预加重
预加重被用于补偿长或有损
传输介质。提供给每个独立的引脚
输出,以减少电力消耗。预加重
可编程处于关机状态或按预设的预值
重点控制选型表。
PEM01
0
0
1
1
预加重控制选型表
通道0
PEM00
0
1
0
1
通道1
PEM11
0
0
1
1
PEM10
0
1
0
1
0%
25%
50%
100%
预加重
输出特性
该SCAN90CP02设备的输出特性有
被优化的点至点的背板和电缆应用程序
阳离子。
3
www.national.com
SCAN90CP02
应用信息
20071402
图2. SCAN90CP02配置选择解码
www.national.com
4
SCAN90CP02
绝对最大额定值
(注3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
CMOS输入电压
LVDS接收器输入电压
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路电流
结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 4秒)。
在25°C时的最大封装功耗
LLP-28
LQFP-32
4.31 W
1.47W
-0.3V至+ 4.0V
-0.3V到(V
DD
+0.3V)
-0.3V至+ 3.6V
-0.3V至+ 3.6V
40mA
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
降额25℃以上
LLP-28
LQFP-32
热阻,
θ
JA
LLP-28
LQFP-32
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
EIAJ , 0Ω , 200 pF的
6.5千伏
29C/W
85C/W
34.5毫瓦/ C
11.8毫瓦/°C的
& GT ;
250V
推荐工作
条件
电源电压(V
DD
- GND )
接收器的输入电压
经营自由的空气
温度
结温
3.0
0
40
25
典型值
3.3
最大
3.6
3.6
85
150
单位
V
V
C
C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。
符号
参数
条件
典型值
(注4 )
最大
单位
LVTTL DC规格
( SEL0 , SEL1 , EN1 , EN2 , PEM00 , PEM01 , PEM10 , PEM11 , TDI , TCK , TMS , TRST )
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
ILR
C
IN1
C
OUT1
V
CL
V
OH
V
OL
I
OS
V
TH
V
TL
V
ID
V
CMR
C
IN2
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
低电平输入电流
输入电容
输出电容
输入钳位电压
高电平输出电压
( TDO )
低电平输出电压
( TDO )
输出短路电流
差分输入高阈值
(注5 )
差分输入阈值低
差分输入电压
共模电压范围
输入电容
输入电流
V
IN
= V
DD
= V
DDMAX
V
IN
= V
SS
, V
DD
= V
DDMAX
TDI , TMS , TRST
所有数字输入引脚到V
SS
任何数字输出引脚到V
SS
I
CL
= -18毫安
I
OH
= -12毫安,V
DD
= 3.0 V
I
OH
= -100 μA ,V
DD
= 3.0 V
I
OL
= 12 mA时, V
DD
= 3.0 V
I
OL
= 100 μA ,V
DD
= 3.0 V
TDO
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ,V
DD
=
3.6V
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ,V
DD
=
3.6V
V
CM
= 0.8V至3.55V ,V
DD
= 3.6V
V
ID
= 150 mV时, V
DD
= 3.6V
IN +或IN-至V
SS
V
IN
= 3.6V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
V
IN
= 0V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
10
10
50
100
0.05
3.5
+10
+10
3.55
-15
1.5
2.4
V
DD
-0.2
0.5
0.2
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