【产品说明斯坦福Microdevices的SCA- 17是一种高性能的镓砷化镓异质结双极晶体管MMIC】,IC型号SCA-17,SCA-17 PDF资料,SCA-17经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品说明

斯坦福Microdevices的SCA- 17是一种高性能的镓

砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一

达林顿结构被用于宽带perfor-

MANCE高达3 GHz 。异质结突破性增长

向下压，减少之间的泄漏电流

路口。的发射结的非线性取消

导致更高的抑制互调产物。

典型的IP3在40毫安为+ 23dBm的。

这些无条件稳定放大器提供增益21分贝

并为1dB + 12dBm时的功率压缩，只需要一

单正电压电源。只有2个隔直电容，

偏置电阻器和一个可选的电感器，需要对

操作。

这MMIC是这种无线应用的理想选择

如蜂窝，PCS ，CDPD无线数据和SONET 。

SCA-17

DC - 3 GHz的，可级联

砷化镓HBT MMIC放大器

输出IP3与频率的关系

产品特点

高输出IP3 ： + 23dBm的

高增益：高达21dB的

可级联50欧姆： 1.5 ： 1 VSWR

获得专利的GaAs HBT技术

工作在单电源

低热阻封装

50欧姆增益模块

应用

蜂窝， PCS ， CDPD

无线数据， SONET

DBM

0.1

GHz的

在大电气规格= 25℃

SYM BOL

P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：

ID = 4 0米A，Z

= 5 0 O ^ h米每秒

加利其

M IN 。

TY页。

M AX 。

P 2 O宽E R G一中

克F中拉T N ê S S小

克F大拉tnessoverany 1 0 0 MH zband

本安输出P owerat 1天BC ompress IO

N}÷为e F IG ü

在P ü T A N D O u那样TP ü T·V·S W R

牛逼 IR D 2 O R D所è R I T E R C ê P吨P 2 O在T

ü TP ü吨要否E @ 0 D B M 1 0 M·H Z A P A R吨

摹R 0 ü P D E LA

; V。E R 5 e口S 0 LA吨IO

D E V IC è V ℃的克é

EV IC E G一T中emperature OE FF IC即新台币

EV IC è V LT年龄牛逼emperature OE FF IC即新台币

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 2 0.0 -3 0.0摹

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 0 .1 -3 0.0摹

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 1 0.9摹

F = 0 .1 -3 0.0摹

DBM

皮秒

D B / D E克碳

M·V / D E克碳

+ /- 1 . 2

+ /- 0 . 1

1 2 .0

3 .8

1 .5

2 3 .0

100

1dB

VSW

为O升

G / D牛逼

D V / D牛逼

3 .5

4 .0

-0 .0 0 3

-4 .0

4 .5

本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。

斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，

恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福

微器件产品在生命支持设备和/或系统。

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

http://www.stanfordmicro.com

5-153

SCA- 17 DC- 3 GHz的MMIC级联放大器

25典型性能

C（ VDS = 4.0V ， IDS = 40毫安）

| S11 |与频率的关系

-5

| S21 |与频率的关系

-10

-15

-20

0.1

GHz的

| S12 |与频率的关系

-20

-22

-24

-5

| S22 |与频率的关系

-26

-28

-30

0.1

-10

-15

-20

0.1

GHz的

50欧姆增益模块

GHz的频率

.100

.500

.900

1.00

1.50

2.00

2.50

3.00

|S11|

输出功率vs.Frequency

DBM

0.1

GHz的

典型的S参数VDS = 4.0V ，ID = 40毫安

S11昂

|S21|

S21昂

|S12|

S12昂

|S22|

S22昂

0.338

0.322

0.310

0.305

0.271

0.225

0.179

0.148

117

112

-13

-71

-129

172

13.126

13.096

12.333

12.165

11.356

10.626

9.175

8.363

139

130

-7

-52

-90

0.064

0.056

0.057

0.059

0.062

0.066

0.070

0.073

-19

-25

-46

-50

-79

-107

-138

-173

0.326

0.317

0.320

0.316

0.307

0.298

0.291

118

113

-9

-67

-126

177

（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

http://www.stanfordmicro.com

5-154

SCA- 17 DC- 3 GHz的MMIC级联放大器

绝对最大额定值

P一R A M E TE

D E V IC式C ü R R简吨

P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N

的R F在P ü吨P 2 O宽E

加利 TIO Nテ米P·E R A TU

P·E·R锡克テ米P·E·R一重恩

S到R A克éテ米P·E·R的T ü

A B S 0路TE

M A X IM ü米

75米一

350米W

百米W

+120C

100,000

平均无故障时间与温度的关系

@ n = 40毫安

领导

温度

+85C

平均无故障时间（小时）

1,000,000

+200C

- 4 5℃至+ 8 5℃

- 6 5℃至+ 1 5 0℃

+150C

10,000

热电阻（无铅路口）： 412 ° C / W

注意事项：

其中任何一项上述1.操作此设备的

参数可能会造成永久性的损害。

推荐偏置电阻值

电源电压（ Vs）的

RBIAS （欧姆

)

7.5V

125

12V

200

15V

275

20V

400

安装说明

所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板与

1盎司铜的两侧。

所述板被安装到基板用3个螺钉，如图所示。

螺钉使顶侧铜温度为相同的

值作为所述底板上。

1.用1或2盎司铜，如果可能的话。

2.焊接铜焊盘上的装置的后方

打包到接地平面。

3.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔

如图所示。

4.如果可能的话，使用至少一个螺丝不超过0.2英寸

从器件封装来提供低热阻

路径到封装基板上。

从地线5.热阻是螺丝

2度。 C / W 。

50欧姆增益模块

典型的偏置CON组fi guration

引脚名称

在RF

GND

RF输出和偏置

GND

外形绘图

SCA-17

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

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产品说明

斯坦福Microdevices的SCA- 17是一种高性能的镓

砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一

达林顿结构被用于宽带perfor-

MANCE高达3 GHz 。异质结突破性增长

向下压，减少之间的泄漏电流

路口。的发射结的非线性取消

导致更高的抑制互调产物。

典型的IP3在40毫安为+ 23dBm的。

这些无条件稳定放大器提供增益21分贝

并为1dB + 12dBm时的功率压缩，只需要一

单正电压电源。只有2个隔直电容，

偏置电阻器和一个可选的电感器，需要对

操作。

这MMIC是这种无线应用的理想选择

如蜂窝，PCS ，CDPD无线数据和SONET 。

SCA-17

DC - 3 GHz的，可级联

砷化镓HBT MMIC放大器

输出IP3与频率的关系

产品特点

高输出IP3 ： + 23dBm的

高增益：高达21dB的

可级联50欧姆： 1.5 ： 1 VSWR

获得专利的GaAs HBT技术

工作在单电源

低热阻封装

50欧姆增益模块

应用

蜂窝， PCS ， CDPD

无线数据， SONET

DBM

0.1

GHz的

在大电气规格= 25℃

SYM BOL

P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个：

ID = 4 0米A，Z

= 5 0 O ^ h米每秒

加利其

M IN 。

TY页。

M AX 。

P 2 O宽E R G一中

克F中拉T N ê S S小

克F大拉tnessoverany 1 0 0 MH zband

本安输出P owerat 1天BC ompress IO

N}÷为e F IG ü

在P ü T A N D O u那样TP ü T·V·S W R

牛逼 IR D 2 O R D所è R I T E R C ê P吨P 2 O在T

ü TP ü吨要否E @ 0 D B M 1 0 M·H Z A P A R吨

摹R 0 ü P D E LA

; V。E R 5 e口S 0 LA吨IO

D E V IC è V ℃的克é

EV IC E G一T中emperature OE FF IC即新台币

EV IC è V LT年龄牛逼emperature OE FF IC即新台币

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 2 0.0 -3 0.0摹

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 0 .1 -3 0.0摹

F = 0 .1 -2 0.0摹

F = 1 0.9摹

F = 0 .1 -3 0.0摹

DBM

皮秒

D B / D E克碳

M·V / D E克碳

+ /- 1 . 2

+ /- 0 . 1

1 2 .0

3 .8

1 .5

2 3 .0

100

1dB

VSW

为O升

G / D牛逼

D V / D牛逼

3 .5

4 .0

-0 .0 0 3

-4 .0

4 .5

本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。

斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，

恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福

微器件产品在生命支持设备和/或系统。

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电话：（ 800 ） SMI- MMIC

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SCA- 17 DC- 3 GHz的MMIC级联放大器

25典型性能

C（ VDS = 4.0V ， IDS = 40毫安）

| S11 |与频率的关系

-5

| S21 |与频率的关系

-10

-15

-20

0.1

GHz的

| S12 |与频率的关系

-20

-22

-24

-5

| S22 |与频率的关系

-26

-28

-30

0.1

-10

-15

-20

0.1

GHz的

50欧姆增益模块

GHz的频率

.100

.500

.900

1.00

1.50

2.00

2.50

3.00

|S11|

输出功率vs.Frequency

DBM

0.1

GHz的

典型的S参数VDS = 4.0V ，ID = 40毫安

S11昂

|S21|

S21昂

|S12|

S12昂

|S22|

S22昂

0.338

0.322

0.310

0.305

0.271

0.225

0.179

0.148

117

112

-13

-71

-129

172

13.126

13.096

12.333

12.165

11.356

10.626

9.175

8.363

139

130

-7

-52

-90

0.064

0.056

0.057

0.059

0.062

0.066

0.070

0.073

-19

-25

-46

-50

-79

-107

-138

-173

0.326

0.317

0.320

0.316

0.307

0.298

0.291

118

113

-9

-67

-126

177

（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每20密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

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5-154

SCA- 17 DC- 3 GHz的MMIC级联放大器

绝对最大额定值

P一R A M E TE

D E V IC式C ü R R简吨

P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N

的R F在P ü吨P 2 O宽E

加利 TIO Nテ米P·E R A TU

P·E·R锡克テ米P·E·R一重恩

S到R A克éテ米P·E·R的T ü

A B S 0路TE

M A X IM ü米

75米一

350米W

百米W

+120C

100,000

平均无故障时间与温度的关系

@ n = 40毫安

领导

温度

+85C

平均无故障时间（小时）

1,000,000

+200C

- 4 5℃至+ 8 5℃

- 6 5℃至+ 1 5 0℃

+150C

10,000

热电阻（无铅路口）： 412 ° C / W

注意事项：

其中任何一项上述1.操作此设备的

参数可能会造成永久性的损害。

推荐偏置电阻值

电源电压（ Vs）的

RBIAS （欧姆

)

7.5V

125

12V

200

15V

275

20V

400

安装说明

所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板与

1盎司铜的两侧。

所述板被安装到基板用3个螺钉，如图所示。

螺钉使顶侧铜温度为相同的

值作为所述底板上。

1.用1或2盎司铜，如果可能的话。

2.焊接铜焊盘上的装置的后方

打包到接地平面。

3.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔

如图所示。

4.如果可能的话，使用至少一个螺丝不超过0.2英寸

从器件封装来提供低热阻

路径到封装基板上。

从地线5.热阻是螺丝

2度。 C / W 。

50欧姆增益模块

典型的偏置CON组fi guration

引脚名称

在RF

GND

RF输出和偏置

GND

外形绘图

SCA-17

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

http://www.stanfordmicro.com

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